碲鎘汞的結構組成
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碲鎘汞的組成和特性
碲鎘汞(CdxHg1-xTe)是由Ⅱ-Ⅵ族化合物碲化鎘和碲化汞組成的三元固溶體半導體。它是一種窄帶半導體材料，隨著組分x的變化，禁帶寬度和其它能帶參數也發生變化。其禁帶寬度Eg隨溫度T和組分x變化有如下經驗公式：Eg(T·x)=0.30+5×10-4T+(1.91-10-3T)x。窄帶半導體一般都屬
碲鎘汞陽極氧化層的化學結構分析
碲鎘汞(MCT)由于其特殊的禁帶寬度,成為一種重要的紅外探測器半導體材料。其表面復合中心會嚴重影響探測器性能,為了減少復合中心及保持電學和化學穩定性,表面鈍化成為必不可少的工藝步驟。根據碲、鎘、汞3種元素在堿性溶液中的電極電勢,計算得出陽極氧化的先后順序為Cd>Te>Hg,并以其構建了一種氧化過程模
分子束外延碲鎘汞薄膜中VOID缺陷的研究
HgCdTe薄膜中的Void缺陷嚴重影響面陣器件的有效元數。對用分子束外延法在GaAs襯底上生長的HgCdTe薄膜中的Void缺陷進行了形貌、剖面觀測和能譜分析。襯底表面狀況和HgCdTe生長過程中的Hg/Te束流比及襯底溫度決定了Void缺陷的密度和尺寸。在比較優化的條件下，可將Void缺陷密度降
碲化鎘的結構和用途
碲化鎘是由碲和鎘構成的一種重要的Ⅱ—Ⅵ族化合物半導體材料。分子式為CdTe，其晶體結構為閃鋅礦型，具有直接躍遷型能帶結構，晶格常數0.6481nm，熔點1092℃，密度5.766g/cm3，禁帶寬度1.5eV(25℃)，能帶構造為直接型，電子遷移率(25℃)1050cm2/(V·s)，空穴遷移率(2
碲化鎘太陽能電池
CdTe是Ⅱ-Ⅵ族化合物半導體，帶隙1.5eV，與太陽光譜非常匹配，最適合于光電能量轉換，是一種良好的PV材料，具有很高的理論效率（28%），性能很穩定，一直被光伏界看重，是技術上發展較快的一種薄膜電池。碲化鎘容易沉積成大面積的薄膜，沉積速率也高。CdTe薄膜太陽電池通常以CdS ／CdT e異質結
多晶碲化鎘合成方法介紹
碲化鎘的主要結構缺陷是填隙鎘原子，它提供n型電導，而鎘空位提供p型電導。用純度為99.9999%的碲和鎘按元素質量比1：1稱量，并將料裝入涂碳石英管內，在真空度小于4×10-4Pa下進行物料脫氧，再在真空度小于2×10-4Pa下密封Chemicalbook石英管。然后將密封好的石英管放入合成爐內進行
碲與鎘的用途和生產方法
用途光譜分析。也用于制作太陽能電池，紅外調制器，HgxCdl-xTe襯底，紅外窗場致發光器件，光電池，紅外探測，X射線探測，核放射性探測器，接近可見光區的發光Chemicalbook器件等。生產方法1.將碲與鎘按化學計量比混合，在高溫下直接化合而得。2.將碲化氫氣體通入鎘鹽溶液中，使其產生沉淀。通過
碲化鎘太陽能電池性能詳解
CdTe是Ⅱ-Ⅵ族化合物半導體，帶隙1.5eV，與太陽光譜非常匹配，最適合于光電能量轉換，是一種良好的PV材料，具有很高的理論效率（28%），性能很穩定，一直被光伏界看重，是技術上發展較快的一種薄膜電池。碲化鎘容易沉積成大面積的薄膜，沉積速率也高。CdTe薄膜太陽電池通常以CdS ／CdT e異質結
碲化鎘的化學性質及制法
碲化鎘為黑色立方系晶體狀，有毒!熔點1041℃，溫度更高即分解，相對密度6.2015。不溶于水、酸，但能與硝酸作用而分解。潮濕時易被空氣氧化。制法：由碲、鎘單質混合熔化，在氫氣流中升Chemicalbook華，或鎘的亞碲酸鹽或碲酸鹽在氫氣流中加熱還原，也可由碲化鈉與被醋酸酸化的醋酸鎘溶液作用，當從溶
碲化鎘薄膜太陽能電池的結構
碲化鎘薄膜太陽能電池是在玻璃或是其它柔性襯底上依次沉積多層薄膜而構成的光伏器件。一般標準的碲化鎘薄膜太陽能電池由五層結構組成：1、玻璃襯底：主要對電池起支架、防止污染和入射太陽光的作用。2、TCO層：即透明導電氧化層。主要起的是透光和導電的作用。3、CdS窗口層：n型半導體，與p型CdTe組成p-n
什么是碲化鎘薄膜太陽能電池？
碲化鎘薄膜太陽能電池簡稱CdTe電池，它是一種以p型CdTe和n型CdS的異質結為基礎的薄膜太陽能電池。