電子型半導體的發展應用
半導體器件的最基本組成單元為PN結，PN結具有正向導通反向絕緣的功能，因此半導體器件在邏輯計算、信號傳輸、電力轉換等諸多方面呈現出巨大優勢。自1947年第一個半導體二極管在貝爾實驗室誕生以來，半導體徹底變革了人類的生產生活方式，全球社會陸續從電氣時代進入信息化時代，并加速向萬物互聯時代和人工智能智能邁進。作為未來新型基礎設施建設的物質基礎，半導體產業發展的后勁依然十足，尤其是人工智能、5G通信、新能源汽車、能源互聯網等行業給半導體發展帶來了新的增長點。......閱讀全文
電子型半導體的發展應用
半導體器件的最基本組成單元為PN結，PN結具有正向導通反向絕緣的功能，因此半導體器件在邏輯計算、信號傳輸、電力轉換等諸多方面呈現出巨大優勢。自1947年第一個半導體二極管在貝爾實驗室誕生以來，半導體徹底變革了人類的生產生活方式，全球社會陸續從電氣時代進入信息化時代，并加速向萬物互聯時代和人工智能智能
電子型半導體的概念
也稱為電子型半導體。N型半導體即自由電子濃度遠大于空穴濃度的雜質半導體。
電子型半導體的技術特點
半導體是一種導電能力介于導體和絕緣體之間的物質，其按照載流子（或晶體缺陷）的不同可分為P型半導體和N型半導體，半導體的導電性能與載流子（晶體缺陷）的密度有很大關系。半導體中有兩種載流子，即價帶中的空穴和導帶中的電子，以電子導電為主的半導體稱之為N型半導體，與之相對的，以空穴導電為主的半導體稱為P型半
電子型半導體的形成原理
摻雜和缺陷均可造成導帶中電子濃度的增高。對于鍺、硅類半導體材料，摻雜Ⅴ族元素(磷、砷、銻等)，當雜質原子以替位方式取代晶格中的鍺、硅原子時，可提供除滿足共價鍵配位以外的一個多余電子，這就形成了半導體中導帶電子濃度的增加，該類雜質原子稱為施主。Ⅲ-Ⅴ族化合物半導體的施主往往采用Ⅳ或Ⅵ族元素。某些氧化物
電子/半導體的概述
定義：電阻率介于金屬和絕緣體之間并有負的電阻溫度系數的物質稱為半導體： 簡介：室溫時電阻率約在1mΩ·cm～1GΩ·cm之間（上限按謝嘉奎《電子線路》取值，還有取其1/10或10倍的；因上角標暫不可用，暫用當前方法描述），溫度升高時電阻率則減小。半導體材料很多，按化學成分可分為元素半導體和化合
EDI超純水設備在電子半導體行業的應用
電子半導體行業生產過程中對水的應用要求較高，因此大多企業都會選擇性價比較高的EDI超純水設備。電子半導體行業EDI超純水設備通常由多介質過濾器，活性碳過濾器，鈉離子軟化器、精密過濾器等構成預處理系統、RO反滲透主機系統、離子交換混床(EDI電除鹽系統)系統等構成主要設備系統。 原水箱、中間水箱、
氮化鎵半導體材料新型電子器件應用
GaN材料系列具有低的熱產生率和高的擊穿電場，是研制高溫大功率電子器件和高頻微波器件的重要材料。目前，隨著 MBE技術在GaN材料應用中的進展和關鍵薄膜生長技術的突破，成功地生長出了GaN多種異質結構。用GaN材料制備出了金屬場效應晶體管（MESFET）、異質結場效應晶體管(HFET)、調制摻雜場效
半導體激光器在電子焊接領域的應用
高密度互連隨著電子器件和集成電路的微型發展，使得傳統的軟熔焊接方法不斷受到挑戰。如何在高密度相互連接中成功地完成對每個細小的焊腳的焊接，而不造成相鄰焊腳間的粘連和電路板的熱損壞，采用激光進行無接觸焊接成為解決方案之一。以前，能夠提供足夠功率的激光器大多體積龐大、日常維護成本高，因此很不實用。但是，隨
電子/半導體的主要應用在哪些方面
