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    “工商科學家”的前瞻布局極大規模集成電路關鍵技術集體

    22納米高K介質/金屬柵工程、14納米FinFet器件、新型閃存器件、可制造性設計……這些關鍵技術的突破,標志著我國在集成電路這一高度全球化的高科技競爭領域前沿擁有了一席之地。 提出了“專利指導下的研發戰略”,并首次實現了向大型制造企業的許可轉讓……這些成果的取得,都離不開中科院微電子所“極大規模集成電路關鍵技術集體”5年的攻關努力。 提前布局 2009年,我國集成電路產業有相當大的緊迫感。 當時,英特爾已經做出基于全后柵平面工藝的32納米處理器,基于三柵晶體管的立體器件工藝研發接近完成。IBM聯盟、歐洲IMEC、韓國三星、日本東芝以及我國臺灣地區的臺積電等也紛紛著手研發各自的22納米制程技術。但此時,國內企業剛開始65~45納米工藝研發。 “我國集成電路的水平和先進國家相比有2~4年的差距,這決定了80%集成電路芯片需要進口。”中科院微電子所研究員閆江說,這直接導致的結果是:我國企業只能搶占中低端市場,且利潤極......閱讀全文

    北京市獎勵180項科學成果 更多科技成果將惠及民眾生活

      26日,北京市獎勵了180項科學技術成果,獲獎項目包括信息科學、基礎材料、生命科學、生物醫學等諸多領域。其中,以企業為主體的產學研聯合攻關成果顯著,同時,北京市今年還將推動更多科技成果惠及民眾生活。  在北京市獎勵的180項科學技術成果中,涌現出了一批具有影響力的前沿性基礎研究成果。中國科學院微

    北京碳納米管集成電路研制取得重大進展

      碳納米管器件和集成電路因速度、功耗等方面優勢,被認為是未來最有可能替代現有硅基集成電路,延續摩爾定理的信息器件技術之一。經過近20年的研究,碳納米管電子學在器件物理、器件制備和優化、簡單集成電路和系統演示方面取得長足進展。  然而,受限于材料和加工工藝問題,碳納米管晶體管的制備規模、成品率和均勻

    《電子專用設備儀器十二五規劃》發布

      為貫徹落實《工業轉型升級規劃(2011-2015年)》和《信息產業“十二五”發展規劃》,促進電子信息制造業增強核心競爭力,提升發展質量效益,工業和信息化部制定了《電子信息制造業“十二五”發展規劃》。《規劃》包含《電子基礎材料和關鍵元器件“十二五”規劃》、《電子專用設備儀器“十二五”規劃》和《數字

    盤點!2019年哪些半導體企業拿了高額政府補助?

      近年來,在政策支持和市場需求的雙重拉動下,我國集成電路設計產業得到了快速發展。2019年,在全球半導體市場比較低迷的背景下,我國集成電路設計產業仍然保持穩步增長態勢。根據中國半導體行業協會設計分會統計數據,2019年我國集成電路銷售收入達7,562.3億元,同比增長15.8%。  為推動我國集成

    基于新型碳納米管的薄膜晶體管問世

      據美國物理學家組織網2月17日(北京時間)報道,最近,科學家研制出了金屬性和半導體性之間平衡達到最優化的新式碳納米管,并使用這種納米管制造出了薄膜晶體管(TFT),未來有望研制出諸如電子書和電子標簽等高性能、透明的柔性設備。   日本名古屋大學的科學家孫東明(音譯)和同事以及芬

    美國開發出生物友好型納米級光源

    科學家開發出生物友好型納米級光源 可在可見光譜范圍內發出相干光   據physorg網站2007年6月28日報告,美國能源部勞倫斯·伯克利國家實驗室和加州大學伯克利分校的研究小組開發出一種能夠在可見光譜范圍內發出相干光的生物友好型納米級光源。一旦該技術得到加強和改進,這種納米級光源的應用前景將十分

    美國開發出生物友好型納米級光源

      據physorg網站日前日報告,美國能源部勞倫斯·伯克利國家實驗室和加州大學伯克利分校的研究小組開發出一種能夠在可見光譜范圍內發出相干光的生物友好型納米級光源。一旦該技術得到加強和改進,這種納米級光源的應用前景將十分廣闊,這些應用包括單細胞內窺鏡檢查、其它形式的“亞波長”生物成像技術、基于納米光

