高精度掩膜對準光刻機
高精度掩膜對準光刻機是一種用于農學、生物學、化學、物理學領域的分析儀器，于2017年11月7日啟用。 技術指標 支持4英寸晶圓；曝光波長：350-450nm；曝光燈功率：350W；分辨率：優于0.8mm（光刻膠厚度1微米時）；套刻精度：0.5mm；光強均勻度：優于±2％；更換汞燈后及汞燈全壽命周期內無需均勻性校正；曝光模式：可支持硬接觸、軟接觸、接近和真空等模式.。 主要功能 光刻設備用于半導體圖形制作，是半導體芯片加工工藝的最初步驟，是半導體圖形制作的第一步是所有半導體應用中的最初和關鍵工藝之一。光刻效果的好壞和使用的穩定性直接影響了微圖形的制作。因此光刻設備為半導體工藝的關鍵設備。......閱讀全文
高精度掩膜對準光刻機
高精度掩膜對準光刻機是一種用于農學、生物學、化學、物理學領域的分析儀器，于2017年11月7日啟用。 技術指標 支持4英寸晶圓；曝光波長：350-450nm；曝光燈功率：350W；分辨率：優于0.8mm（光刻膠厚度1微米時）；套刻精度：0.5mm；光強均勻度：優于±2％；更換汞燈后及汞燈全壽
光刻機的對準系統
制造高精度的對準系統需要具有近乎完美的精密機械工藝，這也是國產光刻機望塵莫及的技術難點之一，許多美國德國品牌光刻機具有特殊ZL的機械工藝設計。例如Mycro N&Q光刻機采用的全氣動軸承設計ZL技術，有效避免軸承機械摩擦所帶來的工藝誤差。 對準系統另外一個技術難題就是對準顯微鏡。為了增強顯微鏡
單面/雙面掩模對準光刻機的相關知識
單面/雙面掩模對準光刻機支持各種標準光刻工藝，如真空，硬，軟接觸和接近式曝光模式，可選擇背部對準方式。此外，該系統還提供其他功能，包括鍵合對準和納米壓印光刻（NIL）。EVG610提供快速處理和重新加工，以滿足不斷變化的用戶需求，轉換時間不到幾分鐘。其先進的多用戶概念適合初學者到專家級各個階層用戶，
手持光刻機如何使用
手動：指的是對準的調節方式，是通過手調旋鈕改變它的X軸，Y軸和thita角度來完成對準，對準精度可想而知不高了；光刻（photolithography）工藝是將掩膜版（光刻版）上的幾何圖形轉移到晶圓表面的光刻膠上。首先光刻膠處理設備把光刻膠旋涂到晶圓表面，再經過分步重復曝光和顯影處理之后，在晶圓上形
光刻機是什么
光刻機（Mask Aligner) 又名：掩模對準曝光機，曝光系統，光刻系統等。常用的光刻機是掩膜對準光刻，所以叫 Mask Alignment System.Photolithography（光刻） 意思是用光來制作一個圖形（工藝）；在硅片表面勻膠，然后將掩模版上的圖形轉移光刻膠上的過程將器件或電
光刻機是什么
1、光刻機（Mask Aligner) 又名：掩模對準曝光機，曝光系統，光刻系統等。常用的光刻機是掩膜對準光刻，所以叫 Mask Alignment System.2、一般的光刻工藝要經歷硅片表面清洗烘干、涂底、旋涂光刻膠、軟烘、對準曝光、后烘、顯影、硬烘、刻蝕等工序。3、Photolithogra
光掩膜版展|2024上海國際光掩膜版展覽會「官網」
展會名稱：2024中國（上海）國際半導體展覽會英文名稱：China (shanghai) int'l Circuit board & Electronic assembly Show 2024展會時間：2024年11月18-20日?論壇時間：2024年11月18-19日?展會地點：上海新國際
接觸式光刻機在涂膠工藝上有哪些特殊之處？
2020年11月25日 17:23 ? 來源: 岱美儀器技術服務（上海）有限公司 ??>>進入該公司展臺分享：? 作為光刻工藝中zuì重要設備之一，接觸式光刻機一次次革命性的突破，使大模集成電路制造技術飛速向前發展。了解提高接觸式光刻機性能的關鍵技術以及了解下一代光刻技術的發展情況是十分重要的。?
