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曝光時，先將單元圖形分割成場，工件臺停止時電子束在掃描場內逐個對單元圖形進行掃描，并以矢量方式從一個單元圖形移到另一個單元圖形；完成一個掃描場描繪后，移動工件臺再進行第二個場的描繪，直到完成全部表面圖形的描繪。 由于只對需曝光的圖形進行掃描，沒有圖形部分快速移動，故掃描速度較高。同時為了提高速度和便于場畸變修正，有部分系統將掃描場分成若干子場，電子束偏轉分成兩部分：先由16位數模轉換器（DAC）將電子束偏轉到某子場邊緣，再由高速12位DAC 在子場內偏轉電子束掃描曝光。系統的特點是采用高精度激光控制臺面，分辨率可達1nm以下，但生產率遠低于光學曝光系統，并隨著圖形密度增加而顯著降低，因此難以進入大規模集成電路（LSI）生產線。......閱讀全文
曝光時，先將單元圖形分割成場，工件臺停止時電子束在掃描場內逐個對單元圖形進行掃描，并以矢量方式從一個單元圖形移到另一個單元圖形；完成一個掃描場描繪后，移動工件臺再進行第二個場的描繪，直到完成全部表面圖形的描繪。 由于只對需曝光的圖形進行掃描，沒有圖形部分快速移動，故掃描速度較高。同時為了提高速
掃描式電子束曝光系統可以得到極高的分辨率，但其生產率較低，不能滿足大規模生產的需要。成形束系統生產率固然有所提高，但其分辨率一般在0.2μm左右，難以制作納米級圖形。近年來研發的投影電子束來曝光系統，既能使曝光分辨率達到納米量級，又能大大提高生產率，且不需要鄰近效應校正。在研制中的投影式電子束曝
成形電子束曝光系統按束斑性質可分成固定和可變成形束系統。固定成形束系統在曝光時束斑形狀和尺寸始終不變；可變成形束系統在曝光時束斑形狀和尺寸可不斷變化。按掃描方式，成形電子束曝光系統又可分為矢量掃描型和光柵掃描型。一種尺寸可變的矩形束斑的形成原理是電子束經上方光闌后形成一束方形電子束，再照射到下方
采用高速掃描方式對整個圖形場掃描,利用快速束閘控制電子束通斷,實現選擇性曝光。例如美國Etec公司生產的MEBES系統采用高亮度熱場致發射陰極,在掩模版上可獲得400的束電流密度，工件臺在X方向作連續移動時，電子束在Y 方向作短距離重復掃描，從而形成一條光柵掃描圖形帶。隨后工件臺在 Y方向步
掃描電鏡信號出射深度或信號從樣品表面發射的面積大小，決定了掃描電鏡探測樣品信息的空間分辨率。電子束樣品相互作用區和被測信號取樣區這兩個概念對于圖像解釋和定量x射線顯微分析都很重要。評估電子束樣品作用區的三個主要變量1)平均原子序數Z ，原子序數高作用區越小；2)束電子能量Kev ，束電子能量越低，作
由于SEM的工作方式與電子束曝光機十分相近,最初的電子束曝光機是從SEM基礎上改裝發展起來的，近年來隨著計算機技術的飛速發展，將SEM改裝為曝光機的工作取得了重要進展。 主要改裝工作是設計一個圖形發生器和數模轉換電路，并配備一臺PC機。PC機通過圖形發生器和數模轉換電器去驅動SEM的掃描線圈，
掃描電鏡是一個復雜的系統，濃縮了電子光學技術、真空技術、精細機械結構以及現代計算機控制技術。掃描電鏡的基本工作過程用電子束在樣品表面掃描，同時陰極射線管內的電子束與樣品表面的電子束同步掃描，將電子束在樣品上激發的各種信號用探測器接收，并用它來調制顯像管中掃描電子束的強度，在陰極射線管的屏幕上就得到
掃描電子顯微鏡是利用聚焦的很窄的高能電子束來掃描樣品 掃描電子顯微鏡(SEM)是一種介于透射電子顯微鏡和光學顯微鏡之間的一種觀察手段。其利用聚焦的很窄的高能電子束來掃描樣品,通過光束與物質間的相互作用,來激發各種物理信息,對這些信息收集、放大、再成像以達到對物質微觀形貌表征的目的。新式的掃描電子顯
掃描電子顯微鏡(SEM)是一種介于透射電子顯微鏡和光學顯微鏡之間的一種觀察手段。其利用聚焦的很窄的高能電子束來掃描樣品,通過光束與物質間的相互作用,來激發各種物理信息,對這些信息收集、放大、再成像以達到對物質微觀形貌表征的目的。新式的掃描電子顯微鏡的分辨率可以達到1nm;放大倍數可以達到30萬倍及以
電子束曝光是利用電子束在涂有感光膠的晶片上直接描畫或投影復印圖形的技術，它的特點是分辨率高（極限分辨率可達到3～8μm）、圖形產生與修改容易、制作周期短。它可分為掃描曝光和投影曝光兩大類，其中掃描曝光系統是電子束在工件面上掃描直接產生圖形，分辨率高，生產率低。投影曝光系統實為電子束圖形復印系統，