訪《科學》論文作者：橫空出世的半浮柵晶體管
8月9日出版的《科學》(Science)雜志刊發了復旦大學微電子學院張衛課題組最新科研論文，該課題組提出并實現了一種新型的微電子基礎器件：半浮柵晶體管(SFGT，Semi-Floating-Gate Transistor)。這是我國科學家在該頂級學術期刊上發表的第一篇微電子器件領域的原創性成果，標志著我國在全球尖端集成電路技術創新鏈中獲得重大突破。 集成電路產業獲突破 經過十余年的發展，當前我國集成電路產業銷售收入從2001年的199億元，提高到2011年的1572億元，占全球集成電路市場的比重提高到9.8%、銷售收入年均增長23.7%。 但是必須正視的是，我國集成電路產業的發展依然存在不少問題。工業和信息化部電子信息司司長丁文武曾撰文指出，我國產品自主供應不足，持續創新能力亟待加強，產業對外依存度高。 盡管我國在自主知識產權集成電路技術上取得了長足進步，但集成電路的核心技術基本上依然由國外公司擁......閱讀全文
訪《科學》論文作者：橫空出世的半浮柵晶體管
8月9日出版的《科學》(Science)雜志刊發了復旦大學微電子學院張衛課題組最新科研論文，該課題組提出并實現了一種新型的微電子基礎器件：半浮柵晶體管(SFGT，Semi-Floating-Gate Transistor)。這是我國科學家在該頂級學術期刊上發表的第一篇微電子器件領域的原創性成
中國科學家晶體管開發取得突破
中國研究人員8月8日在美國《科學》雜志上報告說，他們在集成電路的基本單元晶體管研究上取得突破，發明了一種名為半浮柵晶體管的新型基礎微電子器件，可讓數據擦寫更容易、迅速，整個過程都可在低電壓條件下完成，為實現芯片低功耗運行創造了條件。 研究負責人、復旦大學教授王鵬飛對新華社記者說：“我國集成
我國科學家創新研發第三類存儲技術半浮柵結構晶體管
復旦大學微電子學院教授張衛、周鵬團隊實現了具有顛覆性的二維半導體準非易失存儲原型器件，開創了第三類存儲技術，解決了國際半導體電荷存儲技術中“寫入速度”與“非易失性”難以兼得的難題。4月10日，這一重要研究成果將以長文形式在線發表于《自然—納米技術》。 據了解，目前半導體電荷存儲技術主要有兩類：
一種運行更快、功耗更少的晶體管
集成電路是由被稱作晶體管的半導體裝置組成的，這些晶體管已經小到了詳盡的電力運作所允許的最小程度，但是現在，聚焦于繼續改進這些極小裝置——加速它們的運行并降低其功耗——的研究已經找到了一種無需使其縮小就能達到這一效果的新方式。晶體管(這是控制電流流量的電子裝置)是高速電腦的主要組成部分，幫助電腦進
寧波材料所在人造神經網絡技術領域取得進展
神經元晶體管(vFET)作為一種多功能、智能化的晶體管，在人造神經網絡應用中起著重要的作用。這類晶體管是通過電容耦合效應計算多端輸入信號的加權和，來控制晶體管的導通和截止，能量消耗少，非常類似于人工神經元器件的工作模式。這類器件是在傳統硅基電路的基礎上發展起來的，采用復雜的CMOS 工藝制作
我國學者首次實現具有亞1納米柵極長度的晶體管
晶體管是芯片的核心元器件。更小的柵極尺寸可以使得芯片上集成更多的晶體管，并帶來性能上的提升。近日，清華大學集成電路學院教授任天令團隊在小尺寸晶體管研究方面取得重要進展，首次實現了具有亞1納米柵極長度的晶體管，該晶體管具有良好的電學性能。相關成果以“具有亞1納米柵極長度的垂直硫化鉬晶體管”為題，在線發
清華團隊首次實現具有亞1納米柵極長度的晶體管
晶體管是芯片的核心元器件。更小的柵極尺寸可以使得芯片上集成更多的晶體管，并帶來性能上的提升。近日，清華大學集成電路學院教授任天令團隊在小尺寸晶體管研究方面取得重要進展，首次實現了具有亞1納米柵極長度的晶體管，該晶體管具有良好的電學性能。相關成果以“具有亞1納米柵極長度的垂直硫化鉬晶體管”為題，在
科學家首次研制成功單電子半加器
11月21日報道，研究人員一直在努力降低硅基計算組件的尺度，以滿足日益增長的小規模、低能耗計算需求。這些元件包括晶體管和邏輯電路，它們都被用于通過控制電壓來處理電子設備內的數據。在一項新研究中，韓國、日本和英國科學家組成的科研小組僅用5個晶體管就制造出一個半加器，它是所有邏輯電路中最小的一種。這
上海微系統所開發出面向二維集成電路的單晶金屬氧化物柵介質晶圓
