砷化鎵材料的材料特性

砷化鎵材料的材料特性

GaAs擁有一些較Si還要好的電子特性，使得GaAs可以用在高于250 GHz的場合。如果等效的GaAs和Si元件同時都操作在高頻時，GaAs會產生較少的噪音。也因為GaAs有較高的崩潰壓，所以GaAs比同樣的Si元件更適合操作在高功率的場合。因為這些特性，GaAs電路可以運用在移動電話、衛星通訊、

砷化鎵材料的研究進展

砷化鎵于1964年進入實用階段。砷化鎵可以制成電阻率比硅、鍺高3個數量級以上的半絕緣高阻材料，用來制作集成電路襯底、紅外探測器、γ光子探測器等。由于其電子遷移率比硅大5～6倍，故在制作微波器件和高速數字電路方面得到重要應用。用砷化鎵制成的半導體器件具有高頻、高溫、低溫性能好、噪聲小、抗輻射能力強等優

砷化鎵的結構特性

砷化鎵（gallium arsenide）是一種無機化合物，化學式為GaAs，為黑灰色固體，熔點1238℃。它在600℃以下能在空氣中穩定存在，并且不被非氧化性的酸侵蝕。

挪威研制最新半導體新材料砷化鎵納米線

　　挪威科技大學的研究人員近日成功開發出一種新型半導體工業復合材料“砷化鎵納米線”，并申請了技術ZL，該復合材料基于石墨烯，具有優異的光電性能，在未來半導體產品市場上將極具競爭性，這種新材料被認作有望改變半導體工業新型設備系統的基礎。該項技術成果刊登在美國科學雜志納米快報上。 　　以Helge W

砷化鎵的安全術語

S20/21：When using do not eat, drink or smoke.使用時，不得進食，飲水或吸煙。S28：After contact with skin, wash immediately with plenty of ... (to be specified by the m

砷化鎵的毒理資料

GaAs的毒性沒有被很完整的研究。因為它含有As，經研究指出，As是劇毒的。但是，因為GaAs的晶體很穩定，所以如果身體吸收了少量的GaAs，其實是可以忽略的。當要做晶圓拋光制程（磨GaAs晶圓使表面微粒變小）時，表面的區域會和水起反應，釋放或分解出少許的As。

新型半導體工業復合材料“砷化鎵納米線”獲得技術ZL

　　近日挪威科技大學的研究人員成功開發出一種新型半導體工業復合材料“砷化鎵納米線”，并申請了技術ZL，該復合材料基于石墨烯，具有優異的光電性能，在未來半導體產品市場上將極具競爭性，這種新材料被認作有望改變半導體工業新型設備系統的基礎。該項技術成果刊登在美國科學雜志納米快報上。 　　以Helge

砷化鎵的理化性質

密度：5.31g/cm3熔點：1238℃折射率：3.57相對介電常數：13.18電子親和能：4.07 eV晶格能：5.65×10-10m禁帶寬度：1.424e（300K）電子遷移率：8500 cm2/(V·s) （300 K）外觀：黑灰色固體

?砷化鎵生產方式介紹

GaAs屬于III-V族化合物半導體材料，其能隙為1.4eV，正好為高吸收率太陽光的值，與太陽光譜的匹配較適合，且能耐高溫，在250℃的條件下，光電轉換性能仍很良好，其最高光電轉換效率約30%，特別適合做高溫聚光太陽電池。砷化鎵生產方式和傳統的硅晶圓生產方式大不相同，砷化鎵需要采用磊晶技術制造，這種

“重利用”開啟砷化鎵新時代

　　斯坦福大學的研究人員發明了一種可以大大降低生產砷化鎵電子設備成本的制造工藝，開辟了砷化鎵的新用途。　　在電腦芯片、太陽能電池以及其它的電子設備中，半導體一直都是傳統的硅材料；硅制成的特殊材料擁有獨特的電性能-----可以控制（打開或關閉）電流，就像水龍頭控制水流一樣。當然，還

