Science：腦部電流刺激確可改善記憶

　　美國西北大學醫學院最新研究結果顯示顱磁刺激通過用磁脈沖（Transcranial Magnetic Stimulation，TMS）進行非損傷性電流傳送來刺激特定腦區，可改善記憶，為治療由中風、早期阿茲海默病、創傷性腦損傷和心跳驟停等引起的記憶損傷，以及健康老齡化中的記憶問題治療提供了新思路。該研究成果于2014年8月29日發表于Science期刊。

　　之前的研究中，TMS的應用僅局限在試驗中，用于臨時改變腦功能以改善其表現，比如使人受到腦部刺激時更快地完成按鍵動作。海馬體（hippocampus）是與記憶相關的關鍵腦區。而精神疾病患者因腦區和海馬體不能協同作用，所以記憶和認知功能受到影響。然而，由于海馬體在腦部很深的位置，磁場無法穿透，一般無法實現直接用TMS刺激海馬體。

　　此次研究，研究人員通過MRI掃瞄記錄的腦部血流間接檢測方法，確定一個距離顱骨表面僅1厘米且與海馬體緊密相連的淺腦區，發現直接刺激該區域能引發刺激海馬體。并且通過對16名年齡在21～40歲之間的健康成年人進行腦刺激和記憶測試，發現刺激使得腦部不同的區域之間以及其他區域與海馬體之間協調性更好，從而提高參與者在記憶測試中的表現，即提高人們學習新事物的能力。可見，TMS可使人腦記憶功能在不依賴手術和藥物的情況下特異性地改變，對于治療記憶紊亂非常有潛力。

　　研究人員認為，由于藥物的靶標種類繁多，很難從中篩選出和記憶相關的受體，所以目前還沒有像TMS這樣特異性針對記憶網絡的藥物。在之后的試驗中，研究人員將會研究電刺激對罹患早期記憶喪失的人的影響，但在這之前需要幾年的時間來確定這種方法對阿茲海默病患者或者類似的記憶紊亂患者是否安全有效。