芯片產業迎來轉折點？全球半導體業即將回暖？
2023年已經過半，在上半年，整個電子半導體產業表現低迷，更令人擔憂的是，第二季度的供需行情不如預期，這給下半年的產業發展蒙上了一層陰影。雖然全年同比負增長的態勢不可避免，但人們希望與上半年相比，下半年的市場表現能有明顯改善，體現出較強的復蘇信號，但近期的行情似乎正在打擊這種愿望。 基于當下行情，展望下半年市場表現，目前，業界出現兩種情緒：一、偏悲觀，認為下半年依然會衰退，要到2024上半年才能呈現出復蘇態勢；二、偏樂觀，認為當下已經有多個復蘇信號，只是復蘇過程比之前預期的要緩慢，但到第四季度會明朗起來，從而為2024年初的全面增長奠定基礎。 下面，我們就從應用（以手機和數據中心服務器為主）、芯片（以存儲器為主）、IC設計和晶圓代工這幾個產業鏈主要環節入手，看一下整個電子半導體產業已經發生的，以及即將發生的事情和變數，看一看2023下半年的走勢如何。 01 繼續衰退說 全球幾大權威行業分析機構都認為2023年全球半......閱讀全文
半導體所等在磁性半導體(Ga,Mn)As研究中取得進展
中國科學院半導體研究所半導體超晶格國家重點實驗室趙建華團隊及合作者美國佛羅里達州立大學教授熊鵬等在有機自組裝分子單層對磁性半導體(Ga,Mn)As薄膜磁性調控研究方面取得新進展，相關成果發表在Advanced Materials（2015，27，8043–8050，DOI: 10.1002/ad
半導體所HgTe半導體量子點研究取得新進展
近年來，拓撲絕緣體材料以其獨特的物性吸引了科學界廣泛的研究關注。這類材料內部是絕緣體，而在邊界或/和表面則顯示出金屬的特性。這種獨特的性質無法按照傳統的材料分類方法來區分。其能帶結構由Z2拓撲不變量來刻畫。目前人們注意力集中在拓撲絕緣體塊材的制備和輸運性質研究方面。相對而言，拓撲絕緣體納米結構的
影響半導體導電的因素
主要是摻入的雜質種類和數量、以及工作溫度，從而影響到載流子濃度和遷移率，結果使得半導體的電導率發生變化。
ITECH半導體測試方案解析
前言全球功率半導體市場風起云涌，行業整合步伐加速。作為電力控制／節能減排核心半導體器件，功率半導體器件廣泛應用于從家電、消費電子到新能源汽車、智能電網等諸多領域。隨全球半導體產業洗牌大勢，近年來功率半導體產業整合步伐急速提升，新能源全產業鏈勢頭正旺，IGBT等高端器件迎來需求爆發期。功率器件
含雜質半導體的定義
相對于無雜質半導體，含有雜質的半導體叫做含雜質半導體（extrinsic semiconductor）。
半導體的光電導簡介
半導體的光電導（photo conductivity of semiconductor）是指光照射半導體使電導增大的現象。本征半導體的電導能力（電導率）很小，經光照射后半導體內部產生光生載流子（電子或空穴），使其導電能力加大。光照射前后半導體電導的改變與光的波長、強度以及半導體中雜質缺陷態的能級
半導體材料的基本特性
自然界的物質、材料按導電能力大小可分為導體、半導體和絕緣體三大類。半導體的電阻率在1mΩ·cm～1GΩ·cm范圍（上限按謝嘉奎《電子線路》取值，還有取其1/10或10倍的；因角標不可用，暫用當前描述）。在一般情況下，半導體電導率隨溫度的升高而降低。
非晶半導體的定義
非晶半導體又稱無定形半導體或玻璃半導體，非晶態固體中具有半導電性的一類材料。具有亞穩態結構，組成原子的排列是短程有序、長程無序，鍵合力未發生變化，只是鍵長和鍵角略有不同。按鍵合力性質有共價鍵半導體，包括四面體的Si、Ge、SiC、ZnSn、GaAs、GaSb等，“鏈狀”的S、Se、Te、As2Se3
半導體ATE設備的作用
