三重四級桿質譜原理
三重四級桿質譜原理:在U的值為500-2000 V，V為0-3000 V 。這樣的電場環境下，離子會根據電場進行震蕩。然而，只有特定荷質比的離子可以穩定的通過電場。當極桿上的電壓被指定時，質量過小的離子會受到很大的電壓影響，從而進行非常激烈的震蕩，導致碰觸極桿失去電荷而被真空系統抽走；質量過大的離子因為不能受到足夠的電場牽引，最終導致碰觸極桿或者飛出電場而無法通過質量選擇器。......閱讀全文
質譜儀--三重四級桿
三重四級桿也叫做QQQ質譜。第一個四級桿根據設定的質合比范圍掃描和選擇所需的離子。第二個四級桿，也稱碰撞池，用于聚集和傳送離子。在選擇離子飛行的途中，引入碰撞氣體氮氣。第三個四級桿用于分析在碰撞池中產生的碎片離子。簡單的說：Q1可以篩選母離子mz1;Q2通過碰撞碎裂打碎離子，形成碎片離子峰;Q3篩選
單四級桿與三重四級桿有何不同？
單四級桿與三重四級桿有何不同？三重的可以做MS-MS,如果只從聚焦來講三重其實是個雙四級桿,而單的不能做MSMS.沒有只有雙四級桿的儀器,至少現在還沒有.單四級桿也可以實驗MSMS，可以通過源內CID實現。單四極桿碎片較少，定性信息不如三重四極桿。三重四極桿，實際上起碎片作用的是兩重，中間那個是起碰
三重四級桿質譜儀原理
物質氣化后以分子狀態進入質譜儀，經過燈絲發射的電子轟擊后，形成各種不同碎片，有的失去氫，有的失去一個基團，有的成為更小的碎片，碎片進入四極桿后，四極桿通過不同電的方向變換。碎片通過四極桿時，由于碎片質量和所帶電核不同，其會隨四極桿電方向變換而改變前進方向，帶電碎片到達終點的時間不同，其方向變換也
什么是三重四級桿？
三重四級桿也叫做QQQ質譜。第一個四級桿根據設定的質合比范圍掃描和選擇所需的離子。第二個四級桿，也稱碰撞池，用于聚集和傳送離子。在選擇離子飛行的途中，引入碰撞氣體氮氣。第三個四級桿用于分析在碰撞池中產生的碎片離子。簡單的說：Q1可以篩選母離子mz1;Q2通過碰撞碎裂打碎離子，形成碎片離子峰;Q3篩選
質譜儀--單四級桿與三重四級桿有何不同？
單四級桿與三重四級桿有何不同？三重的可以做MS-MS,如果只從聚焦來講三重其實是個雙四級桿,而單的不能做MSMS.沒有只有雙四級桿的儀器,至少現在還沒有.單四級桿也可以實驗MSMS，可以通過源內CID實現。單四極桿碎片較少，定性信息不如三重四極桿。三重四極桿，實際上起碎片作用的是兩重，中間那個是起碰
三重四級桿質譜原理
三重四級桿質譜原理:在U的值為500-2000 V，V為0-3000 V 。這樣的電場環境下，離子會根據電場進行震蕩。然而，只有特定荷質比的離子可以穩定的通過電場。當極桿上的電壓被指定時，質量過小的離子會受到很大的電壓影響，從而進行非常激烈的震蕩，導致碰觸極桿失去電荷而被真空系統抽走；質量過大的離子
三重四級桿質譜原理
三重四級桿質譜原理:在U的值為500-2000 V，V為0-3000 V 。這樣的電場環境下，離子會根據電場進行震蕩。然而，只有特定荷質比的離子可以穩定的通過電場。當極桿上的電壓被指定時，質量過小的離子會受到很大的電壓影響，從而進行非常激烈的震蕩，導致碰觸極桿失去電荷而被真空系統抽走；質量過大的離子
三重四級桿質譜原理
三重四級桿質譜原理:在U的值為500-2000 V，V為0-3000 V 。這樣的電場環境下，離子會根據電場進行震蕩。然而，只有特定荷質比的離子可以穩定的通過電場。當極桿上的電壓被指定時，質量過小的離子會受到很大的電壓影響，從而進行非常激烈的震蕩，導致碰觸極桿失去電荷而被真空系統抽走；質量過大的離子
三重四級桿質譜原理
三重四級桿質譜原理:在U的值為500-2000 V，V為0-3000 V 。這樣的電場環境下，離子會根據電場進行震蕩。然而，只有特定荷質比的離子可以穩定的通過電場。當極桿上的電壓被指定時，質量過小的離子會受到很大的電壓影響，從而進行非常激烈的震蕩，導致碰觸極桿失去電荷而被真空系統抽走；質量過大的離子
三重四級桿質譜原理
三重四級桿質譜原理:在U的值為500-2000 V，V為0-3000 V 。這樣的電場環境下，離子會根據電場進行震蕩。然而，只有特定荷質比的離子可以穩定的通過電場。當極桿上的電壓被指定時，質量過小的離子會受到很大的電壓影響，從而進行非常激烈的震蕩，導致碰觸極桿失去電荷而被真空系統抽走；質量過大的離子