    中國發表的材料學論文數量世界第一 但商業化前景如何

      中國發表的材料科學論文比其它任何國家都多,但要獲得材料研究的經濟效益,中國還需要將科研成果投入到應用中。  圍繞先進材料發展新產業來維持經濟增長是中國的一項宏偉計劃。  在過去15年中,材料科學,尤其是納米材料等領域已經成為了政策制定者的關注重點。十多年來,中國一直是在材料科學領域發表論文最多的

    首都全力打造納米科技創新高地

      2013年6月18日,清華-富士康納米科技研究中心超順排碳納米管陣列產業化項目正式簽約入駐北京納米科技產業園,這是繼納米綠色印刷項目之后又一個納米重大科技成果落戶納米科技產業園。   三年前,在中科院化學所的一間展覽室里,中科院化學研究所新材料實驗室主任宋延林給科技日報記者展示了神奇的“印刷”

    北京納米科技產業呈現集聚發展態勢

      近日舉行的2013年全國科技活動周暨北京科技周期間,觀眾拿著門票進場后,管理者就能及時知道參觀人數等信息。奧妙就在于門票采用了納米技術印刷的電路。   此次科技周期間,除了納米電子門票之外,還展示到了更多納米成果,充分展現了北京市納米產業發展取得的新突破。   納米成果“綻放”科技周   

    俄羅斯將出臺新的納米行業國家標準

      為了規范和進一步推動俄羅斯納米行業發展,俄羅斯納米技術公司近日宣布,由該公司的“基礎設施和教育項目基金“參與制定的俄羅斯國家納米行業10項標準將在2013年第一季度出臺。   標準將涉及行業生產所需的規范術語、技術規程、操作要求等,出臺的10項標準里有3項微電子標準、5項納米結構陶瓷生產標準和

    我國科學家在新型垂直納米環柵器件研究中取得進展

      垂直納米環柵晶體管是集成電路2納米及以下技術代的主要候選器件,但其在提高器件性能和可制造性等方面面臨著眾多挑戰。在2018年底舉辦的國際集成電路會議IEDM上,來自IMEC的Ryckaert博士將垂直納米器件的柵極長度及溝道與柵極相對位置的控制列為關鍵挑戰之一。  中國科學院微電子研究所先導中心

    北京首個納米材料檢測中心落戶北京納米產業園

      在北京市科委推動下,2月12日北京納米電子材料檢測服務中心(簡稱檢測中心)在北京納米科技產業園正式啟動運行。該中心的正式運行填補了北京地區缺乏納米電子材料專業檢測服務空白,標志著北京納米科技產業鏈日臻完善。   檢測中心由納米檢測領域優勢單位創新合作模式組建而成。其中中科納通負責提供場地、自有

    清華大學單原子層納米金屬材料研制成功

      近日,在北京市科委支持下,清華大學李亞棟院士團隊在世界上首次成功制備出單原子層納米銠片,相關成果發表在國際權威學術期刊《自然-通訊》上。   自石墨烯發現以來,科學界對含離域大P鍵的單層材料的研究集中在具有層狀結構相關材料體系方面。由于金屬鍵無方向性而易于形成三維的緊密堆積結構,迄今為止具有離

    下一代納米設備將大量應用新材料

      據了解,根據摩爾定律,半導體芯片上集成的晶體管數量每兩年就會翻一倍,其能耗也迅速增加。而且傳統的電子設備在極端環境如高溫或輻射條件下,也無法保證運行。為了支持設備升級并降低能耗,研究人員一直在尋找替代技術或混合型技術,其中納米電機(NEM)交換技術正逐漸顯出光明的前景。過去10年來,科學家對開發

    華人教授李玉琢加入巴斯夫 領導全球研發

    據歐覽在線報道,德國化學公司巴斯夫宣布,化學機械研磨(CMP)行業著名專家、美國Clarkson大學教授李玉琢博士將加入巴斯夫,負責領導公司全球CMP研發團隊,為半導體行業開發創新解決方案。  李玉琢教授說:“開發更小的芯片,需要更多創新的化學品和材料。我非常高興能夠加入巴斯夫這個全

    計算機體系結構國家重點實驗室開放日

    活動現場  中國科學院計算技術研究所第五屆學術大會暨計算機體系結構國家重點實驗室(籌)開放日于12月8日至9日舉行,來自中國科學院、清華大學、北京大學、國防科技大學等國內高校及研究機構的百余名學者參加了本次活動。   一年一度的計算所學術大會旨在展示計算所一年中所取得的的科研創新成

