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    3個原子厚電子芯片原型出爐

    研究人員將斯坦福大學校標的納米圖片刻進超薄芯片中,同樣技術未來可創建電子電路 據趣味科學網站近日報道,美國斯坦福大學研究人員用二硫化鉬研制出只有3個原子厚的芯片原型,并首次證明僅原子厚的超薄材料和電路可實現規模化生產。這些透明可彎曲材料未來可將窗戶或車頂變成顯示屏。 由于目前的硅基芯片已很難進一步縮小,研究人員試圖利用只有3個原子厚的單層材料取代硅芯片,石墨烯成為這類材料的首選。不過,石墨烯有個致命弱點,沒有導電性,不能用來生產電路的核心部件晶體管。二硫化鉬因其良好導電性及超薄性成為研究人員的新寵。 但三明治結構二硫化鉬在規模化生產中遇到難題:3個原子厚的二硫化鉬無法鋪展成制作芯片所需的拇指大小晶體,其困難程度如同用一張薄紙鋪滿整個斯坦福校園。 該校電子工程學副教授艾瑞克·波普團隊現在解決了這一難題。他們利用化學蒸氣沉積工藝,通過加熱讓少量硫原子和鉬原子蒸發,再讓其沉積到玻璃或硅基底物上形成超薄晶體層,最后成功將......閱讀全文

    超越石墨烯:二硫化鉬和黑鱗成材料學家新寵

      單層石墨烯(上)激發了科學家探索半導體單晶材料——如二維黑磷單晶(中)和二硫化鉬(下)——的熱情。  通常情況下,膠帶不會被看作是一種具有科學突破性的進展。但是當英國曼徹斯特大學物理學家安德烈·蓋姆(Andre Geim)和康斯坦丁·諾沃肖羅夫(Konstantin Novoselov)(兩人在

    2014年世界新材料科技發展回顧

      在納米材料領域,美國國家標準與技術研究院的研究人員通過在納米尺度上采用一種獨特的三明治結構,開發出一種多壁碳納米管材料,其整體厚度還不到人類頭發直徑的百分之一,卻可以大幅降低泡沫制品的可燃性。國家直線加速器實驗室和斯坦福大學合作,首次揭示了石墨烯插層復合材料的超導機制,并發現一種潛在的工藝能使石

    單層二維材料可批量制造超薄晶體管

      一種叫做二硫化鉬的二維新材料可以在硅襯底上長出單層薄膜,為柔性電子器件的生產開辟了條新路。  用僅有幾個原子那么厚的薄膜做出微型、柔性的電路,一直是研究人員的夢想。然而,把這類二維薄膜生長到需要的規模,并生產出成批可靠的電子設備一直是個難題。  現在,材料科學家們已經找出一種方法,可以在直徑10

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