<li id="omoqo"></li>
  • <noscript id="omoqo"><kbd id="omoqo"></kbd></noscript>
  • <td id="omoqo"></td>
  • <option id="omoqo"><noscript id="omoqo"></noscript></option>
  • <noscript id="omoqo"><source id="omoqo"></source></noscript>
  • Antpedia LOGO WIKI資訊

    黑磷摻雜改性研究取得進展

    黑磷,作為新型的二維材料,具有可調的帶隙(通過厚度調控)以及大于1000 cm2V-1s-1的電子遷移率,既能彌補石墨烯零帶隙的不足,也能克服TMDCs載流子遷移率低的缺點,是高性能的納米電子器件的優秀候選材料。本征黑磷是P型材料,空穴傳輸能力強,但電子傳輸能力很差。單極性特性使黑磷很難在互補型器件上發揮作用。因此,對黑磷進行N型摻雜是黑磷應用于半導體器件領域(如邏輯門、光電二極管、LED和太陽能電池等)的重要措施。 現有對黑磷進行N型摻雜的方法有三種。取代摻雜法,包括離子注入和等離子體處理等;表面電荷轉移法,涉及氣體分子、金屬顆粒、有機物和氧化物;場致摻雜法,取代摻雜法可使少數二維材料完成N型摻雜,但會引入缺陷態以及電荷雜質散射中心導致載流子傳輸特性嚴重衰減。表面電荷轉移法是一種有效摻雜的方法,但表面電荷轉移法中引進的有機物等材料會導致器件不穩定還使得器件與傳統半導體器件的兼容性差。場致摻雜中常用到的SixNy擁有高密度......閱讀全文

    黑磷摻雜改性研究取得進展

      黑磷,作為新型的二維材料,具有可調的帶隙(通過厚度調控)以及大于1000 cm2V-1s-1的電子遷移率,既能彌補石墨烯零帶隙的不足,也能克服TMDCs載流子遷移率低的缺點,是高性能的納米電子器件的優秀候選材料。本征黑磷是P型材料,空穴傳輸能力強,但電子傳輸能力很差。單極性特性使黑磷很難在互補

    鐵族元素摻雜改性二氧化鈦研究獲進展

      近年,高效無毒的光催化劑——二氧化鈦(TiO2)納米材料用于有機物環境污染降解方面的研究,受到了世界各國科研工作者的廣泛關注。而由于TiO2存在帶隙寬的自身缺陷,造成其對可見光及光激發電荷的利用率較低,限制了其實際應用范圍。元素“摻雜”是改善該材料缺陷的一種有效途徑和方法之一。因此,對于系統探索

    沈陽生態所在二維黑磷環境行為研究方面取得進展

      黑磷作為后石墨烯時代光、電性能最優良的二維材料之一,自2014年出現以來,短短幾年內即迅速吸引了世界各國研究人員的關注。目前,黑磷不僅在光電器件和生物醫學領域備受青睞,同時在環境污染治理等領域也表現出非凡的應用潛力。   中國科學院沈陽應用生態研究所研究員趙青及學科組近年來一直致力于二維黑磷

    過程工程所改性碳材料增強臭氧氧化研究取得進展

      隨著我國經濟快速發展,水體污染和水資源匱乏問題愈發突出。工業廢水外排污染物漸趨復雜,所含難生物降解污染物在自然界遷移轉化過程中,易通過食物鏈進入人體和動物,在較低濃度下即對健康造成危害。面對日益迫切的水污染治理與防控需求,開發高效深度處理技術成為當務之急。非均相催化臭氧氧化技術利用臭氧分子和羥

    寧波材料所在氮摻雜納米碳材料研究方面取得進展

      氮摻雜納米碳材料研究已經成為國際碳材料領域的熱點之一,這主要是因為氮原子比碳原子多一個價電子,氮摻雜進入石墨的六元環結構后可形成吡啶、吡咯、石墨氮、吡啶氧化物等含氮官能團,不僅可以提高納米碳材料的表面化學活性,還可對其電子結構進行調節。在眾多納米碳材料中,空心碳球具有低密度、高比表面積、可填充空

    稀土摻雜氟化物中紅外激光晶體研究取得進展

      1.8~3 μm中紅外激光由于具備處于大氣窗口波段、對人眼安全、對大氣分子敏感以及液態水分子強吸收等特性,在雷達、激光通信、環境監測以及高精度手術等領域具有重要的應用價值。近日,中國科學院上海硅酸鹽研究所研究員蘇良碧課題組與山東師范大學、山東大學、哈爾濱工業大學等機構合作,基于“稀土發光離子局

    氮摻雜石墨烯量子點在雙光子熒光成像研究取得進展

      雙光子熒光成像技術具有近紅外激發、避免光毒作用和光漂白、自發熒光干擾弱及較深的組織穿透深度等優點,在生物醫藥領域研究中受到極大關注。開發具有高雙光子吸收截面、生物相溶性好的材料作為雙光子熒光探針,是活細胞和深層組織成像研究領域的關鍵和熱點。   國家納米科學中心宮建茹研究組以氧化石墨烯為前驅體

    國家納米科學中心石墨烯可控摻雜研究取得新進展

      石墨烯,這一2004年發現的碳晶體家族中的新成員,集多種優異特性于一身,其電子遷移率高于硅材料兩個級數表明石墨烯有望替代半導體工業中的硅材料。然而,石墨烯為零帶隙半導體,因此能否有效調控其電學性質決定著這種新材料在微電子等行業的應用前途。   摻雜被認為是調控石墨烯電學性質的

    半導體所二維半導體磁性摻雜研究取得進展

      近年來,二維范德華材料如石墨烯、二硫化鉬等由于其獨特的結構、物理特性和光電性能而被廣泛研究。在二維材料的研究領域中,磁性二維材料具有更豐富的物理圖像,并在未來的自旋電子學中有重要的潛在應用,越來越受到人們的關注。摻雜是實現二維半導體能帶工程的重要手段,如果在二維半導體材料中摻雜磁性原子,則這些材

    深圳先進院等在黑磷光伏器件研究中取得新進展

      近日,中國科學院深圳先進技術研究院研究員喻學鋒與中南大學冶金與環境學院副教授楊英以及物理與電子學院副教授肖思等合作,在黑磷光伏器件應用領域取得進展。相關論文Black phosphorus quantum dots based photocathodes in wideband bifacia

    <li id="omoqo"></li>
  • <noscript id="omoqo"><kbd id="omoqo"></kbd></noscript>
  • <td id="omoqo"></td>
  • <option id="omoqo"><noscript id="omoqo"></noscript></option>
  • <noscript id="omoqo"><source id="omoqo"></source></noscript>
  • 1v3多肉多车高校生活的玩视频