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  • 硅基全電池的其他重要參數

    初始庫侖效率(ICE)是全電池設計的關鍵,因為它對活性材料的利用率起著決定性的作用,從而影響適用電池的總重量。然而,大多數關于硅負極LIBs的研究都集中在實驗室。在實驗研究中,通常采用金屬鋰作為對電極,但鋰通常過量,這使得第一次嵌鋰過程中SEI膜形成和副反應引起的Li+損失不會顯著惡化循環穩定性。在全電池中,鋰離子的供應是有限的,主要來自含鋰的正極。鋰離子的任何損失都會極大地損害整個電池的能量密度和循環穩定性。因此,Si負極的低ICE成為限制全電池實際能量密度的關鍵因素,也是當前研究的重點和難點。為了提高硅負極的ICE,已經提出了許多策略,例如電解質添加劑、比表面積控制和預鋰化。其中,預鋰化被認為是提高硅負極ICE的有效且可靠的途徑。總的來說,負極預鋰化的成熟度較高,也是目前動力鋰電池生產企業采用的主要方法之一。然而,高成本和安全問題是預鋰化不可避免的一部分。相比之下,正極預鋰化材料顯示出更高的開路電壓(> 1 V)和更好......閱讀全文

    硅基全電池的其他重要參數

    初始庫侖效率(ICE)是全電池設計的關鍵,因為它對活性材料的利用率起著決定性的作用,從而影響適用電池的總重量。然而,大多數關于硅負極LIBs的研究都集中在實驗室。在實驗研究中,通常采用金屬鋰作為對電極,但鋰通常過量,這使得第一次嵌鋰過程中SEI膜形成和副反應引起的Li+損失不會顯著惡化循環穩定性。在

    硅基混合能源電池研究取得重要進展

      在過去十年里,由于能源危機和全球變暖現象的出現,可再生能源和綠色能源的利用引起了廣泛的關注。硅基太陽能電池以其低成本、高性能和大規模生產等特點得到人們的廣泛肯定。   硅太陽能電池是目前最成熟的太陽能電池技術之一。光調控是一種有效提升太陽能電池性能的方法,如通過增強光吸收能力和制造各種金字塔表

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      基于硅基微納波導的硅基光子學由于可以實現超小體積、低能耗、CMOS兼容的單片高密度光電集成,已被各國公認為突破計算機和通信超大容量、超高速信息傳輸和處理瓶頸的最理想技術之一。   日前,中科院半導體研究所在該領域取得世界領先水平的重大技術突破。半導體所由王啟明院士率先開展硅基光子學研究,近年來

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      薄膜太陽能電池是新型高效率、高穩定性硅基薄膜太陽能電池,具有成本低、弱光響應好、能量返還期短等突出優點。6月15日,由漢能控股集團投資興建的我國最大的漢能硅基薄膜太陽能電池項目在成都雙流西航港經濟開發區建成投產。這標志著我國有自主知識產權的薄膜太陽能電池量產取得重大突破,也標

    鋰離子電池正極材料要在全電池中的重要作用

      鋰離子電池正極材料要在全電池中發揮最優良的性能,需要在材料組成優化的前提下,進一步優化材料的晶體結構、顆粒結構與形貌、顆粒表面化學、材料堆積密度和壓實密度等物理化學性質,同時還需要嚴防工藝過程引入微量金屬雜質。當然,穩定、高質量的大規模生產是材料在電池制造中性能穩定的重要的保障。隨著鋰電技術的日

    俄美研制新材料太陽能電池,或能取代硅基電池

      硅基太陽能電池從20世紀中葉研發到現在也有幾十年了,這幾十年中,關于太陽能發電領域一直也沒有什么革命性的突破。硅基電池雖然非常流行,但是其技術缺陷也十分明顯,比如制作耗能、成本高,電池脆弱、重量大等等。而這些問題都將被解決,因為俄美聯合推出了新材料。  俄羅斯莫斯科鋼鐵合金學院和美國德克薩斯大學

    其他重要的輔酶的意義

    1、輔酶Q(CoQ) 輔酶 Q是生物體內廣為分布的一類醌類物質,又稱為泛醌。存在于線粒體內膜中,是生物氧化呼吸鏈中的一個不可缺少的氫遞體,具有重要的生理意義。輔酶 Q側鏈的異戊二烯單位的長度對于不同的生物種可以是不同的。2、谷胱甘肽(Glutathion) 谷胱甘肽是一個小分子量的胞內三肽,即γ-L

    半導體所硅基集成光學導向邏輯器件研究獲重要進展

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    硅基負極材料的性能特點

    更高的正極比容量、更高的負極比容量和更高的電池電壓(以及更少的輔助組元),是高能量密度電池的理論實現路徑。正極材料的比容量相對更低,性能提升對電池(單體)作用顯著;負極比容量提升對于電池能量密度提升仍有相當程度作用。硅材料的理論比容量遠高于(約10倍)已逼近性能極限的石墨,有望成為高能量密度鋰電池的

    什么是硅基負極材料?

