布什為華人科學家卓以和頒發美國家技術獎章
卓以和為著名材料科學家，美科學院院士和中科院外籍院士 美國總統喬治·W·布什7月27日在白宮為過去兩年間在科技領域取得突破性進展的科學家頒發美國國家科學獎章與國家技術獎章。美籍華裔著名科學家卓以和是30位獲獎者之一。 當天獲獎科學家的研究成果涉及天體物理學、激光技術、氣候學和組織工程等各個領域。 國家技術獎章的獲獎者中包括美籍華裔著名材料科學家卓以和（Alfred Y. Cho），他因對分子束外延技術和高級電子光子設備發展所做的貢獻而獲獎。卓以和1937年生于北京，1955年赴美，現任美國朗訊科技公司貝爾實驗室半導體研究室主任。 卓以和是國際公認的分子束外延與人工微結構材料生長的奠基人與開拓者。他是美國科學院院士和中國科學院外籍院士，被稱為“分子束外延技術之父”。他用研制的新材料最先研究成功10多種極為重要、性能優異的新型微波高速電子器件和光電子器件。 “我們的研究者有的研究冰河，有的分......閱讀全文
布什為華人科學家卓以和頒發美國家技術獎章
卓以和為著名材料科學家，美科學院院士和中科院外籍院士 美國總統喬治·W·布什7月27日在白宮為過去兩年間在科技領域取得突破性進展的科學家頒發美國國家科學獎章與國家技術獎章。美籍華裔著名科學家卓以和是30位獲獎者之一。?當天獲獎科學家的研究成果涉及天體物理學、激光技術、氣候學和組織工程等各個領域。?
分子束外延（MBE)
分子束外延設備有很多種。但就其主要結構而論是大同小異的。分子束外延的設備較其他外延技術的設備復雜，要包括超高真空系統努森箱及各種分析儀器。從MBE技術的發展過程看，當初主要是為開發以GaAs為中心的Ⅲ-V族化合物半導體，而后是針對Ⅱ-Ⅵ族和Ⅳ-Ⅵ族化合物半導體，最近正轉向針對Si半導體器件的應用
分子束外延（MBE）裝置
MBE裝置由樣品進樣室、預處理分析室和牛K竄等組成。竄間用閘扳閥隔開，以確保生長室的超高真空與清潔。 根據MBE系統的幾何結構相應地配置真空系統。根據要求，3個室的真空配置的配置泵的系統并非一樣： (1)進樣室。真空度為1.33 x10-6~1 33 x10-8Pa。在l 33×10-6~1
分子束外延要點解析
一、分子束外延 (Molecular Beam Epitaxy，MBE)簡介 在超高真空環境下， 使具有一定熱能的一種或多種分子 (原子) 束流噴射到晶體襯底 ，在襯底表面發生反應的過程，由于分子在 "飛行"過程中幾乎與環境氣體無碰撞 ，以分 子束的形式射向襯底 ，進行外延生長， 故此而得名。
分子束外延（MBE）的特點
（1）生長速率極慢，大約1um/小時，相當于每秒生長一個單原子層，因此有利于實現精確控制厚度、結構與成分和形成陡峭的異質結構等。實際上是一種原子級的加工技術，因此MBE特別適于生長超晶格材料。 （2）外延生長的溫度低，因此降低了界面上熱膨脹引入的晶格失配效應和襯底雜質對外延層的自摻雜擴散影響。
分子束外延（MBE）解析及原理
分子束外延技術是在半導體工藝中近十幾年來發展起來的一項新技術，它是在超高真空條件下，類似于真空蒸發鍍把構成晶體的各個組分和予摻雜的原子(分子)，以一定的熱運動速度，按一定的比例從噴射爐中噴射到基片上去進行晶體外延生長而制備單晶膜的一種方法。簡稱MBE法 分子束外延，就是在超高真空系統中把所需要
影響分子束外延（MBE）的因素
1、外延溫度 為了引起外延，基片的溫度應達到某一溫度值，即有必要加熱到外延溫度以上，當溫度低于外延溫度時則不能引起外延。而且外延溫度還與其他條件有關，不同條件下的外延溫度是不同的。 2、基片結晶的臂開 在過去的常規研究方面，基片結晶是在大氣下臂開(機械折斷產生結晶面)而后放入真空裝置中來制
分子束外延（MBE）的發展前景
分子束外延自20世紀60年代末在真空蒸鍍的基礎上產生以來，發展十分迅速。其中之一是引入氣態的分子束源，構成所謂化學束外延(CBE)。用砷烷(AsH3)和磷烷(PH3)生長InGaAsP等四元材料，或將金屬有機化合物引入分子束源形成所謂金屬有機化合物分子束外延(MOMBE)。這兩項新技術是把MBE