工業化砷化鎵的生產工藝介紹

工業化砷化鎵生長工藝包括：直拉法（Cz法）、水平布里其曼法（HB）、垂直布里其曼法（VB法）以及垂直梯度凝固法（VGF法）等。以上方法各有優劣，除了實際工藝制備的方法，另外一種就是通過計算機來實現砷化鎵的晶體生長數值模擬，如利用FEMAG/VB能模擬VB、VGF法生長工藝，利用FEMAG/Cz能模擬

鎵氮砷合金材料太陽能電池效率達40％

　　硅太陽能電池的效率一般只能達到20%，效率更高的電池都很復雜，也很昂貴。據美國物理學家組織網1月24日報道，美國勞倫斯·伯克利國家實驗室科研人員伍雷戴克·瓦盧克維領導的研究小組，用一種名為鎵氮砷（GaNAs）合金的特殊材料和簡單的組合方法，使他們制造的多帶型太陽能電池效率達到40%

最純砷化鎵半導體面世

　　美國普林斯頓大學研究人員在《自然·材料》雜志報告稱，他們研制出了世界上迄今最純凈的砷化鎵。該砷化鎵樣品的純度達到每100億個原子僅含有一個雜質，純度甚至超過了用于驗證一千克標準的世界上最純凈的硅樣品。　　砷化鎵是一種半導體，主要用于為手機和衛星等提供電力。新研究得到的砷化鎵樣品呈正方形，邊長與一

硒化砷－理化特性

硒化砷的理化特性

什么是砷化鎵太陽能電池？

單晶硅是制造太陽能電池的理想材料，但是由于其制取工藝相對復雜，耗能大，仍然需要其他更加廉價的材料來取代。為了尋找單晶硅電池的替代品，人們除開發了多晶硅，非晶硅薄膜太陽能電池外，又不斷研制其它材料的太陽能電池。其中主要包括砷化鎵III-V族化合物，硫化鎘，碲化鎘及銅錮硒薄膜電池等。

砷化鎵太陽能電池性能詳解

砷化鎵太陽能電池　　GaAs屬于III-V族化合物半導體材料，其能隙為1.4eV，正好為高吸收率太陽光的值，與太陽光譜的匹配較適合，且能耐高溫，在250℃的條件下，光電轉換性能仍很良好，其最高光電轉換效率約30%，特別適合做高溫聚光太陽電池。　　砷化鎵生產方式和傳統的硅晶圓生產方式大不相同，砷化鎵需

氮化鎵半導體材料的應用前景

對于GaN材料，長期以來由于襯底單晶沒有解決，異質外延缺陷密度相當高，但是器件水平已可實用化。1994年日亞化學所制成1200mcd的 LED，1995年又制成Zcd藍光（450nmLED），綠光12cd(520nmLED);日本1998年制定一個采用寬禁帶氮化物材料開發LED的 7年規劃，其目標是

氮化鎵半導體材料的優點與缺陷

①禁帶寬度大（3.4eV），熱導率高（1.3W/cm-K），則工作溫度高，擊穿電壓高，抗輻射能力強；②導帶底在Γ點，而且與導帶的其他能谷之間能量差大，則不易產生谷間散射，從而能得到很高的強場漂移速度（電子漂移速度不易飽和）；③GaN易與AlN、InN等構成混晶，能制成各種異質結構，已經得到了低溫下遷

美開發出迄今最小砷化銦鎵晶體管

　　硅半導體作為微芯片之王的日子已經屈指可數了，據物理學家組織網近日報道，美國麻省理工學院科學家開發出了有史以來最小的砷化銦鎵晶體管。該校微系統技術實驗室科研團隊開發的這個復合晶體管，長度僅為22納米。研究團隊近日在舊金山舉行的國際電子設備會議上介紹了該項研究成果。 　　麻省理工學院電氣工程和計算