    更高的正極比容量、更高的負極比容量和更高的電池電壓(以及更少的輔助組元),是高能量密度電池的理論實現路徑。正極材料的比容量相對更低,性能提升對電池(單體)作用顯著;負極比容量提升對于電池能量密度提升仍有相當程度作用。硅材料的理論比容量遠高于(約10倍)已逼近性能極限的石墨,有望成為高能量密度鋰電池的

    通過ALD方式制備納米結構的黑色硅基太陽能電池

      運用納米技術可以極大地提高光伏的光電轉換效率,芬蘭阿爾托大學的研究者通過ALD技術與納米技術研制的黑色電池是一個不錯的例子。納米結構的制備是通過等離子體刻蝕完成的,這可以極大地削弱光線的反射。此外,ALD方式制備出恰當的鈍化薄層可以使表面層的載流子復合減少。   "納米結構的黑色電池的工作性能

    高性能硅基薄膜太陽能電池組件湖南下線

      5月9日,具有自主知識產權的高性能硅基薄膜太陽能電池組件在湖南共創光伏科技有限公司正式下線。湖南省委常委、副省長陳肇雄出席投產儀式。據該公司首席科學家李廷凱介紹,這是全國乃至全球最先進的一條硅基薄膜太陽能電池生產線,可生產出光電轉化率達12%的產品,而目前同類產品的光電轉化率一般在9%以下。 

    鋰離子電池與其他電池的區別

      鋰離子電池容易與下面兩種電池混淆  (1)鋰電池:以金屬鋰為負極。  (2)鋰離子電池:使用非水液態有機電解質。  (3)鋰離子聚合物電池:用聚合物來凝膠化液態有機溶劑,或者直接用全固態電解質。鋰離子電池一般以石墨類碳材料為負極。

    可控硅的主要參數

    電流  額定通態電流(IT)即最大穩定工作電流,俗稱電流。常用可控硅的IT一般為一安到幾十安。耐壓  反向重復峰值電壓(VRRM)或斷態重復峰值電壓(VDRM),俗稱耐壓。常用可控硅的VRRM/VDRM一般為幾百伏到一千伏。觸發電流  控制極觸發電流(IGT),俗稱觸發電流。常用可控硅的IGT一般為

    可控硅的主要參數

    平均值  額定通態平均電流IT在一定條件下,陽極---陰極間可以連續通過的50赫茲正弦半波電流的平均值。峰值電壓    1、 反向陰斷峰值電壓VPR當可控硅加反向電壓,處于反向關斷狀態時,可以重復加在可控硅兩端的反向峰值電壓。使用時,不能超過手冊給出的這個參數值。  2、 控制極觸發電流Ig1 、觸

    可控硅的電流相關參數

        ⒈ 額定通態電流(IT)即最大穩定工作電流,俗稱電流。常用可控硅的IT一般為一安到幾十安。  ⒉反向重復峰值電壓(VRRM)或斷態重復峰值電壓(VDRM),俗稱耐壓。常用可控硅的VRRM/VDRM一般為幾百伏到一千伏。  ⒊ 控制極觸發電流(IGT),俗稱觸發電流。常用可控硅的IGT一般為幾

    可控硅的主要參數

    電流  額定通態電流(IT)即最大穩定工作電流,俗稱電流。常用可控硅的IT一般為一安到幾十安。耐壓  反向重復峰值電壓(VRRM)或斷態重復峰值電壓(VDRM),俗稱耐壓。常用可控硅的VRRM/VDRM一般為幾百伏到一千伏。觸發電流  控制極觸發電流(IGT),俗稱觸發電流。常用可控硅的IGT一般為

    舊電池的崛起——鎳基電池

      隨著工業改革步伐的加快,汽車行業面臨著許多方面的調整,節能減排是最受到關注的,BASF化學公司就此在汽車電池上面做了相關研究,并發現鎳氫電池的儲能能力可以改善汽車的耗能,因此,舊型鎳基電池將會重新崛起,讓我們拭目以待。  BASF化學公司說,現在用在混合動力車上的普通電池性能

    其他薄膜沉積設備的重要性

      沉積是半導體制造工藝中的一個非常重要的技術,其是一連串涉及原子的吸附、吸附原子在表面擴散及在適當的位置下聚結,以漸漸形成薄膜并成長的過程。在一個新晶圓投資建設中,晶圓廠80%的投資用于購買設備。其中,薄膜沉積設備是晶圓制造的核心步驟之一,占據著約25%的比重。