在元器件的工藝流程中，根據工藝的需要，存在著各種需要測試的環節。目的是為了篩選殘次品，防止進入下一道的工序，減少下一道工序中的冗余的制造費用。這些環節需要通過各種物理參數來把握，這些參數可以是現實物理世界中的光，電，波，力學等各種參量，但是，目前大多數常見的是電子信號的居多。ATE設計工程師們要
稀磁性半導體的應用
稀磁性半導體是指非磁性半導體中的部分原子被過渡金屬元素取代后形成的磁性半導體，因兼具有半導體和磁性的性質，即在一種材料中同時應用電子電荷和自旋兩種自由度，因而引起廣泛關注，尚處于研究階段。
半導體材料的基本特性
自然界的物質、材料按導電能力大小可分為導體、半導體和絕緣體三大類。半導體的電阻率在1mΩ·cm～1GΩ·cm范圍（上限按謝嘉奎《電子線路》取值，還有取其1/10或10倍的；因角標不可用，暫用當前描述）。在一般情況下，半導體電導率隨溫度的升高而降低。
半導體材料的應用介紹
制備不同的半導體器件對半導體材料有不同的形態要求，包括單晶的切片、磨片、拋光片、薄膜等。半導體材料的不同形態要求對應不同的加工工藝。常用的半導體材料制備工藝有提純、單晶的制備和薄膜外延生長。所有的半導體材料都需要對原料進行提純，要求的純度在6個“9”以上，最高達11個“9”以上。提純的方法分兩大類，
半導體控溫系統說明
隨著航空、航天、能源工業等領域對電子產品質量的要求日益提高，電子產品的可靠性問題受到了越來越廣泛的重視。電子產品在使用過程中會遇到不同的環境溫度條件，?在熱脹冷縮的應力作用下，?熱匹配性能差的電子元器件就容易失效，致使電子產品故障，造成巨大的人力和財力損失。電子元器件的老化和測試就是仿照或者等效產
半導體間電荷傳輸方向
2008年德國慕尼黑大學的Dieter Gross等人通過熒光技術，證明了TypeII型CdTe和CdSe半導體納米晶復合材料具有高效的電荷分離效率，同時間接的證明了Type II型異質結的電荷分離方向。（NanoLett., 2008, 8 (5), pp 1482–1485） 2010年在
半導體的分類及性能
（1）元素半導體。元素半導體是指單一元素構成的半導體，其中對硅、硒的研究比較早。它是由相同元素組成的具有半導體特性的固體材料，容易受到微量雜質和外界條件的影響而發生變化。目前， 只有硅、鍺性能好，運用的比較廣，硒在電子照明和光電領域中應用。硅在半導體工業中運用的多，這主要受到二氧化硅的影響，能夠在器
元素半導體的結構特性
元素半導體（element semiconductor）是由同種元素組成的具有半導體特性的固體材料，即電阻率約為10-5～107Ω·cm，微量雜質和外界條件變化都會顯著改變其導電性能的固體材料。周期表中，金屬和非金屬元素之間有十二種具有半導體性質的元素，硼(B)、金剛石(C)、硅(Si)、鍺(Ge)
半導體參數測試儀
半導體參數測試儀是一種用于工程與技術科學基礎學科領域的儀器，于2016年12月08日啟用。 技術指標 1.小電流i-v ： 超低漏電流（fA），最 大電壓200V，最大電流1A； 2.高電壓I-V ： 最大電壓1000V 3.通用I-V ： 適合于大多數參數測試 4.c-v單元： 能夠在1M
半導體特性測試儀
半導體特性測試儀是一種用于化學工程領域的物理性能測試儀器，于2016年05月01日啟用。 技術指標 支持多達9個精密直流源測量單元，能夠提供測量0.1fA到1A的電流或者1uV-210V的電壓。 主要功能 參數分析儀具有無可比擬的測量靈敏度和精度，同時繼承了嵌入式Windows操作系統和
無雜質半導體的定義
無雜質半導體（intrinsic semiconductor，亦稱作i型半導體）是指未摻入雜質的半導體。半導體制作過程中的一個重要步驟就是摻入雜質（doping）。
半導體集成電路概述