光刻機是什么
光刻機又名掩模對準曝光機、曝光系統、光刻系統等，是制造芯片的核心裝備。它采用類似照片沖印的技術，把掩膜版上的精細圖形通過光線的曝光印制到硅片上。光刻機的種類可分為：接觸式曝光、接近式曝光、投影式曝光。 光刻機的工作原理是通過一系列的光源能量、形狀控制手段，將光束透射過畫著線路圖的掩模，經物鏡補
光刻機的定位格柵是什么
時光刻機中的一項核心技術，應用于對半導體襯底進行成像的光刻技術，主要用來確定位置。在目前高端光刻機晶圓臺的亞納米級定位需求中，光柵干涉測量具有較大優勢，測量分辨率可達17pm，長期測量穩定性可達0.22nm，采用先進的二維平面光柵可以實現空間六自由度測量，是14nm及以下光刻工藝制程的重要技術路線。
5nm是物理極限－芯片發展將就此結束？（二）
有外媒報道的勞倫斯伯克利國家實驗室將現有最精尖的晶體管制程從14nm縮減到了1nm，其晶體管就是由碳納米管摻雜二硫化鉬制作而成。不過這一技術成果僅僅處于實驗室技術突破的階段，目前還沒有商業化量產的能力。至于該項技術將來是否會成為主流商用技術，還有待時間檢驗。再來說說光刻機分辨率的事要想做出更
光刻機是什么東西
光刻機（Mask Aligner) 又名：掩模對準曝光機，曝光系統，光刻系統等，是制造芯片的核心裝備。它采用類似照片沖印的技術，把掩膜版上的精細圖形通過光線的曝光印制到硅片上。光刻機的品牌眾多，根據采用不同技術路線的可以歸納成如下幾類：高端的投影式光刻機可分為步進投影和掃描投影光刻機兩種，分辨率通常
800萬！清華大學雙面對準光刻機采購項目公開招標公告
近日，清華大學發布雙面對準光刻機采購項目，詳情如下：項目編號：清設招第2022114號（0873-2201HW3L0236）項目名稱：清華大學企業信息雙面對準光刻機采購項目預算金額：800.0000000 萬元（人民幣）采購需求：1.本次招標共1包：包號名稱數量預算金額（人民幣萬元）是否接受進口產品
Newport用于晶圓和掩膜檢測的運動控制
Newport用于晶圓和掩膜檢測的運動控制 MKS 提供了多種高性能的、適用于晶圓檢測工具和其他運動控制應用的空氣軸承位移臺 , 經驗豐富的 MKS/Newport 應用工程師與 OEM 客戶合作，為正在開發的半導體制造過程提供專門的自動化運動控制解決方案，下文描述這些系統中用于提高精度和
光刻機工作原理和組成
光刻機通過一系列的光源能量、形狀控制手段，將光束透射過畫著線路圖的掩模，經物鏡補償各種光學誤差，將線路圖成比例縮小后映射到硅片上，不同光刻機的成像比例不同，有5:1，也有4:1。然后使用化學方法顯影，得到刻在硅片上的電路圖（即芯片）。一般的光刻工藝要經歷硅片表面清洗烘干、涂底、旋涂光刻膠、軟烘、對準
光刻機怎么制作
第一步：制作光刻掩膜版（Mask Reticle）芯片設計師將CPU的功能、結構設計圖繪制完畢之后，就可將這張包含了CPU功能模塊、電路系統等物理結構的“地圖”繪制在“印刷母板”上，供批量生產了。這一步驟就是制作光刻掩膜版。光刻掩膜版：（又稱光罩，簡稱掩膜版），是微納加工技術常用的光刻工藝所使用的圖
紫外納米壓印光刻機提升我國微納級制造業能力
記者日前從中科院光電技術研究所獲悉，該所微電子專用設備研發團隊已自主研制出一種新型紫外納米壓印光刻機，其成本僅為國外同類設備1/3，將有力推進我國芯片加工等微納級結構器件制造水平邁上新的臺階。 光刻機是微納圖形加工的專用高端設備。光電所微電子裝備總體研究室主任胡松介紹，這套設備采用新型納米對準
讓摩爾定律一再放緩－晶圓廠的cycle－time是什么？（二）
對于切割，芯片制造商使用SADP/SAQP，或雙重曝光工藝。雙重曝光有時被稱為曝光-刻蝕-曝光-刻蝕（LELE）。三重曝光包括LELELE。對于多重曝光中，7nm工藝所進行沉積、蝕刻和清潔步驟是16nm/14nm的兩倍。 Coventor首席技術官David Fried表示：“隨著我
讓摩爾定律一再放緩－晶圓廠的cycle－time是什么？（二）
Dai Nippon Printing（DNP）的研究員Naoya Hayashi說：“TAT更長的原因是寫入時間、檢查時間和驗證時間。”寫入時間是罪魁禍首。如上所述，IC設計要轉換為文件格式。該格式被轉換成電子束掩膜寫入器的一組指令。這個過程稱為掩膜數據準備（MDP）。然后，電子束掩膜寫入
