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一臺電子能譜儀的基本組成由所研究的試樣、一個初級激發源和電子能量分析器組成。它們安裝在超高真空(UHV)下工作。實際上，經常再備有一個UHV室安裝各種試樣制備裝置，和可能的輔助分析裝置。此外還有數據采集與處理系統。 (1)真空系統。電子能譜分析技術本身的表面靈敏度要求必須維持超高真空。現代電子能譜儀采用離子泵獲得超高真空條件。所有超高真空系統都需要時常烘烤，以去除真空室內壁上的吸附層。(2)試樣臺。試樣被固定在試樣臺上。試樣臺要求平穩，工作時無顫動。對AES在常規分析時，試樣應導電和接地。(3)初級激發源。XPS和AES的初級激發源不同。XPS的X射線源。X射線是用高能電子轟擊陽極靶材激發出來的。由燈絲發出的熱電子被加速到一定能量去轟擊陽極靶材，引起其原子內殼層電離。當較外層電子以輻射躍遷的方式填充內殼層空位時，釋放出具有特征能量的X射線。 AES的電子槍。電子槍的關鍵部件是電子源及用于電子束聚焦、整形和掃描......閱讀全文
一臺電子能譜儀的基本組成由所研究的試樣、一個初級激發源和電子能量分析器組成。它們安裝在超高真空(UHV)下工作。實際上，經常再備有一個UHV室安裝各種試樣制備裝置，和可能的輔助分析裝置。此外還有數據采集與處理系統。?(1)真空系統。電子能譜分析技術本身的表面靈敏度要求必須維持超高真空。現代電子能譜儀
電子能譜儀是利用光電效應測出光電子的動能及其數量的關系，由此來判斷樣品表面各種元素含量的儀器。電子能譜儀可分析固、液、氣樣品中除氫以外的一切元素，還可研究原子的狀態、原子周圍的狀況及分子結構，在表面化學分析、分子結構、催化劑、新材料等研究領域中已得到應用。
電子能譜儀的類型有許多種，它們對樣品表面淺層元素的組成能做出比較精確的分析，有時還能進行在線測量如膜形成成長過程中成分的分布、變化的探測等，使監測制備高質量的薄膜器件成為可能。光電子能譜儀光電子譜儀分析樣品成分的基本方法，就是用已知光子照射樣品，然后檢測從樣品上發射的電子所帶有關于樣品成分的信息。試
電子能譜儀：對固體表面進行微區成份分析及元素分布。可應用于半導體材料、冶金、地質等部門。X光光電子能譜儀：對固體進行化學結構測定、元素分析、價態分析。可應用于催化、高分子、腐蝕冶金、半導體材料等部門。 電子能譜儀是利用光電效應測出光電子的動能及其數量的關系，由此來判斷樣品表面各種元素含量的儀器
多功能電子能譜儀是一種用于材料科學領域的分析儀器，于2007年10月31日啟用。 技術指標 X射線光電子能譜（XPS），可使用單色化Al靶X射線源及雙陽極Al/Mg靶X射線源，包括大面積XPS（0.8×2 mm），微區XPS（最小選區15 μm）、深度剖析XPS及XPS成像，空間分
俄歇電子能譜儀（Auger Electron Spectroscopy，AES），作為一種最廣泛使用的分析方法而顯露頭角。這種方法的優點是：在靠近表面5-20埃范圍內化學分析的靈敏度高；數據分析速度快；能探測周期表上He以后的所有元素。雖然最初俄歇電子能譜單純作為一種研究手段，但現在它已成為常規分析
歐杰電子能譜術也稱俄歇電子能譜儀（Auger electron spectroscopy，簡稱AES），是一種表面科學和材料科學的分析技術。因此技術主要借由俄歇效應進行分析而命名之。這種效應系產生于受激發的原子的外層電子跳至低能階所放出的能量被其他外層電子吸收而使后者逃脫離開原子，這一連串事件稱為俄
近年來,俄歇電子能譜儀( AES) 在材料表面化學成分分析、表面元素定性和半定量分析、元素深度分布分析及微區分析方面嶄露頭角。AES 的優點是,在距表面 0.5 ～ 2nm 范圍內, 靈敏度高、分析速度快,能探測周期表上 He 以后的所有元素。最初,俄歇電子能譜儀主要用于研究工作 ,現已成為一種常規
俄歇電子能譜儀（AugerElectronSpectroscopy，AES），作為一種最廣泛使用的分析方法而顯露頭角。這種方法的優點是：在靠近表面5-20埃范圍內化學分析的靈敏度高；數據分析速度快；能探測周期表上He以后的所有元素。雖然最初俄歇電子能譜單純作為一種研究手段，但現在它已成為常規分析
當一個具有足夠能量的入射電子使原子內層電離時，該空穴立即就被另一電子通過L1→K躍遷所填充。這個躍遷多余的能量EK-EL1如使L2能級上的電子產生躍遷，這個電子就從該原子發射出去稱為俄歇電子。這個俄歇電子的能量約等于EK-EL1-EL2。這種發射過程稱為KL1L2躍遷。此外類似的還會有KL1L1