砷化鎵的結構特性
砷化鎵（gallium arsenide）是一種無機化合物，化學式為GaAs，為黑灰色固體，熔點1238℃。它在600℃以下能在空氣中穩定存在，并且不被非氧化性的酸侵蝕。......閱讀全文
砷化鎵的結構特性
砷化鎵（gallium arsenide）是一種無機化合物，化學式為GaAs，為黑灰色固體，熔點1238℃。它在600℃以下能在空氣中穩定存在，并且不被非氧化性的酸侵蝕。
砷化鎵材料的材料特性
GaAs擁有一些較Si還要好的電子特性，使得GaAs可以用在高于250 GHz的場合。如果等效的GaAs和Si元件同時都操作在高頻時，GaAs會產生較少的噪音。也因為GaAs有較高的崩潰壓，所以GaAs比同樣的Si元件更適合操作在高功率的場合。因為這些特性，GaAs電路可以運用在移動電話、衛星通訊、
砷化鎵的安全術語
S20/21：When using do not eat, drink or smoke.使用時，不得進食，飲水或吸煙。S28：After contact with skin, wash immediately with plenty of ... (to be specified by the m
砷化鎵的毒理資料
GaAs的毒性沒有被很完整的研究。因為它含有As，經研究指出，As是劇毒的。但是，因為GaAs的晶體很穩定，所以如果身體吸收了少量的GaAs，其實是可以忽略的。當要做晶圓拋光制程（磨GaAs晶圓使表面微粒變小）時，表面的區域會和水起反應，釋放或分解出少許的As。
砷化鎵的理化性質
密度：5.31g/cm3熔點：1238℃折射率：3.57相對介電常數：13.18電子親和能：4.07 eV晶格能：5.65×10-10m禁帶寬度：1.424e（300K）電子遷移率：8500 cm2/(V·s) （300 K）外觀：黑灰色固體
?砷化鎵生產方式介紹
GaAs屬于III-V族化合物半導體材料，其能隙為1.4eV，正好為高吸收率太陽光的值，與太陽光譜的匹配較適合，且能耐高溫，在250℃的條件下，光電轉換性能仍很良好，其最高光電轉換效率約30%，特別適合做高溫聚光太陽電池。砷化鎵生產方式和傳統的硅晶圓生產方式大不相同，砷化鎵需要采用磊晶技術制造，這種
砷化鎵材料的研究進展
砷化鎵于1964年進入實用階段。砷化鎵可以制成電阻率比硅、鍺高3個數量級以上的半絕緣高阻材料，用來制作集成電路襯底、紅外探測器、γ光子探測器等。由于其電子遷移率比硅大5～6倍，故在制作微波器件和高速數字電路方面得到重要應用。用砷化鎵制成的半導體器件具有高頻、高溫、低溫性能好、噪聲小、抗輻射能力強等優
氮化鎵的的結構特性
結構特性GaN纖鋅礦結構圖GaN的晶體結構主要有兩種，分別是纖鋅礦結構與閃鋅礦結構。
“重利用”開啟砷化鎵新時代
斯坦福大學的研究人員發明了一種可以大大降低生產砷化鎵電子設備成本的制造工藝，開辟了砷化鎵的新用途。 在電腦芯片、太陽能電池以及其它的電子設備中，半導體一直都是傳統的硅材料；硅制成的特殊材料擁有獨特的電性能-----可以控制（打開或關閉）電流，就像水龍頭控制水流一樣。當然，還
工業化砷化鎵的生產工藝介紹
工業化砷化鎵生長工藝包括：直拉法（Cz法）、水平布里其曼法（HB）、垂直布里其曼法（VB法）以及垂直梯度凝固法（VGF法）等。以上方法各有優劣，除了實際工藝制備的方法，另外一種就是通過計算機來實現砷化鎵的晶體生長數值模擬，如利用FEMAG/VB能模擬VB、VGF法生長工藝，利用FEMAG/Cz能模擬
最純砷化鎵半導體面世