現在的電子電路里面基本上離不開半導體器件， 咱們用的電腦手機，里面的集成電路就是用半導體做的，主要是用 硅做材料。各種電器里面的電路也都要用到半導體器件。在電力系統 （如晶閘管）、光電領域（激光、LED、CCD、照相機的鏡頭）都有廣泛應用。 集成電路 它是半導體技術發展中最活躍的一個領域，已發
CMIC：幾種主要半導體材料的應用與發展現狀
20世紀中期，單晶硅和半導體晶體管的發明及硅集成電路的研制成功，引發了電子工業革命；20世紀70年代初，石英光導纖維材料和GaAs激光器的發明，促進了光纖通信技術的跨越式發展并逐步形成高新技術產業……隨著科技發展，半導體材料越來越多，其在各行業中的應用，深刻地改變著人們的生活方式。那么，現階段幾
磁性半導體的發展歷史
第一代磁性半導體關于磁性半導體的研究可以追溯到20世紀60年代。我們首先來簡單回顧一下關于濃縮磁性半導體（Concentrated Magnetic Semiconductor）的研究進展。所謂濃縮磁性半導體即在每個晶胞相應的晶格位置上都含有磁性元素原子的磁性半導體，例如Eu或Cr的硫族化合物：巖鹽
溫濕度記錄儀在電子半導體行業的應用
一、濕度對電子元器件和整機的危害絕大部分電子產品都要求在干燥條件下作業和存放。據統計，全球每年有1/4以上的工業制造不良品與潮濕的危害有關。對于電子工業，潮濕的危害已經成為影響產品質量的主要因素之一。1．集成電路：潮濕對半導體產業的危害主要表現在潮濕能透過IC塑料封裝從引腳等縫隙侵入IC內部，產生I
電子/半導體的特性有哪些？
半導體[2]五大特性∶摻雜性，熱敏性，光敏性，負電阻率溫度特性，整流特性。 ★在形成晶體結構的半導體中，人為地摻入特定的雜質元素，導電性能具有可控性。 ★在光照和熱輻射條件下，其導電性有明顯的變化。
半導體的應用介紹
半導體在集成電路、消費電子、通信系統、光伏發電、照明、大功率電源轉換等領域都有應用，如二極管就是采用半導體制作的器件。
半導體的應用介紹
半導體在集成電路、消費電子、通信系統、光伏發電、照明、大功率電源轉換等領域都有應用，如二極管就是采用半導體制作的器件。
P型半導體的主要作用
空穴型半導體又稱P型半導體，是以帶正電的空穴導電為主的半導體。在純硅中摻入微量3價元素銦或鋁，由于銦或鋁原子周圍有3個價電子，與周圍4價硅原子組成共價結合時缺少一個電子，形成一個空穴。空穴相當于帶正電的粒子，在這類半導體的導電中起主要作用。
P型半導體的形成原因
在純凈的硅晶體中摻入三價元素（如硼），使之取代晶格中硅原子的位置，就形成P型半導體。在P型半導體中，空穴為多子，自由電子為少子，主要靠空穴導電。由于P型半導體中正電荷量與負電荷量相等，故P型半導體呈電中性。空穴主要由雜質原子提供，自由電子由熱激發形成。
半導體材料的發展現狀
相對于半導體設備市場，半導體材料市場長期處于配角的位置，但隨著芯片出貨量增長，材料市場將保持持續增長，并開始擺脫浮華的設備市場所帶來的陰影。按銷售收入計算，日本保持最大半導體材料市場的地位。然而臺灣、ROW、韓國也開始崛起成為重要的市場，材料市場的崛起體現了器件制造業在這些地區的發展。晶圓制造材料市
半導體材料的發展現狀
相對于半導體設備市場，半導體材料市場長期處于配角的位置，但隨著芯片出貨量增長，材料市場將保持持續增長，并開始擺脫浮華的設備市場所帶來的陰影。按銷售收入計算，日本保持最大半導體材料市場的地位。然而臺灣、ROW、韓國也開始崛起成為重要的市場，材料市場的崛起體現了器件制造業在這些地區的發展。晶圓制造材料市
P型半導體的主要特點
摻入的雜質越多，多子（空穴）的濃度就越高。
半導體材料的應用介紹
