國外開發出可使用多種中子源的半導體軟錯誤率評估方法

　　由日本京都大學科研人員負責的產學協同軟錯誤研究團隊，開發了一種可使用不同中子源獲取半導體軟錯誤率的方法。

　　軟錯誤率一般通過在地面上再現宇宙射線環境的特殊中子源進行實驗評估。而該方法則是通過將任意中子源的1個測量結果和數值模擬進行組合求得軟錯誤率。科研人員使用來自3個設施的7種類型中子源的測量值和高能粒子與重離子運動分析代碼程序PHITS（Particle and Heavy Ion Transport code System）評估軟錯誤率，驗證了該方法的有效性。采用這種方法，科研人員可以使用大量的通用中子源來評估軟錯誤率，滿足日益增長的軟錯誤率評估需求。相關研究成果發表于國際學術期刊《IEEE Transactions on Nuclear Science》。