美國普林斯頓大學研究人員在《自然·材料》雜志報告稱，他們研制出了世界上迄今最純凈的砷化鎵。該砷化鎵樣品的純度達到每100億個原子僅含有一個雜質，純度甚至超過了用于驗證一千克標準的世界上最純凈的硅樣品。 砷化鎵是一種半導體，主要用于為手機和衛星等提供電力。新研究得到的砷化鎵樣品呈正方形，邊長與一
砷化鎵pn結注入式激光器的結構功能
中文名稱砷化鎵p-n結注入式激光器英文名稱gallium arsenide p-n junction injection laser定 義以砷化鎵材料構成p-n結，以晶體解理面構成諧振腔，當p-n結中注入大電流，便以平行于結面的方向射出激光的激光器。應用學科機械工程（一級學科），光學儀器（二級學科
什么是砷化鎵太陽能電池？
單晶硅是制造太陽能電池的理想材料，但是由于其制取工藝相對復雜，耗能大，仍然需要其他更加廉價的材料來取代。為了尋找單晶硅電池的替代品，人們除開發了多晶硅，非晶硅薄膜太陽能電池外，又不斷研制其它材料的太陽能電池。其中主要包括砷化鎵III-V族化合物，硫化鎘，碲化鎘及銅錮硒薄膜電池等。
砷化鎵太陽能電池性能詳解
砷化鎵太陽能電池 GaAs屬于III-V族化合物半導體材料，其能隙為1.4eV，正好為高吸收率太陽光的值，與太陽光譜的匹配較適合，且能耐高溫，在250℃的條件下，光電轉換性能仍很良好，其最高光電轉換效率約30%，特別適合做高溫聚光太陽電池。 砷化鎵生產方式和傳統的硅晶圓生產方式大不相同，砷化鎵需
美開發出迄今最小砷化銦鎵晶體管
硅半導體作為微芯片之王的日子已經屈指可數了，據物理學家組織網近日報道，美國麻省理工學院科學家開發出了有史以來最小的砷化銦鎵晶體管。該校微系統技術實驗室科研團隊開發的這個復合晶體管，長度僅為22納米。研究團隊近日在舊金山舉行的國際電子設備會議上介紹了該項研究成果。 麻省理工學院電氣工程和計算
挪威研制最新半導體新材料砷化鎵納米線
挪威科技大學的研究人員近日成功開發出一種新型半導體工業復合材料“砷化鎵納米線”，并申請了技術專利，該復合材料基于石墨烯，具有優異的光電性能，在未來半導體產品市場上將極具競爭性，這種新材料被認作有望改變半導體工業新型設備系統的基礎。該項技術成果刊登在美國科學雜志納米快報上。 以Helge W
超純砷化鎵電子態遵守量子力學法則
據美國每日科學網站7月27日報道，美國科學家成功制造出了超純的砷化鎵，并讓其呈現出某種特殊的狀態，在這種狀態下，電子不再遵守單粒子的物理學法則而被它們之間的相互作用（由量子力學法則來解釋）所掌控，這種超純材料和狀態都有望用于高速量子計算機的研究中。 量子計算機使用電子的量子力
砷化鎵太陽能電池有望打破能效記錄
據美國物理學家組織網11月8日（北京時間）報道，美國科學家通過與傳統科學研究相反的新思路，用砷化鎵制造出了最高轉化效率達28.4%的薄膜太陽能電池。該太陽能電池效率提升的關鍵并非是讓其吸收更多光子而是讓其釋放出更多光子，未來用砷化鎵制造的太陽能電池有望突破能效轉化記錄的極限。
氮化鎵的的光學特性
人們關注的GaN的特性，旨在它在藍光和紫光發射器件上的應用。Maruska和Tietjen首先精確地測量了GaN直接隙能量為3.39eV。幾個小組研究了GaN帶隙與溫度的依賴關系，Pankove等人估算了一個帶隙溫度系數的經驗公式：dE/dT=－6.0×10－4eV/k。 Monemar測定了基本的
氮化鎵的的化學特性
在室溫下，GaN不溶于水、酸和堿，而在熱的堿溶液中以非常緩慢的速度溶解。NaOH、H2SO4和H3PO4能較快地腐蝕質量差的GaN，可用于這些質量不高的GaN晶體的缺陷檢測。GaN在HCL或H2氣下，在高溫下呈現不穩定特性，而在N2氣下最為穩定。
氮化鎵的的化學特性
