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曝光系統最核心的部件之一是紫外光源。 常見光源分為: 可見光：g線：436nm 紫外光（UV），i線：365nm 深紫外光（DUV）,KrF 準分子激光：248 nm, ArF 準分子激光：193 nm 極紫外光（EUV），10 ~ 15 nm 對光源系統的要求 a.有適當的波長。波長越短，可曝光的特征尺寸就越小；[波長越短，就表示光刻的刀鋒越鋒利，刻蝕對于精度控制要求越高。] b.有足夠的能量。能量越大，曝光時間就越短； c.曝光能量必須均勻地分布在曝光區。[一般采用光的均勻度 或者叫 不均勻度 光的平行度等概念來衡量光是否均勻分布] 常用的紫外光光源是高壓弧光燈（高壓汞燈），高壓汞燈有許多尖銳的光譜線，經過濾光后使用其中的g 線（436 nm）或i 線（365 nm）。 對于波長更短的深紫外光光源，可以使用準分子激光。例如KrF 準分子激光（248 nm）、ArF 準分子激光（193 nm）和F2準......閱讀全文
一文讀懂半導體制程技術進步的“燃料”——光刻膠 光刻膠又稱光致抗蝕劑，是一種對光敏感的混合液體。其組成部分包括：光引發劑（包括光增感劑、光致產酸劑）、光刻膠樹脂、單體、溶劑和其他助劑。光刻膠可以通過光化學反應，經曝光、顯影等光刻工序將所需要的微細圖形從光罩（掩模版）轉移到待加工基片上。依據
大家也許還不是非常的清楚，刻錄機的種類有非常的多，其中的技術原理也不盡相同，下面就由我來給大家簡單介紹一下有關接觸式光刻機的使用原理及性能指標。 接觸式光刻機的使用原理： 其實在我國對于接觸式光刻機，曝光時掩模壓在光刻膠的襯底晶片上，其主要優點是可以使用價格較低的設備制造出較小的特征尺寸。 我
在芯片制造業中，光刻機是必不可少的精密設備——每顆芯片誕生之初，都要經過光刻技術的鍛造。也正因為此，與之相關的突破性研究成果備受關注。 2月25日，清華大學的一項科研成果刊登在《自然》上，引起了國內外學術界及產業界的高度關注。《自然》評閱人認為其“展示了一種新的方法論”，“必將引起粒子加速器和
近期，中國科學院微電子研究所先導工藝研發中心研究員韋亞一團隊與中芯國際集成電路新技術研發（上海）有限公司在負顯影光刻膠建模和光源掩模協同優化方面開展深入合作，圍繞14納米節點中光刻研發所面臨的各項工藝挑戰進行聯合技術攻關并取得顯著進展，完成了后段制程中特定關鍵層的模型校準工作。結果表明，對于負顯
盤點這一年的核心技術：22納米光刻機、450公斤人造藍寶石、0.12毫米玻璃、大型航天器回收、盾構機“棄殼返回”、遠距離虹膜識別……哪一個不奪人眼球！ 2018年，高新技術成果在各行各業開花結果，在提高產業效能的同時也為人們的生活創造了更多便利。科技創新主體不約而同向著“自主掌握核心技術，打
盤點這一年的核心技術：22納米光刻機、450公斤人造藍寶石、0.12毫米玻璃、大型航天器回收、盾構機“棄殼返回”、遠距離虹膜識別……哪一個不奪人眼球！ 2018年，高新技術成果在各行各業開花結果，在提高產業效能的同時也為人們的生活創造了更多便利。科技創新主體不約而同向著“自主掌握核心技術，打破
光刻機的主要性能指標有：支持基片的尺寸范圍，分辨率、對準精度、曝光方式、光源波長、光強均勻性、生產效率等。 分辨率是對光刻工藝加工可以達到的最細線條精度的一種描述方式。光刻的分辨率受受光源衍射的限制,所以與光源、光刻系統、光刻膠和工藝等各方面的限制。 對準精度是在多層曝光時層間圖案的定位精度
光刻機的主要性能指標有：支持基片的尺寸范圍，分辨率、對準精度、曝光方式、光源波長、光強均勻性、生產效率等。 分辨率是對光刻工藝加工可以達到的最細線條精度的一種描述方式。光刻的分辨率受受光源衍射的限制，所以與光源、光刻系統、光刻膠和工藝等各方面的限制。 對準精度是在多層曝光時層間圖案的定位精度
