元素半導體的概念
元素半導體指以單一元素組成的半導體，屬于這一材料的有硼、鍺、硅、灰錫、銻、硒、碲等，其中以鍺、硅、錫研究較早，制備工藝相對成熟。......閱讀全文
半導體激光器在半導體激光打標機中的應用
半導體激光器在半導體激光打標機中的應用：半導體激光器因其使用壽命長、激光利用效率高、熱能量比YAG激光器小、體積小、性價比高、用電省等一系列優勢而成為2010年熱賣產品，e網激光生產的國產半導體激光器的出現，加速了以半導體激光器為主要耗材的半導體激光機取代YAG激光打標機市場份額的步伐。
半導體所等關于磁性半導體(Ga,Mn)As的研究獲得進展
最近，《納米快報》雜志報道了中科院半導體研究所超晶格室趙建華研究員和博士生陳林將磁性半導體(Ga,Mn)As居里溫度提高到200K的研究成果，此項工作是與楊富華研究組以及美國佛羅里達州立大學Stephan von Molnár教授和熊鵬教授研究組合作完成的。 (Ga,Mn)A
元素
元素定義：是具有相同質子數(核電荷數)的同一類原子的總稱，到目前為止，人們在自然中發現的元素有90余種，人工合成的元素有20余種. 元素(element)又稱化學元素，指自然界中一百多種基本的金屬和非金屬物質，它們只由幾種有共同特點的原子組成，其原子中的每一原子核具有同樣數量的質子，質子數來
影響半導體導電的因素
主要是摻入的雜質種類和數量、以及工作溫度，從而影響到載流子濃度和遷移率，結果使得半導體的電導率發生變化。
含雜質半導體的定義
相對于無雜質半導體，含有雜質的半導體叫做含雜質半導體（extrinsic semiconductor）。
半導體的光電導簡介
半導體的光電導（photo conductivity of semiconductor）是指光照射半導體使電導增大的現象。本征半導體的電導能力（電導率）很小，經光照射后半導體內部產生光生載流子（電子或空穴），使其導電能力加大。光照射前后半導體電導的改變與光的波長、強度以及半導體中雜質缺陷態的能級
半導體材料的基本特性
自然界的物質、材料按導電能力大小可分為導體、半導體和絕緣體三大類。半導體的電阻率在1mΩ·cm～1GΩ·cm范圍（上限按謝嘉奎《電子線路》取值，還有取其1/10或10倍的；因角標不可用，暫用當前描述）。在一般情況下，半導體電導率隨溫度的升高而降低。
非晶半導體的定義
非晶半導體又稱無定形半導體或玻璃半導體，非晶態固體中具有半導電性的一類材料。具有亞穩態結構，組成原子的排列是短程有序、長程無序，鍵合力未發生變化，只是鍵長和鍵角略有不同。按鍵合力性質有共價鍵半導體，包括四面體的Si、Ge、SiC、ZnSn、GaAs、GaSb等，“鏈狀”的S、Se、Te、As2Se3
半導體ATE設備的作用
在元器件的工藝流程中，根據工藝的需要，存在著各種需要測試的環節。目的是為了篩選殘次品，防止進入下一道的工序，減少下一道工序中的冗余的制造費用。這些環節需要通過各種物理參數來把握，這些參數可以是現實物理世界中的光，電，波，力學等各種參量，但是，目前大多數常見的是電子信號的居多。ATE設計工程師們要
稀磁性半導體的應用
稀磁性半導體是指非磁性半導體中的部分原子被過渡金屬元素取代后形成的磁性半導體，因兼具有半導體和磁性的性質，即在一種材料中同時應用電子電荷和自旋兩種自由度，因而引起廣泛關注，尚處于研究階段。
半導體材料的基本特性
