天大首次用物理方法取得納米級別半導體材料
4年前實驗室人員的一個疏忽，卻導致了一個意外發現，最終成就了一個世界首創的工藝。最近，天津大學材料學院量子點材料與器件研究組開發出了環保高效的單分散量子點合成新工藝，成果發表在《Nature Communications》(《自然通信》)雜志上，這是世界上首次報道用物理方法合成單分散量子點，與化學方法相比更加高效。 論文通訊作者、天津大學材料學院教授杜希文說，當半導體材料直徑在幾納米大小時，可表現出許多獨特的物理性質。如大家熟知的硅，正常體積下將太陽能轉換電能的最高效率為33%，但是當硅的體積為4納米左右時，效率可以提高到66%。有的材料則能發出特別光，如果在腫瘤的抗體藥物上攜帶納米級別的發光材料，可以非常準確地標記出腫瘤的位置，為醫生判斷病情、尋找病灶提供幫助。正是因為這些量子點(又稱為半導體納米晶)具備這樣神奇的能力，因此目前是各國科研人員研發的熱點。 杜希文說，傳統的機械工藝最多能將半導體材料......閱讀全文
王占國：半導體材料將走向“納米化”
半導體照明5年后進入千家萬戶、上百位的密碼幾秒鐘就計算出來、人類進入變幻莫測的量子世界……日前，在中國科技館數百位參加科學講壇的聽眾前，中科院院士、中科院半導體研究所研究員王占國展示了半導體材料的驚人魅力。 半導體是介于導體和絕緣體之間的材料。自1947年12月23日正式發明后，在家電、通
納米所與索尼聯合研發半導體材料與器件
6月23日下午，中科院蘇州納米技術與納米仿生研究所與索尼公司半導體材料與器件合作項目啟動簽約儀式在蘇州納米所舉行。研究所所長楊輝代表蘇州納米所與索尼公司高級副總裁熊谷簽訂合作協議，同時，索尼公司將向蘇州納米所提供分子束外延（MBE）裝置的免費使用權。中科院副院長施爾畏，蘇州工業園
王占國院士：半導體材料將走向“納米化”
半導體照明5年后進入千家萬戶、上百位的密碼幾秒鐘就計算出來、人類進入變幻莫測的量子世界……日前，在中國科技館數百位參加科學講壇的聽眾前，中科院院士、中科院半導體研究所研究員王占國展示了半導體材料的驚人魅力。 半導體是介于導體和絕緣體之間的材料。自1947年12月23日正式發明后，
天大首次用物理方法取得納米級別半導體材料
4年前實驗室人員的一個疏忽，卻導致了一個意外發現，最終成就了一個世界首創的工藝。最近，天津大學材料學院量子點材料與器件研究組開發出了環保高效的單分散量子點合成新工藝，成果發表在《Nature Communications》(《自然通信》)雜志上，這是世界上首次報道用物理方法合成單
挪威研制最新半導體新材料砷化鎵納米線
挪威科技大學的研究人員近日成功開發出一種新型半導體工業復合材料“砷化鎵納米線”，并申請了技術ZL，該復合材料基于石墨烯，具有優異的光電性能，在未來半導體產品市場上將極具競爭性，這種新材料被認作有望改變半導體工業新型設備系統的基礎。該項技術成果刊登在美國科學雜志納米快報上。 以Helge W
什么是半導體材料？常見半導體材料有哪些？
半導體材料是什么？半導體材料（semiconductor material）是一類具有半導體性能（導電能力介于導體與絕緣體之間，電阻率約在1mΩ·cm～1GΩ·cm范圍內）、可用來制作半導體器件和集成電路的電子材料。自然界的物質、材料按導電能力大小可分為導體、半導體和絕緣體三大類。半導體的電阻率在1
半導體光催化納米材料的形貌及晶面效應研究獲進展
在中國科學院“百人計劃”項目支持下，中國科學院蘭州化學物理研究所能源與環境納米催化材料課題組在半導體光催化材料形貌及晶面設計合成研究領域取得新進展。 該研究工作利用銀氨絡離子([Ag(NH3)2]+)為前驅體，通過合理控制Ag+離子釋放速率制備出具有單晶結構的Ag3PO4亞微米
半導體材料的概念
半導體材料（semiconductor material）是一類具有半導體性能（導電能力介于導體與絕緣體之間，電阻率約在1mΩ·cm～1GΩ·cm范圍內）、可用來制作半導體器件和集成電路的電子材料。