近日，光刻膠產能緊缺的新聞見諸報端。上游芯片材料供應緊張引發全球“缺芯”，使得核心材料光刻膠靠“搶”才能獲得。這種情況對于光刻膠對外依存度高達90%的我國來說，無疑是雪上加霜。 “我國長期依賴國外膠的參數和工藝，不愿或沒有條件調整工藝使用國產膠，這是當下最大的問題。”浙江大學高分子科學與工程
11月29日，中科院光電技術研究所承擔的國家重大科研裝備研制項目“超分辨光刻裝備研制”通過驗收，這是世界上首臺用紫外光源實現了22納米分辨率的光刻機。 光刻機相當于一臺投影儀，將精細的線條圖案投射于感光平板，光就是一把雕刻刀。但線條精細程度有極限——不能低于光波長的一半。“光太胖，門縫太窄，
“下一代的‘大連光源’將會有更高的亮度，光子產生的頻率從每秒50次提升到100萬次，平均亮度將增加1萬倍。”兩會期間，全國人大代表、中國科學院大連化學物理研究所研究員楊學明院士向記者表示，足夠亮度的光源將觀察到之前無法探及的領域。 “大連光源”是世界首臺極紫外波段的自由電子激光裝置，于2017
第二個問題，為什么現在的技術節點不再直接反應晶體管的尺寸呢？原因也很簡單，因為無法做到這個程度的縮小了。有三個主要原因：首先，原子尺度的計量單位是埃，為0.1nm。10nm的溝道長度，也就只有不到100個硅原子而已。未來晶體管物理模型是這樣的：用量子力學的能帶論計算電子的分布，但是用經典的電
微型化、集成化和智能化，是現代科技發展的一個重要趨勢。伴隨著微機電加工系統（ MEMS ）技術的發展，電子計算機已由當年的”龐然大物”演變成由一個個微小的電路集成芯片組成的便攜系統，甚至是一部微型的智能手機。 MEMS技術全稱Micro Electromechanical System ， M
日前，中科院光電技術研究所微光刻技術與微光學實驗室首次提出基于微結構邊際的LSP超分辨光刻技術。該技術利用微納結構邊際作為掩模圖形，對表面等離子體進行有效激發，其采用普通I-line、G-line光源獲得了特征尺寸小于30納米的超分辨光刻圖形。 據相關負責人介紹，傳統的微光刻工藝采用盡可能
微型化、集成化和智能化，是現代科技發展的一個重要趨勢。伴隨著微機電加工系統（ MEMS ）技術的發展，電子計算機已由當年的”龐然大物”演變成由一個個微小的電路集成芯片組成的便攜系統，甚至是一部微型的智能手機。MEMS技術全稱Micro Electromechanical System ， MEM
① 良好的加工性不同的加工方法對聚合物的加工性有不同的要求。 由于微通道的構型越來越趨于復雜，高深寬比的微通道的優點很多，所以聚合物材料應具有良好的加工性。② 良好的電絕緣性和熱性能由于微流控芯片中的液體驅動經常采用電驅動方式，而且芯片經常被用于進行電泳分離，加高壓電場會產生熱量
紫外線包括UVA波段(320nm-380nm),UVB波段（280nm-320nm）和UVC波段（200nm-280nm）。UVA波段主要用于光固化,光刻曝光,紫外光源,集成電路光刻等行業；UVC波段，又稱為短波滅菌紫外線；紫外線殺菌燈發出的就是UVC短波紫外線。紫外輻照計就是寬譜線功率測量儀，主要
分析測試百科網訊 2018年3月25日，第六屆中國激光誘導擊穿光譜技術研討會在西安交通大學如期舉行。（相關報道：光譜快速檢測盛宴 第6屆激光誘導擊穿光譜研討會開幕）24號會議由二十位專家、學者、工程師為聽眾帶來精彩報告（詳見報道：快速檢測舍我其誰 看第6屆激光誘導擊穿光譜技術研討會）。會議現場
微型化、集成化和智能化，是現代科技發展的一個重要趨勢。伴隨著微機電加工系統（ MEMS ）技術的發展，電子計算機已由當年的”龐然大物”演變成由一個個微小的電路集成芯片組成的便攜系統，甚至是一部微型的智能手機。MEMS技術全稱Micro Electromechanical System ， MEM