在室溫下，GaN不溶于水、酸和堿，而在熱的堿溶液中以非常緩慢的速度溶解。NaOH、H2SO4和H3PO4能較快地腐蝕質量差的GaN，可用于這些質量不高的GaN晶體的缺陷檢測。GaN在HCL或H2氣下，在高溫下呈現不穩定特性，而在N2氣下最為穩定。
氮化鎵的的電學特性
GaN的電學特性是影響器件的主要因素。未有意摻雜的GaN在各種情況下都呈n型,最好的樣品的電子濃度約為4×1016/cm3。一般情況下所制備的P型樣品，都是高補償的。很多研究小組都從事過這方面的研究工作，其中中村報道了GaN最高遷移率數據在室溫和液氮溫度下分別為μn=600cm2/v·s和μn= 1
砷化鎵pn結注入式激光器的功能介紹
中文名稱砷化鎵p-n結注入式激光器英文名稱gallium arsenide p-n junction injection laser定 義以砷化鎵材料構成p-n結，以晶體解理面構成諧振腔，當p-n結中注入大電流，便以平行于結面的方向射出激光的激光器。應用學科機械工程（一級學科），光學儀器（二級學科
科學家研發出砷化鎵晶片批量生產技術
新一期英國《自然》雜志報告說，美國研究人員研發出一種可批量生產砷化鎵晶片的技術，克服了成本上的瓶頸，從而使砷化鎵這種感光性能比硅更優良的材料有望大規模用于半導體和太陽能相關產業。 據介紹，砷化鎵是一種感光性能比當前廣泛使用的硅更優良的材料，理論上它可將接收到的陽光的40%轉
國電光伏砷化鎵電池通過德國Fraunhofer－ISE檢測機構認證
日前，國電光伏科技宣布，公司柔性薄膜砷化鎵電池順利通過德國Fraunhofer ISE檢測機構(世界三大權威檢測機構之一)認證。 經檢測，國電光伏柔性薄膜砷化鎵電池轉換效率達到34.5%(AM1.5G)，是目前世界上已報道的效率最高的柔性薄膜太陽能電池。 據了解，通過國電光伏自主研發的獨特工
半導體所在砷化鎵/鍺中拓撲相研究方面獲重要發現
中國科學院半導體研究所常凱研究組提出利用表面極化電荷在傳統常見半導體材料GaAs/Ge中實現拓撲絕緣體相。通過第一性原理計算和多帶k.p理論成功地證明了GaAs/Ge極化電荷誘導的拓撲絕緣體相，這為拓撲絕緣體的器件應用又向前推進了一步。 拓撲絕緣體是目前凝聚態物理的前沿熱點問題之一。它具有
新型半導體工業復合材料“砷化鎵納米線”獲得技術ZL
近日挪威科技大學的研究人員成功開發出一種新型半導體工業復合材料“砷化鎵納米線”，并申請了技術ZL，該復合材料基于石墨烯，具有優異的光電性能，在未來半導體產品市場上將極具競爭性，這種新材料被認作有望改變半導體工業新型設備系統的基礎。該項技術成果刊登在美國科學雜志納米快報上。 以Helge
蘇州納米所基于高效砷化鎵電池的聚光光伏發電系統獲進展
基于高效砷化鎵電池的聚光型光伏發電系統是未來光伏領域的重要發展方向，具有穩定、高效、低成本等諸多優越性。太陽能光伏發電廠有明顯的節能減排效果，同時大大減小了土地使用面積，發電系統所覆蓋的土地也可以間歇性的受到光照，不影響當地植被的生存，具有就近就地分散發供電，進入和退出電網靈活的
漢能10兆瓦砷化鎵太陽能電池制造基地落戶武漢
日前，漢能薄膜發電集團有限公司在北京與湖北武漢市黃陂區政府簽訂投資合作協議，漢能薄膜發電將在黃陂臨空產業園投資建設10兆瓦砷化鎵(GaAs)薄膜太陽能電池研發制造基地，該項目將成為全世界產量最大的砷化鎵太陽能電池生產基地。其中一期建設規模3兆瓦，并為實施項目設立項目公司。
納米線技術能將太陽能電池效率翻倍
挪威科技大學（NTNU）研究小組開發了一種使用半導體納米線材料制造超高效率太陽能電池的方法。如將其用于傳統的硅基太陽能電池，這一方法有望以低成本將當今硅太陽能電池的效率提高一倍。該研究論文發表在美國化學學會期刊《ACS光子學》上。 新技術主要開發者、NTNU博士研究生安詹·穆克吉表示，他們的新方