制備不同的半導體器件對半導體材料有不同的形態要求，包括單晶的切片、磨片、拋光片、薄膜等。半導體材料的不同形態要求對應不同的加工工藝。常用的半導體材料制備工藝有提純、單晶的制備和薄膜外延生長。所有的半導體材料都需要對原料進行提純，要求的純度在6個“9”以上，最高達11個“9”以上。提純的方法分兩大類，
稀磁性半導體的應用
稀磁性半導體是指非磁性半導體中的部分原子被過渡金屬元素取代后形成的磁性半導體，因兼具有半導體和磁性的性質，即在一種材料中同時應用電子電荷和自旋兩種自由度，因而引起廣泛關注，尚處于研究階段。
半導體材料的早期應用
半導體的第一個應用就是利用它的整流效應作為檢波器，就是點接觸二極管（也俗稱貓胡子檢波器，即將一個金屬探針接觸在一塊半導體上以檢測電磁波）。除了檢波器之外，在早期，半導體還用來做整流器、光伏電池、紅外探測器等，半導體的四個效應都用到了。從1907年到1927年，美國的物理學家研制成功晶體整流器、硒整流
磁性半導體的應用特點
磁性半導體（英語：Magnetic semiconductor）是一種同時體現鐵磁性（或者類似的效應）和半導體特性的半導體材料。如果在設備里使用磁性半導體，它們將提供一種新型的導電方式。傳統的電子元件都是以控制電荷自由度（從而有n型和p型半導體）為基礎工作，磁性半導體能控制電子的自旋自由度（于是有了
半導體材料的早期應用
半導體的第一個應用就是利用它的整流效應作為檢波器，就是點接觸二極管（也俗稱貓胡子檢波器，即將一個金屬探針接觸在一塊半導體上以檢測電磁波）。除了檢波器之外，在早期，半導體還用來做整流器、光伏電池、紅外探測器等，半導體的四個效應都用到了。從1907年到1927年，美國的物理學家研制成功晶體整流器、硒整流
稀磁性半導體的發展前景
稀磁半導體兼具半導體和磁性材料的性質，使同時利用半導體中的電子電荷與電子自旋成為可能，為開辟半導體技術新領域以及制備新型電子器件提供了條件。盡管對于DMS材料應用的研究尚處于實驗探索階段，但已展示出其廣闊的應用前景。如將 DMS材料用作磁性金屬與半導體的界面層，實現自旋極化的載流子向非磁性半導體中的
半導體探測器的發展歷史
半導體探測器的前身可以認為是晶體計數器 。早在1926年就有人發現某些固體電介質在核輻射下產生電導現象。后來，相繼出現了氯化銀、金剛石等晶體計數器。但是，由于無法克服晶體的極化效應問題，迄今為止只有金剛石探測器可以達到實用水平。半導體探測器發現較晚，1949年開始有人用α 粒子照射鍺半導體點接觸
半導體激光器的發展
半導體物理學的迅速發展及隨之而來的晶體管的發明，使科學家們早在50年代就設想發明半導體激光器，60年代早期，很多小組競相進行這方面的研究。在理論分析方面，以莫斯科列別捷夫物理研究所的尼古拉·巴索夫的工作最為杰出。在1962年7月召開的固體器件研究國際會議上，美國麻省理工學院林肯實驗室的兩名學者克耶斯
半導體ATE設備發展史
自動化測試設備（ATE，Automatic Test Equipment）是一種通過計算機控制進行器件、電路板和子系統等測試的設備。通過計算機編程取代人工勞動，自動化的完成測試序列。自動化測試設備（ATE）已是全球半導體設備產業之中的重要組成部分。 自動化測試設備（ATE）的應用場合涵蓋集成電
半導體集成電路的發展趨勢
就lC產業技術發展的實際情況來看，lC集成度增長速度的降低，并不會導致微電子行業的停滯不前，IC產業可以在產品的多樣性方面以及產品性能方面實現現代化發展。隨著IC產業的不斷發展，IC產品能夠更加滿足市場的實際需求，IC產業設計人員可以結合行業客戶的實際需求來對IC產品進行設計和制造，進而推出多樣