紫外線汞燈也叫紫外線燈，在人工加速氣候老化試驗箱中用于紫外線耐氣候試驗箱中老化紫外輻射光源，分為低壓汞燈、高壓汞燈、超高壓汞燈三種類別，汞燈是利用汞放電時產生汞蒸氣獲得可見光的電光源，以汞的氣壓高低來區分不同類別紫外線汞燈，三種汞燈發射的光譜不一，應用于各自領域。下面武漢尚測試驗設備有限公司就紫外線
3月12日至14日，中國科學院合肥物質科學研究院安徽光學精密機械研究所承擔的課題“雙腔同步全固化激光電源及輸出能量穩定系統研究”通過了國家科技重大專項實施管理辦公室的驗收。該課題成功為MOPA結構的準分子激光器提供低抖動全固化的高脈沖快放電電源，并實現了通過反饋控制系統實現激光輸出能量穩定。該課
微納加工技術指尺度為亞毫米、微米和納米量級元件以及由這些元件構成的部件或系統的優化設計、加工、組裝、系統集成與應用技術，涉及領域廣、多學科交叉融合，其最主要的發展方向是微納器件與系統（MEMS和NEMS）。微納器件與系統是在集成電路制作上發展的系列專用技術，研制微型傳感器、微型執行器等器件和系統
基因芯片 技術的誕生為生物技術工作人員打開了一道科研的便利之門，曾被評為1998年年度十大科技進展之一。本文對基因芯片的實驗原理、技術基礎、分類、用途、操作主要環節等內容做詳細的介紹。 1.基本原理和技術基礎 基因芯片以DNA雜交 為基本原理，基于A和T、G和C的
基因芯片 技術的誕生為生物技術工作人員打開了一道科研的便利之門，曾被評為1998年年度十大科技進展之一。本文對基因芯片的實驗原理、技術基礎、分類、用途、操作主要環節等內容做詳細的介紹。 1.基本原理和技術基礎 基因芯片以DNA雜交 為基本原理，基于A和T、G和C的互補關系。它是在探針的基礎上
有外媒報道的勞倫斯伯克利國家實驗室將現有最精尖的晶體管制程從14nm縮減到了1nm，其晶體管就是由碳納米管摻雜二硫化鉬制作而成。不過這一技術成果僅僅處于實驗室技術突破的階段，目前還沒有商業化量產的能力。至于該項技術將來是否會成為主流商用技術，還有待時間檢驗。再來說說光刻機分辨率的事要想做出更
#aabbccdd3 td{border:1px solid #666666;} #aabbccdd3{border:1px solid #666666} 序號
光刻機通過一系列的光源能量、形狀控制手段，將光束透射過畫著線路圖的掩模，經物鏡補償各種光學誤差，將線路圖成比例縮小后映射到硅片上，不同光刻機的成像比例不同，有5:1，也有4:1。然后使用化學方法顯影，得到刻在硅片上的電路圖（即芯片）。一般的光刻工藝要經歷硅片表面清洗烘干、涂底、旋涂光刻膠、軟烘、對準
透射電鏡得到的圖像應該是厚度襯度和衍射襯度的疊加。就衍射襯度來講是不是晶格對電子散射之后電子的在平面上的分布密度。為什么能夠稱為原子像呢？另外微過焦和微欠焦時候有時候是亮點為原子像，有時候是暗點。Part 1: Transmission Electron Microscope (TEM)所謂TEM，
問：透射電鏡得到的圖像應該是厚度襯度和衍射襯度的疊加。就衍射襯度來講是不是晶格對電子散射之后電子的在平面上的分布密度。為什么能夠稱為原子像呢？另外微過焦和微欠焦時候有時候是亮點為原子像，有時候是暗點是。答：寫在最前面：知乎里面經常看到關于某某的本質是啥的問題。就成像而言，我來談談我的理解。“ 成像的
所謂TEM，就是一個放大鏡疊加了一臺照相機。這臺放大鏡的放大倍數比較高，可高達一百萬倍。當然，拋開分辨率談放大倍數都是耍流氓，那么，TEM的分辨率有多高呢？答案是 it depends。一般來說，TEM的分辨率要在1到2個納米，STEM更高，但是STEM得成像技術類似于SEM，但用的不是二次電子。我