新型光刻機提升微納實用制造水平
中科院光電技術研究所微電子專用設備研發團隊，近日自主研制成功紫外納米壓印光刻機。該機器將新型納米壓印高分辨力光刻技術與紫外光刻技術有機結合，成本僅為國外同類設備的1/3，并在同一加工平臺上實現了微米到納米級的跨尺度圖形加工，使我國微納實用制造水平邁上新的臺階。 光刻機是實現微納圖形加工的專用高
讓摩爾定律一再放緩－晶圓廠的cycle－time是什么？（一）
?從平面器件到finFET的轉變使得芯片制造商能夠將工藝和器件從16nm/14nm向更密集的方向發展，但是行業在每個節點處都面臨諸多挑戰。成本問題和技術問題都是明顯的挑戰。此外，cycle time也在逐漸增加，這是芯片尺寸縮小公式中的一個關鍵但很少宣傳的因素，這為芯片制造商和客戶帶來了更多
光刻壟斷難解，技術難在哪？
經常聽說，高端光刻機不僅昂貴而且還都是國外的，那么什么是光刻機呢？上篇我們聊了從原材料到拋光晶片的制成過程，今天我們就來聊聊什么是光刻～第一步驟的晶體生長機晶片的制造，我們上篇已經聊過了。今天我們要聊的是光刻，我們先簡單聊一聊硅的氧化（熱氧化），刻蝕的話我們后面再講。硅的氧化其中包含了在分立器件和集
飛秒激光無掩膜光刻拓撲結構及細胞球浸潤機制新進展
隨著組織工程領域的發展，生物材料界面與細胞的相互作用及物理機制成為研究熱點。生物界面的拓撲形貌可以有效調控細胞行為并影響細胞功能。而體內的一些生理過程如胚胎發育、免疫應答和組織更新與重塑等往往涉及多細胞的集體行為。腫瘤的侵襲和轉移也與集體細胞的協調運動有關。細胞球作為一種體外三維細胞培養模型，具有強
光刻機原理
光刻機原理： 是利用光刻機發出的光通過具有圖形的光罩對涂有光刻膠的薄片曝光，光刻膠見光后會發生性質變化，從而使光罩上得圖形復印到薄片上，從而使薄片具有電子線路圖的作用。這就是光刻的作用，類似照相機照相。照相機拍攝的照片是印在底片上，而光刻刻的不是照片，而是電路圖和其他電子元件。光刻是集成電路最重要的
光刻機原理
光刻機原理是通過一系列的光源能量、形狀控制手段，將光束透射過畫著線路圖的掩模，經物鏡補償各種光學誤差，將線路圖成比例縮小后映射到晶圓上，最后形成芯片。就好像原本一個空空如也的大腦，通過光刻技術把指令放進去，那這個大腦才可以運作，而電路圖和其他電子元件就是芯片設計人員設計的指令。光刻機就是把芯片制作所
長春光機所極紫外多層膜膜厚分布超高精度控制研究獲進展
近日，中國科學院長春光學精密機械與物理研究所應用光學國家重點實驗室金春水研究團隊在極紫外多層膜膜厚分布超高精度控制研究方面取得新進展：通過采用遺傳算法，實現了Φ200mm曲面基底上極紫外多層膜膜厚分布控制精度優于±0.1%，鍍膜引起的不可補償面形誤差小于0.1nmRMS，相關指標達到國際先進水平
2024中國(上海)國際光掩膜版展覽會(時間/地點/展覽館)
展會名稱：2024中國（上海）國際半導體展覽會英文名稱：China (shanghai) int'l Circuit board & Electronic assembly Show 2024展會時間：2024年11月18-20日?論壇時間：2024年11月18-19日?展會地點：上海新國際
光刻機移動精度怎么控制
光刻機移動精度要在雕刻的過程中，晶圓需要被快速移動,每次移動10厘米來控制。這種誤差級別相當于眨眼之間端著一盤菜從北京天安門沖到上海外灘，恰好踩到預定的腳印上，菜還保持端平不能灑。這種方法也叫視頻圖像處理對準技術，是指在光刻套刻的過程中，掩模圖樣與硅片基板之間基本上只存在相對旋轉和平移，充分利用這一
新能源汽車要對準市場需求
進一步加快新能源汽車產業發展，需要根據消費者收入水平和出行需求等方面的特征，確定不同的細分市場，并進一步理順產業發展的體制機制 根據工信部的最新統計數據，今年前9個月，我國新能源乘用車在新能源汽車總產量中的比例已提高至68.6%，遠高于2013年底45.6%的比例。這表明，私人消費者對新能
光刻機的概述
光刻機（Mask Aligner）是制造微機電、光電、二極體大規模集成電路的關鍵設備。其分為兩種，一種是模板與圖樣大小一致的contact aligner，曝光時模板緊貼晶圓；另一種是利用類似投影機原理的stepper，獲得比模板更小的曝光圖樣。高端光刻機被稱為“現代光學工業之花”，制造難度很大