Intel展示TigerLake晶圓，核心面積增大20％
CES 2020大展上Intel首次公開了下一代移動平臺Tiger Lake（或將命名為十一代酷睿）的部分細節，采用10nm＋工藝，集成新的Willow Cove CPU核心、Xe LP GPU核心，IPC性能提升超過兩位數，同時大大增強AI性能。在會后的內部展示上，Intel首次拿出了Tiger Lake的晶圓供大家鑒賞。事實上，Intel雖然官方稱Tiger Lake使用的10nm是增強版10nm＋，但嚴格來說將會是第三代（10nm＋＋）。在此之前，第一代10nm工藝的Cannonn Lake沒有大規模量產，只留下一顆雙核心而且無核顯的i3－8121U用于少量設備。目前的Ice Lake使用的已經是第二代（10nm＋），頻率仍然比較一般，最高只能做到4．1GHz。Tiger Lake作為第三代（10nm＋＋），頻率有望進一步改進，目前所曝光的ES版，已經可以達到單核4．3GHz、全核心4．0GHz。從晶圓上可以清楚地......閱讀全文
Intel展示Tiger－Lake晶圓，核心面積增大20％
CES 2020大展上Intel首次公開了下一代移動平臺Tiger Lake（或將命名為十一代酷睿）的部分細節，采用10nm＋工藝，集成新的Willow Cove CPU核心、Xe LP GPU核心，IPC性能提升超過兩位數，同時大大增強AI性能。在會后的內部展示上，Intel首次拿出了Ti
晶圓切割設備——晶圓切割機的原理？
芯片切割機是非常精密之設備，其主軸轉速約在30,000至 60,000rpm之間，由于晶粒與晶粒之間距很小而且晶粒又相當脆弱，因此精度要求相當高，且必須使用鉆石刀刃來進行切割，而且其切割方式系采磨削的方式把晶粒分開。由于系采用磨削的方式進行切割，會產生很多的小粉屑，因此 在切割過程中必須不斷地用
硅晶圓展|2024年上海硅晶圓展覽會
展會名稱：2024中國（上海）國際半導體展覽會英文名稱：China (shanghai) int'l Circuit board & Electronic assembly Show 2024展會時間：2024年11月18-20日?論壇時間：2024年11月18-19日?展會地點：上海新國際
晶圓搬送機的晶圓卡匣裝置的制作方法
?? 半導體晶圓由于需經過各種不同流程的處理且需配合工藝設備，因此會被搬運到不同的工作站。為了方便晶圓的搬運且避免受到外力碰撞，會將多個晶圓收納于晶圓暫存卡匣中。 一般來說，晶圓暫存卡匣內設置有逐層排列的多個插槽可水平容置多個晶圓，且其一側面具有一開口可供晶圓的載出及載入。再者，于開口處亦設置有可
我國首臺核心部件100％國產高端晶圓激光切割設備問世
高端智能裝備是國之重器，是制造業的基石，尤其是半導體領域內高端智能裝備，在國民經濟發展中具有舉足輕重的作用。手機、電腦、汽車等產品的芯片，離不開半導體。 據中國光谷微信公眾號7月11日消息，華工激光半導體產品總監黃偉介紹，近期，該公司制造出我國首臺核心部件100%國產化的高端晶圓激光切割設備，
晶圓清洗設備的前景
預計未來幾年，全球晶圓清潔設備市場將以可觀的復合年增長率增長。諸如MEMS，PCB，存儲設備，IC和半導體晶圓之類的組件是任何電子設備的基本構建塊。電子設備的性能主要取決于單獨組件的性能。此外，由于這些組件相對較小，雜質會極大地影響其可靠性和性能。微電子清洗在任何電子設備的有效工作中都起著至關重
晶圓如何通過testkey監控
晶圓特性測試系統由測試儀(tester)與探針臺(prober)共同組成，探針臺上具有包括多個探針的探針卡，在測試之前的第一步是將探針卡上的探針扎到零點testkey對應的焊墊(pad)上，扎針動作由探針臺主導；第一步扎針完成之后，需要在探針臺側進行人工確認扎針對應的零點testkey位置和針跡效果
晶圓切割設備的目的
晶圓切割的目的，主要是要將晶圓上的每一顆晶粒（Die）加以切割分離。首先要將晶圓（Wafer）的背面貼上一層膠帶（Wafer Mount），之后再將其送至晶圓切割機加以切割。切割完后，一顆顆的晶粒會井然有序的排列黏貼在膠帶上，同時由于框架的支撐可避免晶粒因膠帶皺褶而產生碰撞，而有利于搬運過程。此
晶圓測試與探針臺
