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在半導體的新聞中，總是會提到以尺寸標示的晶圓廠，如 8 寸或是 12 寸晶圓廠，然而，所謂的晶圓到底是什么東西？其中 8 寸指的是什么部分？要產出大尺寸的晶圓制造又有什么難度呢？以下將逐步介紹半導體最重要的基礎——“晶圓”到底是什么。 何謂晶圓？ 晶圓（wafer），是制造各式電腦芯片的基礎。我們可以將芯片制造比擬成用樂高積木蓋房子，藉由一層又一層的堆疊，完成自己期望的造型（也就是各式芯片）。然而，如果沒有良好的地基，蓋出來的房子就會歪來歪去，不合自己所意，為了做出完美的房子，便需要一個平穩的基板。對芯片制造來說，這個基板就是接下來將描述的晶圓。 首先，先回想一下小時候在玩樂高積木時，積木的表面都會有一個一個小小圓型的凸出物，藉由這個構造，我們可將兩塊積木穩固的疊在一起，且不需使用膠水。芯片制造，也是以類似這樣的方式，將后續添加的原子和基板固定在一起。因此，我們需要尋找表面整齊的基板，以滿足后續制造所需的條件。......閱讀全文
為了達成良率與元件效能需求，控制制程變異性，取得可重復的穩定結果是非常重要的。隨著技術節點的進展，以及設計規則的改變，業界需要更嚴格的制程控制。有許多因素會造成變異性，所有的案例一般可歸納為：在晶粒中、晶圓、晶圓到晶圓、以及腔體到腔體。 通常，晶圓變異只能低于整體變異性的三分之一。例如
Measuring the Nearly Immeasurable 在柏林費迪南德布勞恩研究所生產的半導體激光和高頻放大器晶圓必須達到一個極度精密的層厚度。潔凈室工人使用WERTH多傳感器坐標測量機監督這個過程。該機配有色差傳感器，的無接觸捕捉所需的測量元素。 在柏林的費迪南德
用整個硅片來制造處理器似乎是一個奇怪的想法，但一項新的研究表明，晶圓級芯片可以比同等的多芯片模塊MCM的性能好一個數量級，同時提供更好的能效。晶圓級集成（WSI）的概念相當簡單：不是制造一個裝滿芯片的晶圓，而是將它們分開，然后將它們重新連接在一起，放在多芯片模塊或封裝的印刷電路板（PCB）上
層層光罩，疊起一顆芯片首先，目前已經知道一顆 IC 會產生多張的光罩，這些光罩有上下層的分別，每層有各自的任務。下圖為簡單的光罩例子，以積體電路中最基本的元件 CMOS 為范例，CMOS 全名為互補式金屬氧化物半導體（Complementary metal–oxide–semicon
大家都是電子行業的人，對芯片，對各種封裝都了解不少，但是你知道一個芯片是怎樣設計出來的么？你又知道設計出來的芯片是怎么生產出來的么？看完這篇文章你就有大概的了解。 復雜繁瑣的芯片設計流程 芯片制造的過程就如同用樂高蓋房子一樣，先有晶圓作為地基，再層層往上疊的芯片制造流程后，就可產出必
半導體生產流程 所謂的半導體，是指在某些情況下，能夠導通電流，而在某些條件下，又具有絕緣體效用的物質；而至于所謂的IC，則是指在一半導體基板上，利用氧化、蝕刻、擴散等方法，將眾多電子電路組成各式二極管、晶體管等電子組件，作在一微小面積上，以完成某一特定邏輯功能（例如：AND、OR、NAND
碳化硅(SiC)在大功率、高溫、高頻等極端條件應用領域具有很好的前景。但盡管商用4H-SiC單晶圓片的結晶完整性最近幾年顯著改進，這些晶圓的缺陷密度依然居高不下。經研究證實，晶圓襯底的表面處理時間越長，則表面缺陷率也會跟著增加。 碳化硅(SiC)兼有寬能帶隙、高電擊穿場強、高熱導率、高
假設一百年或者幾百年之后，回顧2018年到2019年的大國關系，未來的人們可能發明一個新詞，或許就叫做芯片戰爭。雖然這種戰爭暫時還沒聽到槍炮聲響和看到硝煙，但是對未來世界格局的深遠影響，可能不亞于一場次級別的世界大戰。這是因為圍繞芯片這種國際商品而產生的交易額，是當今全球原油交易市場總額的數