中國科學院上海微系統與信息技術研究所研究員狄增峰團隊在面向低功耗二維集成電路的單晶金屬氧化物柵介質晶圓研制方面取得進展。8月7日，相關研究成果以《面向頂柵結構二維晶體管的單晶金屬氧化物柵介質材料》（Single-crystalline metal-oxide dielectrics for top-
上海微系統所開發出面向二維集成電路的單晶金屬氧化物柵介質晶圓
中國科學院上海微系統與信息技術研究所研究員狄增峰團隊在面向低功耗二維集成電路的單晶金屬氧化物柵介質晶圓研制方面取得進展。8月7日，相關研究成果以《面向頂柵結構二維晶體管的單晶金屬氧化物柵介質材料》（Single-crystalline metal-oxide dielectrics for top-
我國科學家在新型垂直納米環柵器件研究中取得進展
垂直納米環柵晶體管是集成電路2納米及以下技術代的主要候選器件，但其在提高器件性能和可制造性等方面面臨著眾多挑戰。在2018年底舉辦的國際集成電路會議IEDM上，來自IMEC的Ryckaert博士將垂直納米器件的柵極長度及溝道與柵極相對位置的控制列為關鍵挑戰之一。 中國科學院微電子研究所先導中心
微電子所在新型硅基環柵納米線MOS器件研究中取得進展
近日，中國科學院微電子研究所集成電路先導工藝研發中心在面向5納米以下技術代的新型硅基環柵納米線（Gate-all-around silicon nanowire，GAA SiNW）MOS器件的結構和制造方法研究中取得新進展。 5納米以下集成電路技術中現有的FinFET器件結構面臨諸多挑戰。環柵
8月9日Science雜志精選
瘧疾疫苗探索的第一期進展 瘧疾是一種威脅生命的疾病，世界衛生組織在2010年估計每天這種疾病會造成2000人死亡，且長期以來一直缺乏高效的疫苗，但現在，研究人員正在這一領域取得進展。盡管他們制造的疫苗僅能通過靜脈給予(而不是更為常見的通過肌肉內、皮內或鼻腔內通路給予)，但它的確為廣泛適用的
微電子所在鐵電垂直環柵納米器件研究方面取得進展
鐵電晶體管（FeFET）具有非易失性數據存儲、納秒級的編程/擦除速度、低功耗操作、超長的數據保存時間以及與CMOS工藝兼容等優點，被認為是未來非易失存儲器應用的候選器件。在5nm技術節點以下，由于器件柵長（小于18納米）和鐵電薄膜厚度（大約10納米）相近，基于FinFET和水平環柵晶體管（GAAFE
科學家開發面向二維集成電路的單晶金屬氧化物柵介質晶圓
8月7日，中國科學院上海微系統與信息技術研究所（以下簡稱上海微系統所）研究員狄增峰團隊，在面向低功耗二維集成電路的單晶金屬氧化物柵介質晶圓研制方面取得突破性進展，相關研究發表于《自然》。硅基集成電路是現代技術進步的基石，但在尺寸縮小方面面臨著嚴峻的挑戰。二維半導體材料具有高載流子遷移率和抑制短溝道效
碳納米管晶體管極具抗輻射能力
美國海軍研究實驗室電子科技工程師18日表示，他們發現由單壁碳納米管制作的晶體管(SWCNT)具有在苛刻太空環境中生存的能力。目前他們正在研究電離子輻射對晶體結構的影響，以及支持開發以SWCNT為基礎的用于太空輻射環境的納米電子設備。 實驗室材料研究工程師科里·克瑞斯表示，環繞地球外圍的電粒
科學家開發面向二維集成電路的單晶金屬氧化物柵介質晶圓
8月7日，中國科學院上海微系統與信息技術研究所（以下簡稱上海微系統所）研究員狄增峰團隊，在面向低功耗二維集成電路的單晶金屬氧化物柵介質晶圓研制方面取得突破性進展，相關研究發表于《自然》。硅基集成電路是現代技術進步的基石，但在尺寸縮小方面面臨著嚴峻的挑戰。二維半導體材料具有高載流子遷移率和抑制短溝道效
微電子所在鐵電垂直環柵納米器件研究方面取得進展
鐵電晶體管（FeFET）具有非易失性數據存儲、納秒級的編程/擦除速度、低功耗操作、超長的數據保存時間以及與CMOS工藝兼容等優點，被認為是未來非易失存儲器應用的候選器件。在5nm技術節點以下，由于器件柵長（小于18納米）和鐵電薄膜厚度（大約10納米）相近，基于FinFET和水平環柵晶體管（GAA
朱慧瓏團隊在鐵電垂直環柵納米器件研究獲進展
鐵電晶體管（FeFET）具有非易失性數據存儲、納秒級的編程/擦除速度、低功耗操作、超長的數據保存時間以及與CMOS工藝兼容等優點，被認為是未來非易失存儲器應用的候選器件。在5nm技術節點以下，由于器件柵長（小于18納米）和鐵電薄膜厚度（大約10納米）相近，基于FinFET和水平環柵晶體管（GAA
電源管理IC芯片該如何選擇？（二）