半導體材料的定義
半導體材料（semiconductor material）是一類具有半導體性能（導電能力介于導體與絕緣體之間，電阻率約在1mΩ·cm～1GΩ·cm范圍內）、可用來制作半導體器件和集成電路的電子材料。
什么是半導體材料？
半導體材料（semiconductormaterial）是導電能力介于導體與絕緣體之間的物質。半導體材料是一類具有半導體性能、可用來制作半導體器件和集成電的電子材料，其電導率在10（U-3）～10（U-9）歐姆/厘米范圍內。
半導體材料的特性
半導體材料的特性：半導體材料是室溫下導電性介于導電材料和絕緣材料之間的一類功能材料。靠電子和空穴兩種載流子實現導電，室溫時電阻率一般在10-5～107歐·米之間。通常電阻率隨溫度升高而增大；若摻入活性雜質或用光、射線輻照，可使其電阻率有幾個數量級的變化。此外，半導體材料的導電性對外界條件（如熱、光、
半導體熱電材料
? 半導體熱電材料（英文名：semiconductor thermoelectric material）指具有較大熱電效應的半導體材料，亦稱溫差電材料。它能直接把熱能轉換成電能，或直接由電能產生致冷作用。? ? 1821年，德國塞貝克（see—beck）在金屬中發現溫差電效應，僅在測量溫度的溫差電偶
《納米快報》：一維半導體納米結構光子學
在基金委青年基金、納米重點項目和國家納米測試基金及973課題的支持下，湖南大學納米技術研究中心潘安練、鄒炳鎖教授等團隊成員和北京大學、國家納米中心以及德國馬普研究所合作，在一維半導體納米結構光子學的研究上取得了重大突破：首次正式提出了半導體一維納米結構中光子輸運的概念，建立光傳播的理論模型，并在實驗
新型半導體工業復合材料“砷化鎵納米線”獲得技術ZL
近日挪威科技大學的研究人員成功開發出一種新型半導體工業復合材料“砷化鎵納米線”，并申請了技術ZL，該復合材料基于石墨烯，具有優異的光電性能，在未來半導體產品市場上將極具競爭性，這種新材料被認作有望改變半導體工業新型設備系統的基礎。該項技術成果刊登在美國科學雜志納米快報上。 以Helge
福建物構所半導體納米異質結光催化材料研究取得進展
不同反應階段SnO2/α-Fe2O3半導體異質結的SEM圖(a)反應30分鐘；(b)反應100分鐘；(c)反應120分鐘；(d)反應180分鐘 異質結通常由兩種不同的半導體單晶材料通過異質外延生長復合而成，具有不同于單一半導體的理化特性。由于納米效應，納米尺度的半
2024深圳半導體展會|半導體材料展會|半導體設備展會|
參展申請:2024深圳半導體展會 2024深圳國際半導體展火熱招商中? 深圳半導體展|半導體芯片展會|半導體材料設備展覽會? 2024中國(深圳)國際半導體展覽會? 2024中國深圳半導體展會|半導體材料與設備制造展 深圳·2024半導體博覽會 深圳半導體顯示博覽會2024_官網? 深圳半導體展|2
半導體展會2024半導體展|半導體設備展|2024半導體材料展
深圳電子元器件展，電子儀器儀表展，深圳電子儀器儀表展，電子元器件展，深圳電子設備展，電子設備展，電子元器件展覽會，電子儀器展，深圳電子儀器展，電儀器展覽會，深圳繼電器展，深圳電容器展，深圳連接器展，深圳集成電路展2024中國（深圳）國際半導體與封裝設備展覽會2024 China (Shenzhen)
福建物構所稀土摻雜半導體納米發光材料研究取得新進展
稀土摻雜TiO2納米晶敏化發光和上轉換發光示意圖 稀土離子和半導體納米晶(或量子點)本身都是很好的發光材料，二者的有效結合能否生出新型高效發光或激光器件一直是國內外學者關注的科學問題。與絕緣體納米晶相比，半導體納米晶的激子玻爾半徑要大得多，因此量子限域效應對摻雜半導體納米晶發光
納米服裝，真的有納米材料嗎？