分層施工，逐層架構知道 IC 的構造后，接下來要介紹該如何制作。試想一下，如果要以油漆噴罐做精細作圖時，我們需先割出圖形的遮蓋板，蓋在紙上。接著再將油漆均勻地噴在紙上，待油漆乾后，再將遮板拿開。不斷的重復這個步驟后，便可完成整齊且復雜的圖形。制造 IC 就是以類似的方式，藉由遮蓋
就在國內12英寸大硅片(300mm晶圓)項目紛涌而起之際，去年底新修訂的《瓦森納協議》中，便“緊跟形勢”地增加了對于12英寸硅晶圓制造技術的出口管制內容。 具體而言，新增內容直指當下國內正在尋求突破的針對于14nm制程的大硅片生產技術，在此之前，中芯國際已宣布14nm實現量產。 “瓦森納新增
所有這些都是實打實的時間和真金白銀。如果芯片在經過檢測和其它過程之后符合規范，就可以把晶圓從晶圓廠發給封測廠了。這時候，壓力就轉到封測廠了。為了幫助測試，KLA－Tencor設計了一種技術方案來捕捉晶圓廠中的問題。該技術被稱為在線零件平均測試（I－PAT），它利用了PAT的概念。但是，與在測
三、清洗設備干燥方式通過去離子水清洗后， 需要在最短的時間里把晶圓表面的水分去除， 而且去除后晶圓的外表不要有任何水痕， 否則會降低晶圓的良率。 半導體生產上常采用以下幾種干燥方式：旋轉甩干、熱氮氣烘干、異丙醇慢提拉干燥及 Marangoni干燥。a．旋轉甩干目前對晶圓的清洗以及脫水處理方式
隨著集成電路設計師將更復雜的功能嵌入更狹小的空間，異構集成包括器件的3D堆疊已成為混合與連接各種功能技術的一種更為實用且經濟的方式。作為異構集成平臺之一，高密度扇出型晶圓級封裝技術正獲得越來越多的認可。此種封裝解決方案的主要優勢在于其封裝的基片更少，熱阻更低，電氣性能也更優秀。這是一個體現“
目前最為可行的發展方式，是融合光學與半導體工藝，用半導體的思路做納米級光元件。圖片來源網絡 單個晶體管到集成電路的進化，直接了促成人類信息革命的爆發，拉開了消費電子的序幕，造就了近50年來無數的科技奇跡和無數偉大的企業。基于對半導體行業長期發展的統計，半導體行業歸納出了所謂的“摩爾定律”——
復雜繁瑣的芯片設計流程芯片制造的過程就如同用樂高蓋房子一樣，先有晶圓作為地基，再層層往上疊的芯片制造流程后，就可產出必要的 IC 芯片（這些會在后面介紹）。然而，沒有設計圖，擁有再強制造能力都沒有用，因此，建筑師的角色相當重要。但是 IC 設計中的建筑師究竟是誰呢？接下來要針對 IC 設計做
高級駕駛輔助系統（ADAS）和自主駕駛汽車對可靠性的要求更加嚴苛。ADAS涉及汽車中的各種安全功能，如自動緊急制動、車道檢測和后方物體警告。例如，全球最大的汽車芯片制造商恩智浦最近宣布推出了一款用于汽車應用的高分辨率雷達芯片。該芯片被稱為MR3003雷達收發器，是一款77GHz雷達器件。該器
CES 2020大展上Intel首次公開了下一代移動平臺Tiger Lake（或將命名為十一代酷睿）的部分細節，采用10nm＋工藝，集成新的Willow Cove CPU核心、Xe LP GPU核心，IPC性能提升超過兩位數，同時大大增強AI性能。在會后的內部展示上，Intel首次拿出了Ti
告訴你什么是封裝經過漫長的流程，從設計到制造，終于獲得一顆 IC 芯片了。然而一顆芯片相當小且薄，如果不在外施加保護，會被輕易的刮傷損壞。此外，因為芯片的尺寸微小，如果不用一個較大尺寸的外殼，將不易以人工安置在電路板上。因此，接下來要針對封裝加以描述介紹。目前常見的封裝有兩種，一種是電動玩具
其他儀器方面，本實驗使用Nanometrics公司的Stratus傅立葉變換紅外光譜儀(FT-IR)測量樣品厚度。表面分析實驗則使用Dimension 3100原子力顯微鏡(AFM)。顯微鏡為接觸測量模式，裝備一個單晶矽針尖。為取得更大的掃描區域，掃描尺寸是90×90μm2，掃描
