鄭小宏課題組在二維二氧化錫材料研究中取得進展
近日，中國科學院合肥物質科學研究院固體物理研究所計算物理與量子材料研究部研究員鄭小宏課題組在二維二氧化錫（SnO2）材料研究中取得進展。研究人員基于第一性原理計算方法理論預測SnO2的二維單層δ相（P-4m2）可以穩定存在，并發現δ相的二維SnO2材料具有平面內負泊松比特性。此外，通過空穴載流子摻雜，可誘導體系從非磁態向鐵磁序轉變，并實現完全自旋極化的半金屬性。相關研究成果以Computational Prediction of a Two-dimensional Semiconductor SnO2 with Negative Poisson's Ratio and Tunable Magnetism by Doping為題，發表在Physical Review B上。 SnO2塊體是一種n型寬帶隙的半導體材料，常見的結構為金紅石結構。由于具有較好的化學穩定性、高透光率、低電阻率以及耐酸堿等特點，SnO2在電極材......閱讀全文
鄭小宏課題組在二維二氧化錫材料研究中取得進展
近日，中國科學院合肥物質科學研究院固體物理研究所計算物理與量子材料研究部研究員鄭小宏課題組在二維二氧化錫（SnO2）材料研究中取得進展。研究人員基于第一性原理計算方法理論預測SnO2的二維單層δ相（P-4m2）可以穩定存在，并發現δ相的二維SnO2材料具有平面內負泊松比特性。此外，通過空穴載流子
實驗室反應釜使用的光催化劑介紹
實驗室用光化學反應儀進行光化學反應的時候往往會借助各種各樣的光催化劑來輔助加速光化學反應進行實驗，那么實驗室常用的光催化劑有哪些？能作為光催化劑的材料有很多，使用頻率高，應用廣泛得就是包括二氧化鈦(TiO2),。其他納米光催化劑還有如：氧化鋅(ZnO),氧化錫(SnO2),二氧化鋯(ZrO2)，硫化
碘化銫錫半導體熱電性能獨特
美國研究人員發現，一種名為碘化銫錫（CsSnI3）的晶體半導體材料具有獨特的熱電性能，能在保持高電導率的同時，隔絕大部分熱量傳遞。他們在日前出版的美國《國家科學院學報》上發表文章指出，這種材料的熱電性質獨特，應用前景十分廣闊。 碘化銫錫是一種半導體材料，幾十年前就被發現，但直到最近幾年才受到一
二維錫烯拓撲材料研究取得進展
近日，中國科學技術大學合肥微尺度物質科學國家研究中心教授王兵和副教授趙愛迪研究團隊與清華大學助理教授徐勇、教授段文暉以及美國斯坦福大學教授張首晟合作，成功制備出具有純平蜂窩結構的單層錫烯，并結合第一性原理計算證實了其存在拓撲能帶反轉及拓撲邊界態。相關研究成果11月5日在線發表在《自然-材料》（Nat
二維錫烯拓撲材料研究取得進展
近日，中國科學技術大學合肥微尺度物質科學國家研究中心教授王兵和副教授趙愛迪研究團隊與清華大學助理教授徐勇、教授段文暉以及美國斯坦福大學教授張首晟合作，成功制備出具有純平蜂窩結構的單層錫烯，并結合第一性原理計算證實了其存在拓撲能帶反轉及拓撲邊界態。相關研究成果11月5日在線發表在《自然-材料》（N
半導體所二維半導體磁性摻雜研究取得進展
近年來，二維范德華材料如石墨烯、二硫化鉬等由于其獨特的結構、物理特性和光電性能而被廣泛研究。在二維材料的研究領域中，磁性二維材料具有更豐富的物理圖像，并在未來的自旋電子學中有重要的潛在應用，越來越受到人們的關注。摻雜是實現二維半導體能帶工程的重要手段，如果在二維半導體材料中摻雜磁性原子，則這些材
高分散超細鉑/二氧化錫/還原石墨烯復合催化材料獲進展
近期，固體所梁長浩研究員課題組在高分散超細鉑/二氧化錫/還原石墨烯復合材料（Pt/SnO2/rGO）研究方面取得新的進展，相關工作已在Nano Energy上發表（Nano Energy, 2016, 26, 699-707）。 燃料電池作為一種高效、安全、清潔的化學能源而受到眾多研究者的廣泛
美國發現新型二維半導體材料
近日，美國猶他大學發現一種新型二維半導體材料一氧化錫。據了解，該材料可用于制備計算機處理器和圖形處理器等電子設備內的晶體管，有助于研制出運行速度更快、更加節約能源的智能手機和計算機等電子設備。 當前，電子設備內晶體管的玻璃基板由許多層三維材料構成，如硅材料。其弊端在于當電子通過時，會在所有層內
二維半導體材料家族又有“小鮮肉”
據美國猶他大學官網消息，該校工程師最新發現一種新型二維半導體材料一氧化錫（SnO），這種單層材料的厚度僅為一個原子大小，可用于制備電子設備內不可或缺的晶體管。研究人員表示，最新研究有助于科學家們研制出運行速度更快且能耗更低的計算機和包括智能手機在內的移動設備。 一氧化錫這個“小鮮肉”由猶他大學
X熒光光譜法測定錫酸鉛TDI還原型催化劑中錫和鉛含量
報道了一種準確度高、分析步驟簡單的錫酸鉛TDI還原型催化劑中錫和鉛含量的X射線熒光光譜方法(XRF).設計制備了標準樣品,研究了儀器測試條件下元素峰位的選擇和背景扣除方法.結果表明:X熒光光譜法在不破壞樣品的前提下完成對二氧化錫和鉛含量的同時測定,重復實驗10次,Pb實驗相對標準偏差為0.37%;S