晶圓測試是在半導體器件制造過程中執行的一個步驟。在此步驟中，在將晶圓送至芯片準備之前執行，晶圓上存在的所有單個集成電路都通過對其應用特殊測試模式來測試功能缺陷。晶圓測試由稱為晶圓探針器的測試設備執行。晶圓測試過程可以通過多種方式進行引用：晶圓最終測試 (WFT)、電子芯片分類 (EDS) 和電路
VCSEL晶圓探針臺招標項目
標訊類別： 國內招標招標編號：資金來源： 其他招標人：開標時間：招標代理： VCSEL晶圓探針臺招標項目的潛在投標人應在網上報名獲取招標文件，并于2023年07月10日 14時00分（北京時間）前在線遞交投標文件。逾期提交的投標文件恕不接受。本項目電子投標文件最大容量為100MB，超過此容量的文件
晶圓切割設備的切割方法
目前，硬脆材料切割技術主要有外圓切割、內圓切割和線銘切割。外圓切割組然操作簡便，但據片剛性差，切割過程中鋸片易跑偏.導致被切割工們的平行度差:而內圓切割只能進行直線切割.無法進行曲面切割.線鋸切割技術具有切縫窄、效率高、切片質量好、可進行曲線切別等優點成為口前廣泛采用的切割技術。 內圓切割時晶
今年南極臭氧層空洞面積增大
美國政府研究人員于本月初稱，今年南極洲超低溫造成的臭氧層空洞面積比過去幾年科學家測量的結果增大了近300萬平方公里。 據《自然》雜志報道，較低的溫度促使南極上空大氣層中形成大量的冰晶。這些冰晶會吸附在含有氯的化學物質上，例如含氯氟烴（CFCs），并將其分解，由此產生的氯原子進而侵蝕了臭氧層。這
低能離子輻照實現晶圓級大面積超高線密度光柵器件制備
6月4日，中國科學院上海微系統與信息技術研究所信息功能材料國家重點實驗室在《自然-通訊》雜志上在線發表了題為《采用反向外延技術實現晶圓級亞50nm周期的光柵器件制備》（Realization of wafer-scale nanogratings with sub-50 nm period th
晶圓切割設備的重要性
? ? ? ?現階段，硬脆材料切割技術主要有外圓切割、內圓切割和線銘切割。外圓切割組然操作簡單，但據片剛性差，切割全過程中鋸片易方向跑偏.造成 被切割工們的平面度差:而內圓切割只有進行直線切割.沒法進行斜面切割.線鋸切割技術具備割縫窄、高效率、切成片性價比高、可進行曲線圖切別等優點成為口前普遍選用的
AML晶圓鍵合機共享應用
儀器名稱：晶圓鍵合機儀器編號：13003988產地：英國生產廠家：AML型號：AWB-04出廠日期：201208購置日期：201303所屬單位：集成電路學院>微納加工平臺>封裝工藝放置地點：微電子所新所一樓微納平臺固定電話：固定手機：固定email：聯系人：鄭瑤（010-62798268,13811
晶圓清洗設備的目的和分類
半導體晶圓對微污染物的存在非常敏感，為了達成晶圓表面無污染物的目標，必須移除表面的污染物并避免在制程前讓污染物重新殘余在晶圓表面。因此半導體晶圓在制造過程中，需要經過多次的表面清洗步驟，以去除表面附著的金屬離子、原子、有機物及微粒。 目前晶圓清洗技術大致可分為濕式與干式兩大類，仍以濕式清洗法為
PlasmaQuant?－MS－分析晶圓表面金屬雜質
分析背景簡介 硅片是半導體制造業的基礎材料，硅片表面及少量的金屬污染都可能導致器件功能的失效，所以硅片表面金屬雜質測試是不可或缺的步驟。VPD跟ICPMS 聯用檢測硅片表面金屬雜質是目前最常見的一種手段。目前 VPD也是有成熟的全自動化儀器，它的過程就是利用機械管先將硅片暴露于HF蒸氣部分，以
2024硅晶圓展上海。展會日期:2024
展會名稱：2024中國（上海）國際半導體展覽會英文名稱：China (shanghai) int'l Circuit board & Electronic assembly Show 2024展會時間：2024年11月18-20日?論壇時間：2024年11月18-19日?展會地點：上海新國際
2024晶圓制造展上海。展會日期:2024
展會名稱：2024中國（上海）國際半導體展覽會英文名稱：China (shanghai) int'l Circuit board & Electronic assembly Show 2024展會時間：2024年11月18-20日?論壇時間：2024年11月18-19日?展會地點：上海新國際
晶圓清洗設備的兩種形式