半導體集成電路（英文名：semiconductor integrated circuit），是指在一個半導體襯底上至少有一個電路塊的半導體集成電路裝置。 半導體集成電路是將晶體管，二極管等等有源元件和電阻器，電容器等無源元件，按照一定的電路互聯，“集成”在一塊半導體單晶片上，從而完成特定的電路
半導體器件的開關特性
MOS的基本元件是MOS管。MOS管是一種電壓控制器件，它的3個電極分別稱為柵極(G)、漏極（D）和源極（S），由柵極電壓控制漏源電流。MOS管根據結構的不同可分為P型溝道MOS管和N型溝道MOS管兩種，每種又可按其工作特性進一步分為增強型和耗盡型兩類。 1、靜態特性 MOS管作為開
半導體材料的提純方法
半導體材料的提純“主要是除去材料中的雜質。提純方法可分化學法和物理法。化學提純是把材料制成某種中間化合物以便系統地除去某些雜質，最后再把材料（元素）從某種容易分解的化合物中分離出來。物理提純常用的是區域熔煉技術，即將半導體材料鑄成錠條，從錠條的一端開始形成一定長度的熔化區域。利用雜質在凝固過程中的分
半導體測試系統結構說明
半導體測試系統由三大部分組成，包括測量與控制、調理與路由、溫度環境。半導體測試系統測量與控制部分是整個系統的核心，主要組成硬件有LCR表，數字萬用表，耐壓儀，漏電流測試儀、示波器、信號發生器、功率發生器、精密編程電源等儀器。所有的硬件測量與控制資源通過信號調理和大規模的矩陣路由接入溫度控制環境中，
元素半導體的基本特性
典型的半導體材料居于Ⅳ-A族，它們都具有明顯的共價鍵；都以金剛石型結構結晶；它們的帶隙寬度隨原子序數的增加而遞減，其原因是其鍵合能隨電子層數的增加而減小。V-A族都是某一種同素異形體具有半導體性質，其帶隙寬度亦隨原子序數的增加而減小。
磁性半導體的發展歷史
第一代磁性半導體關于磁性半導體的研究可以追溯到20世紀60年代。我們首先來簡單回顧一下關于濃縮磁性半導體（Concentrated Magnetic Semiconductor）的研究進展。所謂濃縮磁性半導體即在每個晶胞相應的晶格位置上都含有磁性元素原子的磁性半導體，例如Eu或Cr的硫族化合物：巖鹽
含雜質半導體的原理
半導體中的雜質對電阻率的影響非常大。半導體中摻入微量雜質時，雜質原子附近的周期勢場受到干擾并形成附加的束縛狀態，在禁帶中產加的雜質能級。例如四價元素鍺或硅晶體中摻入五價元素磷、砷、銻等雜質原子時，雜質原子作為晶格的一分子，其五個價電子中有四個與周圍的鍺（或硅）原子形成共價結合，多余的一個電子被束縛于
漫談半導體工藝節點（三）
Brand指出，環形柵極場效應管并沒有想象中那么不穩定，它其實非常實用，你甚至可以把它當做FinFET的改良版。實際上它只是在溝道上增加了幾個面。Brand不確定環形柵極場效應管是否能在7nm實現，或者在5nm實現，這一切都取決于業界的進展。更決定于公司在降低柵極長度上是否足夠激進。
半導體材料的提純方法
提純方法可分化學法和物理法。化學提純是把材料制成某種中間化合物以便系統地除去某些雜質，最后再把材料（元素）從某種容易分解的化合物中分離出來。物理提純常用的是區域熔煉技術，即將半導體材料鑄成錠條，從錠條的一端開始形成一定長度的熔化區域。利用雜質在凝固過程中的分凝現象，當此熔區從一端至另一端重復移動多次
常見的半導體材料介紹
常見的半導體材料有硅、鍺、砷化鎵等，硅是各種半導體材料應用中最具有影響力的一種。
半導體探測器簡介
半導體探測器是以半導體材料為探測介質的輻射探測器。最通用的半導體材料是鍺和硅，其基本原理與氣體電離室相類似，故又稱固體電離室。半導體探測器的基本原理是帶電粒子在半導體探測器的靈敏體積內產生電子－空穴對，電子－空穴對在外電場的作用下漂移而輸出信號。常用半導體探測器有 P-N結型半導體探測器、 鋰漂