磁致濺射儀核生長型薄膜的形成
這種類型形成過程的特點是，到達基片上的原子首先凝聚成核，后續飛來的原子不斷集聚在核的附近使核在三維方向不斷成長，最終形成薄膜。大部分薄膜的形成過程都屬于這種類型。核生長型的薄膜其生長過程可以分為如下四個階段。 (l)成核階段碰撞到基片上的原子，其中一部分與基片原子交換的能量很少，仍具有相當大的能量，所以能返回氣相。而另一部分則被吸附在基片的表面上，這種吸附主要是物理吸附，原子將在基片表面停留一定的時間。由于原子本身還具有一定的能量，同時還可以從基片得到熱能，因此原子有可能在表面進行遷移或者擴散。在這一過程中，原子有可能再蒸發，也可能與基片發生化學作用而形成化學吸附，還可能遇到其它的蒸發原子而形成原子對或者原子團，發生后兩種情況時，原子再蒸發與遷移的可能性極小，從而逐漸形成穩定的凝聚核。 (2)小島階段當凝聚晶核達到一定的濃度以后。繼續蒸發就不再形成新的晶核。新蒸發來的吸附原子通過表面遷移將集聚在己有的晶核上，使晶核生長并......閱讀全文
磁致濺射儀核生長型薄膜的形成
這種類型形成過程的特點是，到達基片上的原子首先凝聚成核，后續飛來的原子不斷集聚在核的附近使核在三維方向不斷成長，最終形成薄膜。大部分薄膜的形成過程都屬于這種類型。核生長型的薄膜其生長過程可以分為如下四個階段。 (l)成核階段碰撞到基片上的原子，其中一部分與基片原子交換的能量很少，仍具有相當大的
磁致濺射儀層核生長型薄膜的形成
在基體和薄膜原子相互作用特別強的情況下，才容易出現層核生長型。首先在基片表面生長1-2層單原子層，這種二維結構強烈地受基片晶格的影響，晶格常數有較大的畸變。然后再在這原子層上吸附入射原子，并以核生長方式生成小島，最終形成薄膜。
磁致濺射儀層生長型薄膜的形成
這種生長類型的特點是，蒸發原子首先在基片表面以單原子層的形式均勻地翟蓋一層，然后再在三維方向上生長更多的層。這種生長方式多數發生在基片原子與蒸發原子間的結合能接近于蒸發原子間的結合能的情況下。層生長型的過程大致如下:入射到基片表面的原子，經過表面擴散并與其它原子碰撞后形成二維的核，二維核捕捉周圍
磁致濺射儀簡介
磁致濺射儀是應用于各種金屬薄膜的濺射蒸鍍儀器，在惰性氣體或者活性氣體中在陽極和陰極蒸發材料間加上幾百伏的直流電壓，使之產生輝光放電，放電中的離子碰撞到陰極的蒸發材料靶上，靶材的原子就會由其表面蒸發出來，蒸發原子被惰性氣體冷卻而凝結或與活性氣體反應而形成納米顆粒。
磁致濺射儀的原理簡介
濺射法的原理是在惰性氣體或者活性氣體中在陽極和陰極蒸發材料間加上幾百伏的直流電壓，使之產生輝光放電，放電中的離子碰撞到陰極的蒸發材料靶上，靶材的原子就會由其表面蒸發出來，蒸發原子被惰性氣體冷卻而凝結或與活性氣體反應而形成納米顆粒。濺射是一個復雜的過程。濺射過程是建立在氣體輝光放電基礎上的。當兩電
簡介磁致濺射儀的制備優點
不僅可以得到很高的濺射速率，而且在濺射金屬時還可以避免二次電子轟擊而使基板保持接近冷態，這對單晶和塑料基板具有重要的意義。磁控濺射可以用DC和RF放電工作，故能制備金屬膜和介質膜。但是它的缺點是：不能實現強磁性材料的低溫高速濺射，因為幾乎所有的磁通都通過磁性靶子，所以在靶面附近不能外加強磁場；絕
磁致濺射儀的結構系統簡介
真空系統：真空系統由機械泵、分子泵和各種閥門組成。低真空下，由熱偶型規管來測定真空度高真空下由電離型規管來測量。系統的最高真空度可以達到數量級。 輸氣系統：濺射中需要通入高純氫氣作為濺射氣體。有時需要通入、等進行反應濺射。系統現有兩路質量流量計，所用的氣體可以選擇合適的流量進入真空室。 加熱
銅上濺射沉積鈾薄膜AES研究
在俄歇電子能譜儀超高真空室內,采用離子束濺射沉積方法在多晶Cu上沉積了鈾薄膜,采用俄歇電子能譜技術(AES)研究鈾薄膜的生長方式,鈾、銅的相互作用及退火引起U膜成分結構變化。沉積初期觀察到鈾與銅發生相互作用,隨著鈾薄膜厚度的增加,UOPV/CuLMM俄歇躍遷峰強度值變化說明鈾薄膜為層狀+島狀生長。退
離子濺射儀-濺射工作原理簡介
直流冷陰極二極管式，靶材處于常溫，加負高壓1-3kv，陽極接地。當接通高壓，陰極發射電子，電子能量增加到1-3kev，轟擊低真空中（3-10pA)的氣體，使其電離，激發出的電子在電場中被加速，繼續轟擊氣體，產生聯級電離，形成等離子體。離子以1-3kev的能量轟擊陰極靶，當其能量高于靶材原子的結合
核磁脂肪快速測定儀
儀器介紹： ??? 核磁共振技術是一種非常精確的測量技術,被廣泛用于醫療領域進行對人體的精確掃描，同時它也用于很多工業油脂，油料種籽等的質量控制檢測。傳統上，核磁共振技術一般不能用于含水份樣品的脂肪測試，因為水的氫核會干擾脂肪的氫核。而CEM公司通過利用微波快速的干燥樣品去除水分，再用核磁檢測