半導體芯片行業特別是晶圓制程中對于清凈度的要求非常高，只有符合要求的晶圓才可視為合格品。作為測試等離子清洗效果評估的唯一手段，水滴角測量儀是評估晶圓品質的最有效的工具。2018年以來，中國的芯片行業得到了迅速發展，因而，對于水滴角的測試提出了更高要求。根據水滴角測試基本原理：固體樣品表面因本身存在的
1、半導體產業，設計和制造哪個難度大？制造難度更大些。● 現在兼顧設計和制造的公司比較少；● 只做設計公司很多，一般成為fabless，擁有電腦、軟件和設計工程師就可以完成設計，輸出設計后交由光罩廠、晶圓流片代工廠、封測廠生產器件。● 只做制造的成為fab廠，門
1、半導體產業，設計和制造哪個難度大？制造難度更大些。● 現在兼顧設計和制造的公司比較少；● 只做設計公司很多，一般成為fabless，擁有電腦、軟件和設計工程師就可以完成設計，輸出設計后交由光罩廠、晶圓流片代工廠、封測廠生產器件。● 只做制造的成為fab廠，門
芯片從宏觀到微觀，達到最底層，其實全是晶體管以及連接它們的導線。芯片的制造過程包括芯片設計、晶圓生產和芯片封裝以及測試等環節；1． 芯片設計：芯片設計是行業的頂端，包含電路設計、版圖設計和光罩制作。設計方面的主要環節是電路設計，需要考慮多方面因素以及涉及多元知識結構。版圖設計和光罩可以借助計
4.2.2、多功能 / 低功耗集成電路技術 在半導體外延材料技術和微波單片集成電路工藝不斷進步的推動下 , 微波單片集成電路逐漸向多功能方向發展 , 由于多功能芯片的不同功能電路之間的互連已在內部完成 , 焊點數量大大減少 , 可大幅度縮減芯片體積 , 降低成本 , 提高集成一致性
行業的領先廠商 既然這個材料擁有這么領先的性能，自然在全球也有不少的公司投入其中。首先看日本方面，據半導體行業觀察了解，京都大學投資的Flosfia、NICT和田村制作所投資的Novel Crystal是最領先的Ga2O3供應商。 相關資料顯示，Fl
圖9顯示了基于前面提到的NAND ／D觸發器加權度量的每平方毫米晶體管的邏輯密度。圖9．邏輯密度趨勢。此圖表上繪制了六種類型的制程。直到2014年左右，平面晶體管還是主要的前沿邏輯工藝，其密度每年提高1．33倍，FinFET接管了前沿技術，密度每年提高1．29倍。與FinFET并行，我們已經看到了F
石墨烯材料具有優良的物理特性和易于與硅技術相結合的特點，被學術界和工業界認為是推進微電子技術進一步發展的極具潛力的材料。日前，中國科學院微電子研究所微波器件與集成電路研究室（四室）石墨烯研究小組成員(麻芃、郭建楠、潘洪亮)在金智研究員和劉新宇研究員的帶領下，分別在采用微機械剝離方
近年來，在政策支持和市場需求的雙重拉動下，我國集成電路設計產業得到了快速發展。2019年，在全球半導體市場比較低迷的背景下，我國集成電路設計產業仍然保持穩步增長態勢。根據中國半導體行業協會設計分會統計數據，2019年我國集成電路銷售收入達7,562.3億元，同比增長15.8%。 為推動我國集成
近日，中國科學院大連化學物理研究所催化基礎國家重點實驗室研究員傅強團隊與臺積電（TSMC）Lain-Jong Li團隊、臺灣交通大學Wen-Hao Chang團隊、美國萊斯大學B. I. Yakobson團隊、北京大學教授張艷峰團隊合作，在2英寸晶圓襯底上成功外延生長單晶六方氮化硼（hBN）單層
超聲波掃描顯微鏡，英文是：Scanning Acoustic Microscope，簡稱SAM，由于它的主要工作模式是C模式，因此也簡稱：C-SAM。現在做失效分析的實驗室里，這個設備直接被通稱為C-SAM，就像X射線透射機被通稱為X-Ray一樣。