1月26日,中科院半導體所發布王圩院士訃告。
以下為訃告全文:
訃告
中國共產黨優秀黨員、中國科學院院士,中國科學院半導體研究所研究員、我國著名半導體光電子學家王圩先生因病醫治無效,不幸于2023年1月26日18點11分在北京逝世,享年86歲。
王圩院士1937年12月25日生于河北文安,1960年畢業于北京大學物理系半導體專業,同年到中國科學院半導體研究所工作至今。他是我國著名的半導體光電子學專家,為我國半導體學科建設、技術創新、產業振興以及人才培養做出了重要貢獻。先后獲得國家“六五” 攻關獎、中國科學院科學技術進步一等獎、國家科學技術進步二等獎、中國材料研究學會科學技術一等獎等。1997年當選中國科學院院士。
王圩院士在半導體光電子學領域辛勤耕耘、造詣頗深,并取得了一系列重要科研成果。20世紀60年代率先在國內研制成功無位錯硅單晶,為我國硅平面型晶體管和集成電路的發展做出了貢獻。70年代率先在國內研制成功單異質結室溫脈沖大功率激光器和面發射高亮度發光管,并成功應用于夜視和精密測距儀等關鍵技術上;參與建立了國內首批Ⅲ-V 族化合物液相外延方法,為國內首次研制成功GaAs基短波長脈沖激光器奠定基礎。80年代至90年代研制成功1.3微米/1.5微米激光器和應變量子阱動態單模分布反饋激光器,為我國提供了用于研發第二、第三代長途大容量光纖通信急需的光源。進入新世紀以來,主持開展大應變量子阱材料以及不同帶隙量子阱材料的單片集成等關鍵技術的研究,建立了可集成半導體激光器、電吸收調制器、光放大器、探測器以及耦合器等部件的集成技術平臺,為 開展多個光學部件的單片集成技術奠定了基礎。
王圩院士一生熱愛黨、熱愛祖國、熱愛科學事業!他一生勤奮不輟、學風嚴謹、務實求真、銳意創新,傾其畢生精力投身于半導體光電子科學事業!他嚴于律己,忠厚寬容,身先士卒,淡泊名利。他的逝世,是我國科學界和教育界的重大損失!他的精神,將激勵后人奮進前行!他的業績和品德,將為中國科技事業樹立一座不朽的豐碑。對王圩院士的逝世,我們表示深切的哀悼!
王圩院士永垂不朽!王圩院士精神永存!
謹此訃告。
王圩院士治喪委員會
2023年1月26日
1月26日,中科院半導體所發布王圩院士訃告。以下為訃告全文:訃告中國共產黨優秀黨員、中國科學院院士,中國科學院半導體研究所研究員、我國著名半導體光電子學家王圩先生因病醫治無效,不幸于2023年1月26......
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