下一代半導體的寬與窄
隨著以氮化鎵、碳化硅為代表的第三代半導體步入產業化階段，對新一代半導體材料的探討已經進入大眾視野。走向產業化的銻化物，以及國內外高度關注的氧化鎵、金剛石、氮化鋁鎵等，都被視為新一代半導體材料的重要方向。從帶隙寬度來看，銻化物屬于窄帶半導體，而氧化鎵、金剛石、氮化鋁屬于超寬禁帶半導體。 超寬禁帶半導體：“上天入海”，適用范圍廣泛 禁帶的寬度決定了電子躍遷的難度，是半導體的導電性的決定因素之一。禁帶越寬，半導體材料越接近絕緣體，器件穩定性越強，因而超寬禁帶半導體能應用于高溫、高功率、高頻率以及較耐輻照等特殊環境。 “硅器件工作溫度范圍相對有限，而超寬禁帶半導體可謂‘上天下海’，適應范圍非常寬廣。” 中國科學院半導體研究所研究員閆建昌向《中國電子報》記者表示。 在光電子領域，超寬禁帶半導體在紫外發光、紫外探測領域有著廣闊的應用空間。基于氮化鋁鎵等超寬禁帶半導體的紫外發光二極管和紫外激光二極管應用于殺菌消毒等醫療衛生領域，特......閱讀全文
超寬禁帶半導體新進展 推動氧化鎵功率器件規模化應用
中國科學院上海微系統與信息技術研究所研究員歐欣課題組和西安電子科技大學郝躍課題組教授韓根全合作，在氧化鎵功率器件領域取得新進展。該研究成果于12月10日在第65屆國際微電子器件頂級會議——國際電子器件大會（International Electron Devices Meeting, IEDM）
專家建議加快寬禁帶與超寬禁帶半導體器件發展
“生產集成電路所需要的硅材料已趨近完美，但是未來還有什么材料可以替代硅，這是業界急切希望解決的問題”。中國科學院院士、國家自然科學基金委員會信息科學部主任郝躍近日在 “紀念集成電路發明60周年學術會議”上如是說。該會議由中國電子學會、中國科學院信息技術科學部等共同主辦。 自1958年杰克·基
香山科學會議聚焦寬禁帶半導體
“隨著第三代半導體材料、器件及應用技術不斷取得突破，甚至可能在21世紀上半葉，導致一場新的信息和能源技術革命。”在11月8日召開的以“寬禁帶半導體發光的發展戰略”為主題的第641次香山科學會議上，與會專家指出，寬禁帶半導體核心技術一旦解決，必將引起應用格局的巨大改變。 如今，半導體發展已經歷了
下一代半導體的寬與窄
隨著以氮化鎵、碳化硅為代表的第三代半導體步入產業化階段，對新一代半導體材料的探討已經進入大眾視野。走向產業化的銻化物，以及國內外高度關注的氧化鎵、金剛石、氮化鋁鎵等，都被視為新一代半導體材料的重要方向。從帶隙寬度來看，銻化物屬于窄帶半導體，而氧化鎵、金剛石、氮化鋁屬于超寬禁帶半導體。 超寬禁帶
歐欣、郝躍課題組超寬禁帶半導體異質集成研究獲進展
中國科學院上海微系統與信息技術研究所研究員歐欣課題組和西安電子科技大學郝躍課題組教授韓根全合作，在氧化鎵功率器件領域取得新進展。該研究成果于12月10日在第65屆國際微電子器件頂級會議——國際電子器件大會（International Electron Devices Meeting, IEDM）
物理所寬禁帶半導體磁性起源研究取得新進展
中科院物理研究所/北京凝聚態物理國家實驗室（籌）陳小龍研究員及其領導的功能晶體研究與應用中心一直致力于寬禁帶半導體磁性起源問題的研究。最近，他們從實驗和理論上證明了雙空位導致磁性，首次在實驗上給出了直接證據，為通過缺陷工程調控寬禁帶半導體的磁性提供了實驗基礎，相應結果發表在Phy
最純砷化鎵半導體面世
美國普林斯頓大學研究人員在《自然·材料》雜志報告稱，他們研制出了世界上迄今最純凈的砷化鎵。該砷化鎵樣品的純度達到每100億個原子僅含有一個雜質，純度甚至超過了用于驗證一千克標準的世界上最純凈的硅樣品。 砷化鎵是一種半導體，主要用于為手機和衛星等提供電力。新研究得到的砷化鎵樣品呈正方形，邊長與一
第三代半導體有望寫入下月十四五規劃 成國產替代希望
近日，有媒體報道稱，權威消息人士透露，我國計劃把大力支持發展第三代半導體產業，寫入正在制定中的“十四五”規劃，計劃在2021-2025年期間，在教育、科研、開發、融資、應用等等各個方面，大力支持發展第三代半導體產業，以期實現產業獨立自主。國信證券研報中指出半導體第三代是指半導體材料的變化，從第一代、
備受看好的氧化鎵材料是什么來頭？ （一）
日前，據日本媒體報道，日本經濟產業省（METI）計劃為致力于開發新一代低能耗半導體材料“氧化鎵”的私營企業和大學提供財政支持。報道指出，METI將為明年留出大約2030萬美元的資金去資助相關企業，預計未來5年的資助規模將超過8560萬美元。 ? 眾所周知，經歷了日美“廣場協定”的日本
II族氧化物半導體光電子器件基礎研究啟動
近日，“973”計劃項目“II族氧化物半導體光電子器件的基礎研究”啟動會在長春召開。中科院長春光機所、物理所、上海光機所和南京大學、中山大學、東南大學、吉林大學等單位將瞄準目前半導體領域的前沿和熱點，把II族氧化物半導體作為主要研究對象，以期在短波長激光器件和紫外光電探測器等方面實現突