鉑電阻材料的特性

導體的電阻值隨溫度變化而變化，通過測量其電阻值推算出被測物體的溫度，這就是電阻溫度傳感器的工作原理。Pt100傳感器是利用鉑電阻的阻值隨溫度變化而變化、并呈一定函數關系的特性來進行測溫，其溫度/阻值對應關系為：(1) -200℃+Ct（t-100）] (2-1)(2)0℃≤t≤850℃時，RPt10

半導體材料的特性

半導體材料的特性：半導體材料是室溫下導電性介于導電材料和絕緣材料之間的一類功能材料。靠電子和空穴兩種載流子實現導電，室溫時電阻率一般在10-5～107歐·米之間。通常電阻率隨溫度升高而增大；若摻入活性雜質或用光、射線輻照，可使其電阻率有幾個數量級的變化。此外，半導體材料的導電性對外界條件（如熱、光、

砷化鎵太陽能電池有望打破能效記錄

　　據美國物理學家組織網11月8日（北京時間）報道，美國科學家通過與傳統科學研究相反的新思路，用砷化鎵制造出了最高轉化效率達28.4%的薄膜太陽能電池。該太陽能電池效率提升的關鍵并非是讓其吸收更多光子而是讓其釋放出更多光子，未來用砷化鎵制造的太陽能電池有望突破能效轉化記錄的極限。　　

超純砷化鎵電子態遵守量子力學法則

　　據美國每日科學網站7月27日報道，美國科學家成功制造出了超純的砷化鎵，并讓其呈現出某種特殊的狀態，在這種狀態下，電子不再遵守單粒子的物理學法則而被它們之間的相互作用（由量子力學法則來解釋）所掌控，這種超純材料和狀態都有望用于高速量子計算機的研究中。 　　量子計算機使用電子的量子力

4680電池負極材料的特性

4680電池在負極材料上與主流電池也有所不同，主流以石墨為主，4680電池使用的是硅基負極，該材料特性是比容量高，但存在硅易體積膨脹、導電性差、首次充放電損耗大等問題。為了在能量密度和穩定性之間找到平衡點，目前的做法是將硅和石墨混合使用。

半導體材料的基本特性

自然界的物質、材料按導電能力大小可分為導體、半導體和絕緣體三大類。半導體的電阻率在1mΩ·cm～1GΩ·cm范圍（上限按謝嘉奎《電子線路》取值，還有取其1/10或10倍的；因角標不可用，暫用當前描述）。在一般情況下，半導體電導率隨溫度的升高而降低。

半導體材料的特性參數

半導體材料雖然種類繁多但有一些固有的特性，稱為半導體材料的特性參數。這些特性參數不僅能反映半導體材料與其他非半導體材料之間的差別，而且更重要的是能反映各種半導體材料之間甚至同一種材料在不同情況下特性上的量的差別。常用的半導體材料的特性參數有：禁帶寬度、電阻率、載流子遷移率(載流子即半導體中參加導電的

電阻合金材料的特性

電阻合金是利用物質的固有電阻特性來制造不同功能元件的合金。主要有電熱合金、精密電阻合金、應變電阻合金和熱敏電阻合金。

光學多晶材料的主要特性

光學多晶材料主要是熱壓光學多晶，即采用熱壓燒結工藝獲得的多晶材料。主要有氧化物熱壓多晶、氟化物熱壓多晶、半導體熱壓多晶。熱壓光學多晶除具有優良的透光性外，還具有高強度、耐高溫、耐腐蝕和耐沖擊等優良力學、物理性能，可作各種特殊需要的光學元件和窗口材料。

隔膜材料的特性和應用

主要的電池隔膜材料產品有單層PP、單層PE、PP+陶瓷涂覆、PE+陶瓷涂覆、雙層PP/PE、雙層PP/PP 和三層PP/PE/PP 等，其中前兩類產品主要用于3C 小電池領域，后幾類產品主要用于動力鋰電池領域。在動力鋰電池用隔膜材料產品中，雙層PP/PP 隔膜材料主要由中國企業生產，在中國大陸使用，