微電子所采用ALD技術顯著提升發光器件效率
日前，中國科學院微電子研究所將先進的原子層沉積技術應用于高光效半導體發光器件的研究取得顯著進展。 上世紀80年代，原子層沉積(Atomic Layer Deposition，ALD)最初由芬蘭科學家提出并應用于平板顯示器件中Al2O3絕緣膜的沉積。2007年英特爾公司將原子層沉積技術引入45納米節點及以后的集成電路制造工藝，由于其沉積參數的高度可控性(厚度，成份和結構)，優異的沉積均勻性和一致性使得其在微電子領域獲得了廣泛的應用。 中國科學院微電子所四室劉洪剛研究員針對工業界常用的電子束方法制備分布式布拉格反射鏡(DBR)存在厚度不均勻、生產效率低等缺點，提出采用原子層沉積技術研制高性能分布式布拉格反射鏡(DBR)的設想以提升半導體發光器件的光提取效率，他帶領的科研團隊通過開展ALD-DBR的材料篩選、結構設計、沉積工藝、光學測量等方面的系統研究，研制出適于ALD大規模生產的Al2O3/TiO2新型DBR結構......閱讀全文
原子層沉積
原子層沉積(ALD)是一種真正的"納米"技術，以精確控制的方式沉積幾個納米的超薄薄膜。 原子層沉積的兩個限定性特征--自約束的原子逐層生長和高度保形鍍膜--給半導體工程，微機電系統和其他納米技術應用提供了許多好處。 原子層沉積的優點 因為原子層沉積工藝在每個周期內精確地沉積一個原子層，所以能
原子層沉積的研究
原子層沉積（ALD）的自限制性和互補性致使該技術對薄膜的成份和厚度具有出色的控制能力，所制備的薄膜保形性好、純度高且均勻，因而引起了人們廣泛的關注。原子尺度上的ALD過程仿真對深入了解沉積機理，改進和優化薄膜生長工藝，提高薄膜質量，改善薄膜性質具有重要意義。在深入了解ALD的工藝特點及工藝過程后，針
原子層沉積系統（ALD）的介紹
是一種可以將物質以單原子膜形式一層一層的鍍在基底表面的方法。原子層沉積與普通的化學沉積有相似之處。但在原子層沉積過程中，新一層原子膜的化學反應是直接與之前一層相關聯的，這種方式使每次反應只沉積一層原子。
原子層沉積系統（ALD）的應用
原子層沉積技術由于其沉積參數的高度可控型（厚度、成份和結構） 原子層沉積（Atomic Layer Deposition，ALD），最初稱為原子層外延（Atomic Layer Epitaxy，ALE），也稱為原子層化學氣相沉積（Atomic Layer Chemical Vapor Depo
原子層沉積系統（ALD）的原理
原子層沉積是通過將氣相前驅體脈沖交替地通入反應器并在沉積基體上化學吸附并反應而形成沉積膜的一種方法（技術）。當前驅體達到沉積基體表面，它們會在其表面化學吸附并發生表面反應。在前驅體脈沖之間需要用惰性氣體對原子層沉積反應器進行清洗。由此可知沉積反應前驅體物質能否在被沉積材料表面化學吸附是實現原子層
對于原子層沉積系統（ALD）的研究
原子層沉積（ALD）的自限制性和互補性致使該技術對薄膜的成份和厚度具有出色的控制能力，所制備的薄膜保形性好、純度高且均勻，因而引起了人們廣泛的關注。原子尺度上的ALD過程仿真對深入了解沉積機理，改進和優化薄膜生長工藝，提高薄膜質量，改善薄膜性質具有重要意義。在深入了解ALD的工藝特點及工藝過程后
原子層沉積系統（ALD） 跟熱蒸鍍沉積有什么區別？
原子層沉積是通過將氣相前驅體脈沖交替地通入反應器并在沉積基體上化學吸附并反應而形成沉積膜的一種方法（技術）。當前驅體達到沉積基體表面，它們會在其表面化學吸附并發生表面反應。在前驅體脈沖之間需要用惰性氣體對原子層沉積反應器進行清洗。由此可知沉積反應前驅體物質能否在被沉積材料表面化學吸附是實現原子層
微電子所采用ALD技術顯著提升發光器件效率
日前，中國科學院微電子研究所將先進的原子層沉積技術應用于高光效半導體發光器件的研究取得顯著進展。 上世紀80年代，原子層沉積(Atomic Layer Deposition，ALD)最初由芬蘭科學家提出并應用于平板顯示器件中Al2O3絕緣膜的沉積。2007年英特爾公司將原子層沉積技術引
國家半導體發光器件應用產品質檢中心在廈門落成
9月7日，前來廈門出席第二屆世界投資論壇和第十四屆中國國際投資貿易洽談會的國家質檢總局局長支樹平，在視察廈門市質量技術監督局時，聽說國家半導體發光器件（LED）應用產品質量監督檢驗中心將在明天落成，十分高興。他說：“這個中心意義重大，可喜可賀。我今天返京，不能參加你們的儀式，提前向你們表示祝賀
芬蘭PICOSUN公司將在波士頓舉行原子層沉積系統展覽
歡迎您參加2011年6月27-29在波士頓舉行的芬蘭PICOSUN公司的原子層沉積系統展覽。具體內容如下： Thanks to our excellent ALD systems, we are happy report profitable 100% growth during th