越來越多的高科技已經進入到我們日常生活之中，比如納米服裝。將納米級的微粒覆蓋在纖維表面或鑲嵌在纖維甚至分子間隙間，利用納米微粒表面積大、表面能高等特點，在物質表面形成一個均勻的、厚度極薄的（肉眼觀察不到、手摸感覺不到）、間隙極小（小于100nm）的‘氣霧狀’保護層。使得常溫下尺寸遠遠大于100nm的
半導體展會2024上海半導體展|半導體設備展|2024半導體材料展
展會名稱：2024中國（上海）國際半導體展覽會英文名稱：China (shanghai) int'l Circuit board & Electronic assembly Show 2024展會時間：2024年11月18-20日?論壇時間：2024年11月18-19日?展會地點：上海新國際
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化合物半導體材料的材料優勢
化合物半導體集成電路的主要特征是超高速、低功耗、多功能、抗輻射。以GaAs為例，通過比較可得：1.化合物半導體材料具有很高的電子遷移率和電子漂移速度，因此，可以做到更高的工作頻率和更快的工作速度。2.肖特基勢壘特性優越，容易實現良好的柵控特性的MES結構。3.本征電阻率高，為半絕緣襯底。電路工藝中便
半導體材料的基本特性
自然界的物質、材料按導電能力大小可分為導體、半導體和絕緣體三大類。半導體的電阻率在1mΩ·cm～1GΩ·cm范圍（上限按謝嘉奎《電子線路》取值，還有取其1/10或10倍的；因角標不可用，暫用當前描述）。在一般情況下，半導體電導率隨溫度的升高而降低。
半導體材料的應用介紹
制備不同的半導體器件對半導體材料有不同的形態要求，包括單晶的切片、磨片、拋光片、薄膜等。半導體材料的不同形態要求對應不同的加工工藝。常用的半導體材料制備工藝有提純、單晶的制備和薄膜外延生長。所有的半導體材料都需要對原料進行提純，要求的純度在6個“9”以上，最高達11個“9”以上。提純的方法分兩大類，
半導體材料的早期應用
半導體的第一個應用就是利用它的整流效應作為檢波器，就是點接觸二極管（也俗稱貓胡子檢波器，即將一個金屬探針接觸在一塊半導體上以檢測電磁波）。除了檢波器之外，在早期，半導體還用來做整流器、光伏電池、紅外探測器等，半導體的四個效應都用到了。從1907年到1927年，美國的物理學家研制成功晶體整流器、硒整流
常見的半導體材料介紹
常見的半導體材料有硅、鍺、砷化鎵等，硅是各種半導體材料應用中最具有影響力的一種。
半導體材料的基本特性
自然界的物質、材料按導電能力大小可分為導體、半導體和絕緣體三大類。半導體的電阻率在1mΩ·cm～1GΩ·cm范圍（上限按謝嘉奎《電子線路》取值，還有取其1/10或10倍的；因角標不可用，暫用當前描述）。在一般情況下，半導體電導率隨溫度的升高而降低。
常用的半導體材料介紹
常用的半導體材料分為元素半導體和化合物半導體。元素半導體是由單一元素制成的半導體材料。主要有硅、鍺、硒等，以硅、鍺應用最廣。化合物半導體分為二元系、三元系、多元系和有機化合物半導體。二元系化合物半導體有Ⅲ-Ⅴ族（如砷化鎵、磷化鎵、磷化銦等）、Ⅱ-Ⅵ族（如硫化鎘、硒化鎘、碲化鋅、硫化鋅等）、 Ⅳ-Ⅵ族
半導體材料的提純方法
提純方法可分化學法和物理法。化學提純是把材料制成某種中間化合物以便系統地除去某些雜質，最后再把材料（元素）從某種容易分解的化合物中分離出來。物理提純常用的是區域熔煉技術，即將半導體材料鑄成錠條，從錠條的一端開始形成一定長度的熔化區域。利用雜質在凝固過程中的分凝現象，當此熔區從一端至另一端重復移動多次
半導體材料的早期應用
半導體的第一個應用就是利用它的整流效應作為檢波器，就是點接觸二極管（也俗稱貓胡子檢波器，即將一個金屬探針接觸在一塊半導體上以檢測電磁波）。除了檢波器之外，在早期，半導體還用來做整流器、光伏電池、紅外探測器等，半導體的四個效應都用到了。從1907年到1927年，美國的物理學家研制成功晶體整流器、硒整流