氧化銦的用途和生產方法
用途用作光譜純試劑和電子元件的材料等。用途主要用于作電池原材料，熒光屏，玻璃，陶瓷，化學試劑等。生產方法1.將高純金屬銦在空氣中燃燒或將碳酸銦煅燒生成In2O、InO、In2O3，精細控制還原條件可制得高純In2O3。也可用噴霧燃燒工藝制得平均粒徑為20nm的三氧化二銦陶瓷粉。2.將氫氧化銦灼燒制備三氧化二銦時，溫度過高的話，In2ChemicalbookO3有熱分解的可能性，若溫度過低則難以完全脫水，而且生成的氧化物具有吸濕性，因此，加熱溫度和時間是重要的因素。另外，因為In2O3容易被還原，所以必須經常保持在氧化氣氛中。3.將氫氧化銦在空氣中，于850℃灼燒至恒重，生成In2O3，再在空氣中于1000℃加熱30min。其他硝酸銦、碳酸銦、硫酸銦在空氣中灼燒也可以制得三氧化二銦。......閱讀全文
氧化銦的用途和生產方法
用途用作光譜純試劑和電子元件的材料等。用途主要用于作電池原材料，熒光屏，玻璃，陶瓷，化學試劑等。生產方法1.將高純金屬銦在空氣中燃燒或將碳酸銦煅燒生成In2O、InO、In2O3，精細控制還原條件可制得高純In2O3。也可用噴霧燃燒工藝制得平均粒徑為20nm的三氧化二銦陶瓷粉。2.將氫氧化銦灼燒制備
氧化銦的化學性質
氧化銦（亦稱三氧化二銦，In2O3）為白色或黃色粉末，加熱轉變為紅褐色。在氫氣或其他還原劑存在下，加熱至400～500℃可還原成金屬銦或低價銦的氧化物。在高溫下分解為低級氧化物。另外，在高溫下可與金屬銦發生反應，低溫灼燒生成的In2O3雖易溶于酸，但經過高Chemicalbook溫處理得越完全就越難
研究揭示氧化銦納米顆粒表面羥基網絡
近日，中科院大連化學物理研究所研究員侯廣進團隊在高場超快魔角旋轉固體核磁共振（NMR）技術應用于材料結構表征研究中取得新進展。該團隊借助高場超快1H MAS NMR技術，并結合17O NMR、1H-1H同核、1H-17O異核相關實驗，對富羥基的氧化銦（In2O3）表面結構進行了深入分析，并利用高
氧化銦納米顆粒表面羥基網絡研究被揭示
近日，中科院大連化學物理研究所研究員侯廣進團隊在高場超快魔角旋轉固體核磁共振（NMR）技術應用于材料結構表征研究中取得新進展。該團隊借助高場超快1H MAS NMR技術，并結合17O NMR、1H-1H同核、1H-17O異核相關實驗，對富羥基的氧化銦（In2O3）表面結構進行了深入分析，并利用
氮化銦－用途簡介
氮化銦(InN)發展成為新型的半導體功能材料，在所有Ⅲ族氮化物半導體材料中，氮化銦具有良好的穩態和瞬態電學傳輸特性，它有最大的電子遷移率、最大的峰值速率、最大的飽和電子漂移速率、最大的尖峰速率和有最小的帶隙、最小的電子有效質量等優異的性質，這些使Chemicalbook得氮化銦相對于氮化鋁(AlN)
氮化銦制備方法
步驟S1、提供一襯底，在所述襯底上沉積一層介電薄膜；步驟S2、對所述介電薄膜進行圖案化，得到均勻排列的多個介電凸臺；步驟S3、提供一反應室，將所述形成有介電凸臺的襯底放入反應室中并將所述反應室抽真空；步驟S4、在所述介電凸臺及襯底上Chemicalbook生長緩沖層，在介電凸臺的阻擋下，所述緩沖層的
上海光機所氧化銦錫薄膜光電特性調控技術研究獲進展
近期，中國科學院上海光學精密機械研究所薄膜光學實驗室在調控氧化銦錫（ITO）薄膜光電特性研究中取得進展，利用高效、可選擇性的準連續（QCW）激光退火技術對ITO薄膜載流子進行調控，在基本不改變ITO薄膜導電特性的前提下，實現ITO薄膜近紅外波段透過率的顯著提升。相關研究成果發表在《應用表面科學》
氮化銦的應用特點
氮化銦是一種新型的三族氮化物材料。這種材料的引人之處在于它的優良的電子輸運性能和窄的能帶，有望應用于制造新型高頻太拉赫茲通信的光電子器件。氮化銦(InN)是氮化物半導體材料的一種。常溫常壓下的穩定相是六方纖鋅礦結構,是一種直接帶隙半導體材料。
氮化銦的結構特點
氮化銦是一種新型的三族氮化物材料。這種材料的引人之處在于它的優良的電子輸運性能和窄的能帶，有望應用于制造新型高頻太拉赫茲通信的光電子器件。氮化銦納米結構是研制相關量子器件的基礎。然而，一直以來，InN納米材料的生長往往要利用銦的氧化物或氯化物，這會在氮化銦納米材料中引入許多雜質，致使材料的光學、電學
氮化銦的基本特性
利用金屬有機化學氣相淀積生長的氮化銦薄膜的光致發光特性，由于氮化銦本身具有很高的背景載流子濃度，費米能級在導帶之上，通過能帶關系圖以及相關公式擬合光致發光圖譜可以得到生長的氮化銦的帶隙為0.67cV,并且可以計算出相應的載流子濃度為 n = 5.4×10cm，從而找到了一種聯系光致發光譜與載流子濃度
氮化銦－用途與制備方法
應用氮化銦(InN)發展成為新型的半導體功能材料，在所有Ⅲ族氮化物半導體材料中，氮化銦具有良好的穩態和瞬態電學傳輸特性，它有最大的電子遷移率、最大的峰值速率、最大的飽和電子漂移速率、最大的尖峰速率和有最小的帶隙、最小的電子有效質量等優異的性質，這些使得氮化銦相對于氮化鋁(AlN)和氮化鎵(GaN)等
電子垃圾銦的可靠分析
為了對電子垃圾進行專業回收，需要盡可能準確地了解其元素組成。本文介紹了采用ICP-OES方法對電子垃圾的重金屬進行分析。 對于電子垃圾的分析是件棘手的事，從物料中獲取有代表性的樣品需要耗費巨大的精力，物料的不均勻性也增加了工作的難度，電子垃圾中的其他元素還可能對所采用的光譜分
電子垃圾銦的可靠分析
為了對電子垃圾進行專業回收，需要盡可能準確地了解其元素組成。本文介紹了采用ICP-OES方法對電子垃圾的重金屬進行分析。 對于電子垃圾的分析是件棘手的事，從物料中獲取有代表性的樣品需要耗費巨大的精力，物料的不均勻性也增加了工作的難度，電子垃圾中的其他元素還可能對所采用的光譜分析方法，例如感
銅銦硒電池的特點
銅銦硒CuInSe2簡稱CIC.CIS材料的能降為1.leV，適于太陽光的光電轉換，另外，CIS薄膜太陽電池不存在光致衰退問題。因此，CIS用作高轉換效率薄膜太陽能電池材料也引起了人們的注目。