美國開發出不依賴半導體的微電子器件
美國加州大學圣地亞哥分校的一個研究團隊開發出一款基于納米結構的、不依賴半導體傳導的光控微電子器件，在低電壓和低功率激光激發的條件下可將電導率比現有半導體器件提高近10倍。這一成果發表在11月4日的《自然·通訊》雜志上。 傳統的半導體器件受到材料本身的限制，在頻率、功耗等方面存在極限，而利用自由電子替代半導體材料通常需要高電壓、大功率激光或高溫激發。該團隊在硅片上用金加工出一種類似蘑菇形狀的納米結構（稱為“超材料”結構），在10伏以下的直流電壓和低功率紅外激光激發下，即可釋放自由電子，從而極大地提高器件的電導率。 這一器件不可能完全替代半導體器件，但可能在特殊需求下得到最佳應用，如超高頻器件或大功率器件。未來不同的超材料表面結構可能適用于不同類型的微電子器件，應用于光化學、光催化、光伏轉化等領域。......閱讀全文
美國開發出不依賴半導體的微電子器件
美國加州大學圣地亞哥分校的一個研究團隊開發出一款基于納米結構的、不依賴半導體傳導的光控微電子器件，在低電壓和低功率激光激發的條件下可將電導率比現有半導體器件提高近10倍。這一成果發表在11月4日的《自然·通訊》雜志上。 傳統的半導體器件受到材料本身的限制，在頻率、功耗等方面存在極限，而利用
美國開發出不依賴半導體的微電子器件
美國加州大學圣地亞哥分校的一個研究團隊開發出一款基于納米結構的、不依賴半導體傳導的光控微電子器件，在低電壓和低功率激光激發的條件下可將電導率比現有半導體器件提高近10倍。這一成果發表在11月4日的《自然·通訊》雜志上。 傳統的半導體器件受到材料本身的限制，在頻率、功耗等方面存在極限，而利用自
半導體器件的開關特性
MOS的基本元件是MOS管。MOS管是一種電壓控制器件，它的3個電極分別稱為柵極(G)、漏極（D）和源極（S），由柵極電壓控制漏源電流。MOS管根據結構的不同可分為P型溝道MOS管和N型溝道MOS管兩種，每種又可按其工作特性進一步分為增強型和耗盡型兩類。 1、靜態特性 MOS管作為開
超導微電子器件基礎研究取得重要進展
超導器件是未來微電子學和信息科學的重要分支,是當前超導電性學和電子學的前沿課題。它有可能使電子系統在速度、功耗、頻寬、噪聲等性能上達到綜合兼優。上海交通大學蔣建飛教授等在國家自然科學基金(批準號:68871013,69371016)資助下,結合有效的國際合作,從1989年起,在三端超導器件機制、
微電子所垂直納米環柵器件研究獲進展
與目前主流的FinFET器件相比，納米環柵器件（GAA）在可微縮性、高性能和低功耗方面更具優勢，被認為是下一代集成電路關鍵核心技術。其中，垂直納米環柵器件（VGAA）由于在垂直方向上具有更多的集成自由度，可增加柵極和源漏的設計空間，減少器件所占面積，更易實現多層器件間的垂直堆疊并通過全新的布線方
微電子所采用ALD技術顯著提升發光器件效率
日前，中國科學院微電子研究所將先進的原子層沉積技術應用于高光效半導體發光器件的研究取得顯著進展。 上世紀80年代，原子層沉積(Atomic Layer Deposition，ALD)最初由芬蘭科學家提出并應用于平板顯示器件中Al2O3絕緣膜的沉積。2007年英特爾公司將原子層沉積技術引
常見的功率半導體器件有哪些？（二）
5、PEBB（PowerElectricBuildingBlock）電力電子積木PEBB（PowerElectricBuildingBlock）是在IPEM的基礎上發展起來的可處理電能集成的器件或模塊。PEBB并不是一種特定的半導體器件，它是依照最優的電路結構和系統結構設計的不同器件和技術的
“納米畫筆”勾勒未來低維半導體器件
如今人們的生活節奏在加快，對電子設備的要求也越來越高。各種新款電子設備都在變著法子表明自己功能更強大、體型更輕薄。然而，電子設備的功能越豐富、性能越強大，意味著這些設備單位體積中容納的電子元件數目越多；體型越小意味著這些電子元件功能單元的體積越來越小。 就像我們每天都使用的手機，它的中央處理
常見的功率半導體器件有哪些？（一）
功率半導體是電子裝置中電能轉換與電路控制的核心，主要用于改變電子裝置中電壓和頻率、直流交流轉換等。按照分類來看，功率半導體可以分為功率IC和功率分立器件兩大類，其中功率分立器件主要包括二極管、晶閘管、晶體管等產品。近年來，功率半導體的應用領域已從工業控制和消費電子拓展至新能源、軌道交通、智能
微電子所在石墨烯材料及器件研制領域取得整體突破
近日，中國科學院微電子研究所在石墨烯材料及器件研制領域取得整體突破。微電子所微波器件與集成電路研究室（四室）研究員金智帶領的團隊在國家和中科院科研項目的支持下，對石墨烯的材料生長、轉移和石墨烯射頻器件的制備進行了深入、系統的研究，制備出了具有極高振蕩頻率的石墨烯射頻器件，取得了一系列重要成果。