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    電子級二維半導體與柔性電子器件研究新進展

    在半導體器件不斷小型化和柔性化的趨勢下,以二硫化鉬(MoS2)等過渡金屬硫屬化合物(TMDC)為代表的二維半導體材料顯示出獨特優勢,具有超薄厚度(單原子層或少原子層)和優異的電學、光學、機械性能及多自由度可調控性,使其在未來更輕、更薄、更快、更靈敏的電子學器件中具有優勢。然而,現階段以器件應用為背景的單層二硫化鉬研究仍存在兩個關鍵問題:材料制備,即如何獲得高質量大尺度的二硫化鉬晶圓;器件工藝,即如何實現高密度、高性能、大面積均一的器件加工,這是新型半導體材料從實驗室走向市場要經歷的共性問題,若能解決其高質量規模化制備和集成器件性能調控的關鍵科學障礙,將推動二維半導體材料的應用發展進程,給柔性電子產業注入新的發展動力。 中國科學院物理研究所/北京凝聚態物理國家研究中心研究員張廣宇課題組致力于高質量二維材料的外延、能帶調控、復雜結構疊層、功能電子器件和光電器件的研究。近期,該組博士生王琴琴等在張廣宇的指導下,利用自主設計搭建的......閱讀全文

    拉伸二硫化鉬晶體造出能隙可變半導體

       這張放大1萬倍的圖片顯示,一個電子器件上雕刻出了高低不平的“山峰”和“山谷”,鋪在上面的二硫化鉬經過拉伸后,形成了一種擁有可變能隙的人工晶體。  近日,美國斯坦福大學一科研團隊首次通過拉伸二硫化鉬的晶體點陣,“扯”出能隙可以變化的半導體。利用這種半導體,科學家有望制造出能夠吸收更多光能的太陽能

    半導體所等證實單層二硫化鉬谷圓偏振光吸收性質

      《自然—通訊》(Nature Communications)最近發表了北京大學國際量子材料科學中心(馮濟研究員和王恩哥教授為通訊作者)與中國科學院物理研究所和半導體研究所合作的文章Valley-selective circular dichroism of monolayer m

    半導體技術新突破:輕薄體軟易傳導

    將二硫化鉬作為 2D 半導體材料有一項非常優異的性能,那就是它們很容易彎曲。電子在這樣的半導體中可以快速移動。同時,因為只有大約一個原子的厚度,這類半導體是透明的。這些特點讓它們成為制作柔性 OLED 顯示屏的理想材料。然而,當生產商試圖將二硫化鉬加工到控制 OLED 像素的晶體

    美國科學家發現光激發下單層二硫化鉬導電能力下降

      美國麻省理工學院和哈佛大學的研究人員發現,單層二硫化鉬半導體在光激發下導電能力下降。利用這一新的光電導機制有望研制下一代激子設備。該發現發表在近日的《物理評論快報》上。  眾所周知,電腦芯片及太陽能電池中使用的硅半導體在光的照射下,其導電能力增強。麻省理工學院和哈佛大學的研究人員發現,在強烈的激

    物理所實現多層MoS2外延晶圓推動二維半導體的器件應用

      以二硫化鉬為代表的二維半導體材料,因其極限的物理厚度、極佳的柔性/透明性,是解決當前晶體管微縮瓶頸及構筑速度更快、功耗更低、柔性透明等新型半導體芯片的一類新材料。近年來,國際上已在單層二硫化鉬的晶圓制備及大面積器件構筑方面不斷突破,在晶圓質量和器件性能方面逐漸逼近極限。例如,中國科學院物理研究所

    關于鋰電池二硫化鉬的發展的介紹

      盡管石墨烯有著許多令人眼花繚亂的優點,但它也有缺點,尤其是不能充當半導體——這是微電子的基石。化學家和材料學家正在努力越過石墨烯,尋找其他的材料。他們正在合成其他兩種兼具柔韌性和透明度,而且擁有石墨烯無法企及的電子特性的二維片狀材料,二硫化鉬就是其中一種。  二硫化鉬于2008年合成,是叫作過渡

    電子級二維半導體與柔性電子器件研究新進展

      在半導體器件不斷小型化和柔性化的趨勢下,以二硫化鉬(MoS2)等過渡金屬硫屬化合物(TMDC)為代表的二維半導體材料顯示出獨特優勢,具有超薄厚度(單原子層或少原子層)和優異的電學、光學、機械性能及多自由度可調控性,使其在未來更輕、更薄、更快、更靈敏的電子學器件中具有優勢。然而,現階段以器件應用為

    二硫化鉬摩擦離子電子學晶體管研究獲進展

      兩種不同材料接觸分離可產生靜電荷并引發一個摩擦靜電場,該摩擦電場可以驅動自由電子在外部負載流通,得到脈沖輸出信號。一方面,摩擦納米發電機 (TENG) 就是利用了這種脈沖信號實現了將外部環境機械能轉換成電能,近期在許多領域實現了許多突破性進展,包括從多種機械運動獲取能源、自驅動機械感應系統、高靈

    全球最小晶體管拋棄硅材料

      北京時間10月7日晚間消息,美國勞倫斯伯克力國家實驗室(以下簡稱“伯克力實驗室”)教授阿里-加維(Ali Javey)領導的一個研究小組日前利用碳納米管和一種稱為二硫化鉬的化合物開發出了全球最小的晶體管。  晶體管由三個終端組成:源極(Source)、漏極(Drain)和柵極(Gate)。電流從

    超薄二硫化鉬強力挑戰石墨烯

      英國南安普敦大學的一組研究人員開發出一種石墨烯的替代材料。除了與石墨烯一樣具備極佳的導電性能和超強的硬度外,該材料還具備發光特性,目前已經能夠實現超過1000平方毫米的大面積生產,有望成為石墨烯有力的挑戰者。相關論文發表在最新一期《納米尺度》雜志上。  石墨烯,這種由碳原子組成的單層材料,由于具

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