EpiQuest真空互聯分子束外延系統(金屬）共享
儀器名稱：真空互聯-分子束外延系統(金屬）儀器編號：21028618產地：日本生產廠家：EpiQuest Inc型號：RC2100Me出廠日期：購置日期：2021-11-18所屬單位：集成電路學院>微納加工平臺>真空互聯放置地點：微電子學研究所南平房實驗室108號固定電話：010-62784044固
EpiQuest真空互聯分子束外延系統(半導體）共享應用
儀器名稱：真空互聯-分子束外延系統(半導體）儀器編號：21028773產地：日本生產廠家：EpiQuest Inc型號：RC2100Se出廠日期：購置日期：2021-11-18所屬單位：集成電路學院>微納加工平臺>真空互聯放置地點：微電子學研究所南平房實驗室108號固定電話：010-62784044
分子束外延碲鎘汞薄膜中VOID缺陷的研究
HgCdTe薄膜中的Void缺陷嚴重影響面陣器件的有效元數。對用分子束外延法在GaAs襯底上生長的HgCdTe薄膜中的Void缺陷進行了形貌、剖面觀測和能譜分析。襯底表面狀況和HgCdTe生長過程中的Hg/Te束流比及襯底溫度決定了Void缺陷的密度和尺寸。在比較優化的條件下，可將Void缺陷密度降
渦輪分子泵分子束外延－MBE－與掃描隧道顯微鏡－STM－聯用
Pfeiffer 分子泵應用于分子束外延 MBE 與掃描隧道顯微鏡 STM 聯用系統 --分析生長晶體表面結構 分子束外延 MBE 是一種晶體生長技術, 將半導體襯底放置在超高真空腔體中, 和將需要生長的單晶物質按元素的不同分別放在噴射爐中, 由分別加熱到相應溫度的各元素噴射出的分子流能
著名材料研究專家卓以和：從事科學研究要學會冒險探索
10月11日，由中科院研究生院和高等教育出版社主辦的“中國科學與人文論壇”第66場主題報告會在京舉行。美國AT&T公司貝爾實驗室半導體研究所所長、美國科學院院士、美國工程院院士、中國科學院外籍院士卓以和教授在報告會上作了題為《分子束外延的發明和造福于人類》的報告。?卓以和是分子束外延、人工微結構材料
南方科技大學采購激光氧化還原分子束外延聯合系統
公告信息：采購項目名稱物理系激光-氧化-還原分子束外延聯合系統采購項目（重新采購第1次品目貨物/通用設備/儀器儀表/其他儀器儀表采購單位南方科技大學行政區域廣東省公告時間2022年11月21日 16:40獲取招標文件時間2022年11月22日至2022年11月28日每日上午:8:00 至 12:00
美國總統布什再次否決干細胞法案
美國總統布什日前否決了一項增加在聯邦資助的研究中使用人類胚胎干細胞系數目的法案。盡管布什的此次否決與其2001年8月9日宣布的一貫立場一致，但是仍然激起了正反兩方的強烈反響。?華盛頓特區醫學研究促進會（The Coalition for the Advancement of Medical
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據美國中文網報道，中國一年一度的高考剛過一周，近千萬學生還在等待放榜。大洋彼岸美國的新罕布什爾大學(University of New Hampshire)在近日宣布，將從2019年春季學期起，開始接受中國學生用高考成績來申請該校。 據悉，新罕布什爾大學已經為“高考錄取項目”建立了中文網頁。這
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碳布什么意思
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諾貝爾和平獎頒獎儀式近日在挪威首都奧斯陸舉行，政府間氣候變化專門委員會(IPCC)獲得2007年度諾貝爾和平獎，其主要貢獻是近20年來IPCC先后4次發布評估報告，告誡世人全球氣候變化的重要性，以及目前氣候變暖的主要原因是人類活動所致，并提出了阻止氣候繼續變暖趨勢的對策與方法。經外交部批準，IPCC