    李靜海調研物理所高效硅基太陽電池研究工作

      3月14日上午,中國科學院副院長李靜海在物理所調研高效硅基太陽電池研發工作。     物理所杜小龍研究員匯報了高效黑硅太陽能電池的研發進展,詳細介紹了催化刻蝕法制備納米結構獲得低反射單晶硅片和多晶硅片的工藝特點以及后續有關電池制作的一系列創新工藝,分析了相關技術進行產業開發的前景

    鐵鋰電池與其他電池的對比介紹

      磷酸鐵鋰電池與傳統的鉛酸蓄電池相比,具有以下優點:  (1) 能量密度高:標稱電壓為3.2V,能量密度是鉛酸電池的4倍左右,體積小、重量輕;  (2)安全性強:磷酸鐵鋰正極材料具有良好的電化學性能,充放電平臺十分平穩,充放電過程中結構穩定;  (3)高溫性能好:外部溫度55℃時電池正常工作;  

    硅光子平臺開發獲重要成果

      近日,中國科學院微電子研究所集成電路先導工藝研發中心研究員閆江團隊在硅光子平臺開發方面取得新進展,完成硅基波導集成的鍺探測器和硅基調制器的流片并取得優良結果。  硅光子技術是集成電路后摩爾時代的發展方向之一,旨在利用基于互補金屬氧化物半導體(CMOS)工藝的大規模集成電路技術在硅基襯底上進行光子

    關于乙烯基樹脂的其他應用介紹

      國內市場上乙烯基酯樹脂除上述品種外,還有兩大類:一類是較多廠家采用的丙烯酸型乙烯基酯樹脂,或在該樹脂基礎上用氨基甲酸酯改性處理,該類型樹脂耐溫等級比相應的甲基丙烯酸型乙烯基酯下降10—20℃,樹脂的延伸率上升,但由于缺乏甲基對酯鍵的保護作用,導致樹脂的耐腐蝕性能如耐堿性下降;另一類樹脂是我國特色

    可控硅的主要參數介紹

    平均值  額定通態平均電流IT在一定條件下,陽極---陰極間可以連續通過的50赫茲正弦半波電流的平均值。峰值電壓    1、 反向陰斷峰值電壓VPR當可控硅加反向電壓,處于反向關斷狀態時,可以重復加在可控硅兩端的反向峰值電壓。使用時,不能超過手冊給出的這個參數值。  2、 控制極觸發電流Ig1 、觸

    新研究實現硅基非傳統超導

    原文地址:http://news.sciencenet.cn/htmlnews/2023/5/500710.shtm近日,中山大學電子與信息工程學院(微電子學院)副教授明方飛與南方科技大學副教授王克東團隊、美國田納西大學教授Weitering團隊等合作,在硅基拓撲超導研究方面取得重要進展。相關研究成

    “神奇材料”石墨烯“聯姻”硅基技術

      據物理學家組織網7月10日(北京時間)報道,奧地利、德國和俄羅斯的科學家們合作研發出一種新方法,可以很好地讓“神奇材料”石墨烯同現有占主流的硅基技術“聯姻”,制造出在半導體設備等領域廣泛運用的石墨烯-硅化物。相關研究發表在英國自然集團旗下的《科學報告》雜志上。   石墨烯是從石墨材料中剝離出來

    為何選擇硅基微流控芯片?

    第一種應用于微流控芯片的材料是硅,雖然它很快被玻璃和聚合物取代。硅首先被選中是因為:* 它對有機溶劑的耐受性* 容易金屬沉積* 優越的導熱性* 表面穩定性然而,硅基微流控芯片由于其硬度而不易處理,因此難以生成如微閥或微泵等有源微流控部件。另一個缺點是當進行光學檢測時,硅展現出明顯的不透光性。此外,由

    其他培養基成份表Duchefa-Biochemie

    植物組織培養基包括多種成分:無機鹽、維生素、氨基酸、生長調節劑、糖類、瓊脂(或結冷膠)和水。所有這些成分在植物組織培養中至少有1種或多種作用。植物組織培養基中的礦質元素進入植物細胞后用于合成有機分子或作為酶反應中的催化劑。可溶性鹽離子在植物電離分子運輸中作為平衡離子,滲透壓的調節以及維持植物體電化學

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    改變成形條件,研究材料的體積電阻率的變化,結果如圖2所示。圖2 成形條件對復合材料體積電阻率的影響在圖2a中,溫度在100~140℃,體積電阻率隨混煉溫度和硫化溫度的增加有大幅的下降,降幅約在30%左右。這是由于溫度升高,PP/SEBS基體材料出現玻璃化轉變,開始變軟。在130~140℃的溫度區間,

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