自然界的物質、材料按導電能力大小可分為導體、半導體和絕緣體三大類。半導體的電阻率在1mΩ·cm～1GΩ·cm范圍（上限按謝嘉奎《電子線路》取值，還有取其1/10或10倍的；因角標不可用，暫用當前描述）。在一般情況下，半導體電導率隨溫度的升高而降低。
半導體材料的應用介紹
制備不同的半導體器件對半導體材料有不同的形態要求，包括單晶的切片、磨片、拋光片、薄膜等。半導體材料的不同形態要求對應不同的加工工藝。常用的半導體材料制備工藝有提純、單晶的制備和薄膜外延生長。所有的半導體材料都需要對原料進行提純，要求的純度在6個“9”以上，最高達11個“9”以上。提純的方法分兩大類，
半導體的分類及性能
（1）元素半導體。元素半導體是指單一元素構成的半導體，其中對硅、硒的研究比較早。它是由相同元素組成的具有半導體特性的固體材料，容易受到微量雜質和外界條件的影響而發生變化。目前， 只有硅、鍺性能好，運用的比較廣，硒在電子照明和光電領域中應用。硅在半導體工業中運用的多，這主要受到二氧化硅的影響，能夠在器
無雜質半導體的定義
無雜質半導體（intrinsic semiconductor，亦稱作i型半導體）是指未摻入雜質的半導體。半導體制作過程中的一個重要步驟就是摻入雜質（doping）。
半導體器件的開關特性
MOS的基本元件是MOS管。MOS管是一種電壓控制器件，它的3個電極分別稱為柵極(G)、漏極（D）和源極（S），由柵極電壓控制漏源電流。MOS管根據結構的不同可分為P型溝道MOS管和N型溝道MOS管兩種，每種又可按其工作特性進一步分為增強型和耗盡型兩類。 1、靜態特性 MOS管作為開
半導體材料的提純方法
半導體材料的提純“主要是除去材料中的雜質。提純方法可分化學法和物理法。化學提純是把材料制成某種中間化合物以便系統地除去某些雜質，最后再把材料（元素）從某種容易分解的化合物中分離出來。物理提純常用的是區域熔煉技術，即將半導體材料鑄成錠條，從錠條的一端開始形成一定長度的熔化區域。利用雜質在凝固過程中的分
磁性半導體的發展歷史
第一代磁性半導體關于磁性半導體的研究可以追溯到20世紀60年代。我們首先來簡單回顧一下關于濃縮磁性半導體（Concentrated Magnetic Semiconductor）的研究進展。所謂濃縮磁性半導體即在每個晶胞相應的晶格位置上都含有磁性元素原子的磁性半導體，例如Eu或Cr的硫族化合物：巖鹽
含雜質半導體的原理
半導體中的雜質對電阻率的影響非常大。半導體中摻入微量雜質時，雜質原子附近的周期勢場受到干擾并形成附加的束縛狀態，在禁帶中產加的雜質能級。例如四價元素鍺或硅晶體中摻入五價元素磷、砷、銻等雜質原子時，雜質原子作為晶格的一分子，其五個價電子中有四個與周圍的鍺（或硅）原子形成共價結合，多余的一個電子被束縛于
常見的半導體材料介紹
常見的半導體材料有硅、鍺、砷化鎵等，硅是各種半導體材料應用中最具有影響力的一種。
磁性半導體的應用特點
磁性半導體（英語：Magnetic semiconductor）是一種同時體現鐵磁性（或者類似的效應）和半導體特性的半導體材料。如果在設備里使用磁性半導體，它們將提供一種新型的導電方式。傳統的電子元件都是以控制電荷自由度（從而有n型和p型半導體）為基礎工作，磁性半導體能控制電子的自旋自由度（于是有了
半導體材料的早期應用
半導體的第一個應用就是利用它的整流效應作為檢波器，就是點接觸二極管（也俗稱貓胡子檢波器，即將一個金屬探針接觸在一塊半導體上以檢測電磁波）。除了檢波器之外，在早期，半導體還用來做整流器、光伏電池、紅外探測器等，半導體的四個效應都用到了。從1907年到1927年，美國的物理學家研制成功晶體整流器、硒整流