按照清洗方式的不同，清洗設備可分為兩種，分別是單片式和槽式。 一、單片式清洗機是由幾個清洗腔體組成，再通過機械手將每一片晶圓送至各個腔體中進行單獨的噴淋式清洗，清洗效果較好，避免了交叉污染和前批次污染后批次，但缺點是清洗效率較低，成本偏高。 二、槽式清洗機是將晶圓放在花籃中，再利用機械手依次
晶圓制備——如何從沙子到wafer？（一）
我們所講的半導體制造，它的載體一定是晶圓(Wafer)，這個東西是怎么來的？我們今天就來好好講講。 前面講N-Si和P-Si摻雜的時候講過了，我們的Si一定都是單晶晶格的，而摻雜的原子必須跑到它的晶格上與Si形成共用電子對的共價鍵后多出電子或空穴而參與導電，如果我們用了多晶或者非晶，這
半導體產業的根基：晶圓是什么？
在半導體的新聞中，總是會提到以尺寸標示的晶圓廠，如 8 寸或是 12 寸晶圓廠，然而，所謂的晶圓到底是什么東西？其中 8 寸指的是什么部分？要產出大尺寸的晶圓制造又有什么難度呢？以下將逐步介紹半導體最重要的基礎——“晶圓”到底是什么。 何謂晶圓？ 晶圓（wafer），是制造各式電腦芯
晶圓制備——如何從沙子到wafer？（二）
1. 多晶硅提純： 先是沙子(SiO2)與碳在高溫下(2000C)置換反應，生成硅和CO2。此時的硅為冶金級別的(MGS: Metallic Grade Silicon)，也就是粗制的多晶硅。 然后再用MGS的硅與HCl在300C下反應生成TCS(SiHCl3)，然后經過過濾和冷凝可
晶圓制備——如何從沙子到wafer？（三）
4. 拋光(Lapping)：因為剛剛切下來的wafer，表面一定有很多損傷，而且表面粗糙，所以這一步類似CMP功效用slurry去磨平，所以我們的wafer有時候也叫polish wafer。 5. 濕法蝕刻(wet etch)：因為剛才的拋光還是機械的磨平，所以還是無法完全去除損傷
－晶圓制造及封裝展|2024上海國際硅晶圓及IC封裝載板展覽會「官網」
展會名稱：2024中國（上海）國際半導體展覽會英文名稱：China (shanghai) int'l Circuit board & Electronic assembly Show 2024展會時間：2024年11月18-20日?論壇時間：2024年11月18-19日?展會地點：上海新國際
植物耐受熱性測量儀的技術參數
電導測量參數：電導/溫度曲線、電導臨界點 熒光測量參數：Ft、ΦPSII（T）、熒光/溫度曲線及4個熒光臨界點 熒光激發光源：460nm，提供飽和光和測量光，光強可設 加熱速度：1-3℃/min，線性加熱，用戶可自行設定 溫度控制范圍：20-70℃，用戶可自行設定 溫度測量分辨率：0.
主辦EXPO－2024上海晶圓級封裝展官網」
展會名稱：2024中國(上海)國際電子封裝測試展覽會英文名稱：China (Shanghai) International Electronic Packaging and Testing Exhibition 2024大會負責人：李經理 136 5198 3978（同微）展會時間：2024年11月
EVG－510晶圓鍵合機有哪些特征？
EVG 510-晶圓鍵合機（晶圓鍵合機）是一種高度靈活的晶圓鍵合系統，可以處理從碎片到200 mm的基板尺寸。該工具支持所有常見的晶圓鍵合工藝，例如陽極，玻璃粉，焊料，共晶，瞬態液相和直接法。易于使用的鍵合腔室和工具設計允許對不同的晶圓尺寸和工藝進行快速便捷的重新工具化，轉換時間不到5分鐘。
【解決方案】不可思議的晶圓厚度測量
Measuring the Nearly Immeasurable 在柏林費迪南德布勞恩研究所生產的半導體激光和高頻放大器晶圓必須達到一個極度精密的層厚度。潔凈室工人使用WERTH多傳感器坐標測量機監督這個過程。該機配有色差傳感器，的無接觸捕捉所需的測量元素。 在柏林的費迪南德
晶圓檢測顯微鏡OLYMPUS－MX63L
晶圓檢測顯微鏡OLYMPUS MX63L 進入21世紀以來，電子產品的發展速度日新月異，電子產品被設計的越來越小，功能越來越強大，這離不開高精尖的技術支持，芯片的大小決定了我們的電子產品的大小，薄厚等做工，芯片的都厲不拍晶圓片作為載體俗稱硅片。 硅片的發展從4寸到6寸，再到現在的8