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    基于兩級di/dt檢測IGBT模塊短路策略(一)

    為了解決傳統VCE在檢測大功率絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)模塊的短路故障時存在的問題,在分析了IGBT短路特性的基礎上,提出了一種基于兩級電流變化率(di/dt)檢測IGBT兩類短路故障的策略。該策略可以使驅動器更早地采取保護措施,限制IGBT的短路電流和短路功耗,減小關斷尖峰電壓。基于3 300 V/1 200 A IGBT模塊的短路實驗結果證明了該策略的有效性和可行性。 IGBT是一種先進的功率開關器件,兼有GTR高電流密度、低飽和電壓和高耐壓的優點以及MOSFET高輸入阻抗、高開關頻率、單極型電壓驅動和低驅動功率的優點[1]。近年來,IGBT已經在汽車電子、機車牽引和新能源等各個領域獲得廣泛的應用。由于大功率IGBT模塊通常工作在高壓大電流的條件下,在系統運行的過程中,IGBT模塊會出現短路損壞的問題,嚴重影響其應用。因此,IGBT短路檢測與保護是其中的一項關鍵技術。而大功率IGBT模塊的短路檢測和保護......閱讀全文

    基于兩級di/dt檢測IGBT模塊短路策略(一)

      為了解決傳統VCE在檢測大功率絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)模塊的短路故障時存在的問題,在分析了IGBT短路特性的基礎上,提出了一種基于兩級電流變化率(di/dt)檢測IGBT兩類短路故障的策略。該策略可以使驅動器更早地采取保護措施,限制IGBT的短路電流和短路功耗,減小關斷尖峰電壓。基

    基于兩級di/dt檢測IGBT模塊短路策略(三)

      傳統使用VCE進行短路檢測時,因需兼顧檢測一類短路和二類短路的需要,VCE需要較高的閾值,這使得驅動器只能在IGBT退飽和時的VCE快速上升階段檢測到IGBT的短路狀態。利用兩級di/dt分別檢測兩類短路,會在VCE檢測盲區時間內就檢測到兩類短路狀態。因此,無論是一類短路還是二類短路,利

    基于兩級di/dt檢測IGBT模塊短路策略(二)

      IGBT發生短路時的電流是額定電流的8~10倍[4]。如果不能夠快速地檢測到短路故障,同時配合適當的軟關斷保護措施,IGBT將會被損壞。  2、 兩級di/dt檢測短路原理  封裝后的IGBT模塊內部有兩個發射極,一個是輔助e極,另一個是功率E極,輔助e極和功率E極之間有一個小于10 n

    基于兩級di/dt檢測IGBT模塊短路策略(四)

      圖5為本文設計的兩級di/dt分別檢測兩類短路的波形。通過觀察圖5(a)實驗波形可知,發生一類短路后開通約2.4 μs時,第二級di/dt已檢測出一類短路狀態并將短路信號送給前級CPLD,驅動器采取相應的軟關斷措施將電流最大值限制在3.16 kA,短路持續時間為2 μs,短路損耗

    IGBT短路保護電路的設計

    固態電源的基本任務是安全、可靠地為負載提供所需的電能。對電子設備而言,電源是其核心部件。負載除要求電源能供應高質量的輸出電壓外,還對供電系統的可靠性等提出更高的要求。IGBT是一種目前被廣泛使用的具有自關斷能力的器件,開關頻率高,廣泛應用于各類固態電源中。但如果控制不當,它很容易損壞。一般認

    IGBT的檢測方法(一)

      IGBT有三個電極,分別稱為柵極G(也叫控制極或門極)、集電極C(亦稱漏極)及發射極E(也稱源極)。  一、用指針式萬用表對場效應管進行判別  (1)用測電阻法判別結型場效應管的電極  根據場效應管的PN結正、反向電阻值不一樣的現象,可以判別出結型場效應管的三個電極。具體方法:將萬用表撥

    高精度igbt功率模塊推拉力測試機

    型號:LB:8500L??產品優勢:1.采用測試工位自動模式,在軟件選擇測試工位后,系統自動到達對應工作位。2.三個工作傳感器,采用獨立采集系統,保證測試精度。3.每項傳感器采用獨立防碰撞及過力保護系統。4.每項測試工位采用獨立安全限位及限速功能。5.人性化的操作界面,人員操作方便。6.高精度傳感系

    國內最高性能IGBT芯片及模塊問世

      近日,由中國南車株洲所主持研制的國內最大電壓等級、最高功率密度的6500伏高壓 IGBT芯片及其模塊首次向外界亮相,并通過成果鑒定,刷新了1年前該公司自主研制的3300伏IGBT芯片電壓等級和功率密度紀錄。鑒定專家一致認為,該項目成果總體技術處于國際領先水平,代表了我國功率半導體器件行業IG

    IGBT的檢測方法(二)

      二、場效應管的使用注意事項  (1)為了安全使用場效應管,在線路的設計中不能超過管的耗散功率,最大漏源電壓、最大柵源電壓和最大電流等參數的極限值。  (2)各類型場效應管在使用時,都要嚴格按要求的偏置接人電路中,要遵守場效應管偏置的極性。如結型場效應管柵源漏之間是PN結,N溝道管柵極不能

    IGBT的檢測方法(三)

      注意事項:  (1)VMOS管亦分N溝道管與P溝道管,但絕大多數產品屬于N溝道管。對于P溝道管,測量時應交換表筆的位置。  (2)有少數VMOS管在G-S之間并有保護二極管,本檢測方法中的1、2項不再適用。  (3)目前市場上還有一種VMOS管功率模塊,專供交流電機調速器、逆變器使用。例

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