半導體材料的早期應用
半導體的第一個應用就是利用它的整流效應作為檢波器，就是點接觸二極管（也俗稱貓胡子檢波器，即將一個金屬探針接觸在一塊半導體上以檢測電磁波）。除了檢波器之外，在早期，半導體還用來做整流器、光伏電池、紅外探測器等，半導體的四個效應都用到了。從1907年到1927年，美國的物理學家研制成功晶體整流器、硒整流
半導體的光電導概述
半導體的 光電導是指半導體受光照而引起電導率的改變。最早是1873年W.史密斯在 硒上發現的。 20世紀的前40年內，又先后在 氧化亞銅、 硫化鉈、 硫化鎘等 材料中發現，并利用這 現象制成幾種可用作光強 測量及 自動控制的 光電管。自40年代開始，由于 半導體物理學的發展，先是 硫化鉛的，爾后
半導體材料的特性參數
半導體材料雖然種類繁多但有一些固有的特性，稱為半導體材料的特性參數。這些特性參數不僅能反映半導體材料與其他非半導體材料之間的差別，而且更重要的是能反映各種半導體材料之間甚至同一種材料在不同情況下特性上的量的差別。常用的半導體材料的特性參數有：禁帶寬度、電阻率、載流子遷移率(載流子即半導體中參加導電的
常用的半導體材料介紹
常用的半導體材料分為元素半導體和化合物半導體。元素半導體是由單一元素制成的半導體材料。主要有硅、鍺、硒等，以硅、鍺應用最廣。化合物半導體分為二元系、三元系、多元系和有機化合物半導體。二元系化合物半導體有Ⅲ-Ⅴ族（如砷化鎵、磷化鎵、磷化銦等）、Ⅱ-Ⅵ族（如硫化鎘、硒化鎘、碲化鋅、硫化鋅等）、 Ⅳ-Ⅵ族
常見的半導體材料特點
常見的半導體材料有硅（si）、鍺（ge），化合物半導體，如砷化鎵（gaas）等;摻雜或制成其它化合物半導體材料，如硼（b）、磷（p）、錮（in）和銻（sb）等。其中硅是最常用的一種半導體材料。有以下共同特點：1．半導體的導電能力介于導體與絕緣體之間2．半導體受外界光和熱的刺激時，其導電能力將會有顯著
半導體的原理是什么
原理：在極低溫度下，半導體的價帶是滿帶（見能帶理論），受到熱激發后，價帶中的部分電子會越過禁帶進入能量較高的空帶，空帶中存在電子后成為導帶，價帶中缺少一個電子后形成一個帶正電的空位，稱為空穴。空穴導電并不是實際運動，而是一種等效。電子導電時等電量的空穴會沿其反方向運動。它們在外電場作用下產生定向運動
半導體的基本化學特征
半導體的基本化學特征在于原子間存在飽和的共價鍵。作為共價鍵特征的典型是在晶格結構上表現為四面體結構,所以典型的半導體材料具有金剛石或閃鋅礦(ZnS)的結構。?由于地球的礦藏多半是化合物，所以最早得到利用的半導體材料都是化合物,例如方鉛礦(PbS)很早就用于無線電檢波，氧化亞銅(Cu2O)用作固體整流
半導體是何時發現的？
1833年，英國科學家電子學之父法拉第最先發現硫化銀的電阻隨著溫度的變化情況不同于一般金屬，一般情況下，金屬的電阻隨溫度升高而增加，但法拉第發現硫化銀材料的電阻是隨著溫度的上升而降低。這是半導體現象的首次發現。?不久，1839年法國的貝克萊爾發現半導體和電解質接觸形成的結，在光照下會產生一個電壓，這
半導體材料的制備方法
不同的半導體器件對半導體材料有不同的形態要求，包括單晶的切片、磨片、拋光片、薄膜等。半導體材料的不同形態要求對應不同的加工工藝。常用的半導體材料制備工藝有提純、單晶的制備和薄膜外延生長。所有的半導體材料都需要對原料進行提純，要求的純度在6個“9”以上 ，最高達11個“9”以上。提純的方法分兩大類，一