本文將重點介紹4種主要的電源管理IC。1、LDO——最基本的電源IC，是一種低壓差線性穩壓器，使用在其飽和區域內運行的晶體管或場效應管（FET），從應用的輸入電壓中減去超額的電壓，產生經過調節的輸出電壓。所謂壓降電壓，是指穩壓器將輸出電壓維持在其額定值上下 100mV 之內所需的輸入電壓
鍺能生產最靈活自適應的晶體管？開創芯片技術新紀元
鍺的特殊性質和專用編程柵電極的使用，使人們有可能為一種開創芯片技術新紀元的新元件制造出原型。據近日發表在美國化學學會《納米雜志》上的研究，奧地利維也納工業大學沒有依靠硅基晶體管技術，而是利用鍺生產出世界上最靈活的晶體管。這種新型自適應晶體管可以在運行時動態切換，能執行不同的邏輯任務。這從根本上改
中科院微電子所研制高性能的負電容FinFET器件
近日，中國科學院微電子研究所集成電路先導工藝研發中心，面向5納米及以下節點高性能和低功耗晶體管性能需求，基于主流后高K金屬柵（HKMG-last）三維FinFET器件集成技術，成功研制出高性能的負電容FinFET器件。 現有硅基晶體管受玻爾茲曼熱力學限制，室溫下亞閾值擺幅SS≥60mV/dec
研究發展出單層二硫化鉬低功耗柔性集成電路
柔性電子是新興技術，在信息、能源、生物醫療等領域具有廣闊的應用前景。其中，柔性集成電路可用于便攜式、可穿戴、可植入式的電子產品中，對器件的低功耗提出了極高的技術需求。相對于傳統半導體材料，單層二硫化鉬二維半導體具有原子級厚度、合適的帶隙且兼具剛性（面內）和柔性（面外），是備受矚目的柔性集成電路溝
我國率先制備出5納米柵長碳納米管
美國《科學》雜志21日刊登了北京大學信息科學技術學院彭練矛和張志勇課題組在碳納米管電子學領域取得的世界級突破：首次制備出5納米柵長的高性能碳納米晶體管，并證明其性能超越同等尺寸的硅基CMOS（互補金屬—氧化物—半導體）場效應晶體管，將晶體管性能推至理論極限。 因主流硅基CMOS技術面臨尺寸縮減
場效應管的電極相關介紹
所有的FET都有柵極（gate）、漏極（drain）、源極（source）三個端，分別大致對應BJT的基極（base）、集電極（collector）和發射極（emitter）。除JFET以外，所有的FET也有第四端，被稱為體（body）、基（base）、塊體（bulk）或襯底（substrate
物理所等實現二維原子晶體硒化銦高性能光電探測器
二維層狀原子晶體材料的物理性能（如帶隙等）隨厚度減小而變化，在光子和光電子器件的應用中具有廣闊前景。光電探測器作為重要的光電應用單元器件，引發學界廣泛關注，近年來基于二維原子晶體材料的光電晶體管成為最主要的關注對象之一。除半金屬的石墨烯之外，半導體二維原子晶體材料（如過渡金屬硫屬化合物、II-V
超強抗輻射碳納米管器件與電路研究新進展
新一代航天器對宇航芯片的性能和抗輻射能力提出了更高要求。碳納米管器件的柵控效率高、驅動能力強，是后摩爾時代最具發展潛力的半導體技術之一，并具有較強的空間應用前景。 中國科學院微電子研究所抗輻照器件技術重點實驗室與北京大學教授張志勇、中科院國家空間科學中心副研究員陳睿合作，研制出基于局域底柵的碳
MOS器件的發展與面臨的挑戰（二）
1.8HKMG技術當MOS器件的特征尺寸不斷縮小45nm及以下時，為了改善短溝道效應，溝道的摻雜濃度不斷提高，為了調節閾值電壓Vt，柵氧化層的厚度也不斷減小到1nm。1nm厚度的SiON柵介質層已不再是理想的絕緣體，柵極與襯底之間將會出現明顯的量子隧穿效應，襯底的電子以量子的形式穿過柵介質層進入柵，
2024上海電子電路展「2024上海電子電路展覽會」
展會名稱：2024中國（上海）國際電子電路展覽會英文名稱：China (shanghai) International Electronic Circuits Exhibition 2024參展咨詢：021-5416 3212大會負責人：李經理 136 5198 3978展會地點：上海新國際博覽中心
基于摩擦電子學晶體管陣列的主動式觸覺傳感系統研發
如今，大規模觸覺傳感系統基于電阻、電容、壓電等各種物理傳感機制，廣泛地應用于柔性電子器件、人機交互和健康監測等領域。2014年，中國科學院北京納米能源與系統研究所首次提出了摩擦電子學這一新的研究領域，利用接觸起電產生的靜電勢作為門極信號來調控半導體中電傳輸與轉化特性，實現了各種人機交互式功能器件