    《納米快報》:一維半導體納米結構光子學

    在基金委青年基金、納米重點項目和國家納米測試基金及973課題的支持下,湖南大學納米技術研究中心潘安練、鄒炳鎖教授等團隊成員和北京大學、國家納米中心以及德國馬普研究所合作,在一維半導體納米結構光子學的研究上取得了重大突破:首次正式提出了半導體一維納米結構中光子輸運的概念,建立光傳播的理論模型,并在實驗

    國家重大科學研究計劃2011年度重要支持方向確定

    各省、自治區、直轄市、計劃單列市科技廳(委、局),新疆生產建設兵團科技局,國務院各有關部門辦公廳(室):  國家重大科學研究計劃是《國家中長期科學和技術發展規劃綱要(2006-2020年)》(以下簡稱《規劃綱要》)部署的、引領未來發展、對科學和技術發展有很強帶動作用的基礎研究發展計劃。  

    微電子所在新型硅基環柵納米線MOS器件研究中取得進展

      近日,中國科學院微電子研究所集成電路先導工藝研發中心在面向5納米以下技術代的新型硅基環柵納米線(Gate-all-around silicon nanowire,GAA SiNW)MOS器件的結構和制造方法研究中取得新進展。  5納米以下集成電路技術中現有的FinFET器件結構面臨諸多挑戰。環柵

    北京發布先導與優勢材料專項成果

      今天,北京市政府新聞辦舉行《北京技術創新行動計劃》系列成果“先導與優勢材料創新發展”專場發布會。作為專項行動計劃的牽頭組織單位,北京市科委發布了“12納米碳納米管集成電路CMOS器件研制”等10項先導與優勢材料領域國際國內領先成果。  2014年4月,北京市政府發布實施了《北京技術創新行動計劃(

    IBM新型碳納米管芯片:單芯片上制造上萬晶體管

            美國IBM公司使用標準的主流半導體工藝,將一萬多個碳納米管打造的晶體管精確放置在了一顆芯片內,并且通過了測試。多年來,我們的芯

    中科院微電子所研制高性能的負電容FinFET器件

      近日,中國科學院微電子研究所集成電路先導工藝研發中心,面向5納米及以下節點高性能和低功耗晶體管性能需求,基于主流后高K金屬柵(HKMG-last)三維FinFET器件集成技術,成功研制出高性能的負電容FinFET器件。  現有硅基晶體管受玻爾茲曼熱力學限制,室溫下亞閾值擺幅SS≥60mV/dec

    新方案可預測太空集成微電路故障

      俄國立核能研究大學“莫斯科理工學院”微電子和納米電子部門的工作人員提出了一種新的技術方案,可以預測太空集成微電路的故障。  現代氣象衛星、通信衛星和地球觀測衛星在軌道至少應運行10年—15年,失常原因通常是機載電子設備發生故障。現在,集成電路元件尺寸縮小到納米級別,這導致多種故障發生,比如,一個

    國家科學技術獎揭曉 分析領域多項獲獎

      中共中央、國務院2009年1月9日上午在北京隆重舉行國家科學技術獎勵大會,國家科學技術獎也揭曉,其中“食品、農產品品質無損檢測新技術和融合技術的開發”等多項分析領域獲得獎項:     食品、農產品品質無損檢測項目獲2008年度國家技術發明獎   由江蘇大學完成的“食品、農產品品質

    關于973計劃重大科學問題導向項目申報的通知

    國科基函〔2010〕20號 各有關單位:          973計劃和國家重大科學研究計劃將根據其定位,在“十二五”期間緊密圍繞國家重大需求凝練科學問題,突出研究目標。一方面,各領域將加強科

    973重大科學問題導向項目開始申報

    關于973計劃重大科學問題導向項目申報的通知國科基函〔2010〕20號各有關單位:   973計劃和國家重大科學研究計劃將根據其定位,在“十二五”期間緊密圍繞國家重大需求凝練科學問題,突出研究目標。一方面,各領域將加強科學問題的針對性;另一方面,將圍繞若干重大科學目標,組織實施重大項目。 

    我國實現石墨烯外差混頻探測 開啟太赫茲立體成像大門

    石墨烯和太赫茲,一個是面向未來的新材料,一個是面向未來的新技術,兩者貌似不搭茬。不過,最近它們“碰撞”在一起,產生了絢麗的“火花”。7月13日,從中國電子科技集團公司獲悉,科研人員成功將石墨烯太赫茲探測器的工作頻率提高至650GHz,在國際上首次實現石墨烯外差混頻探測,開啟了太赫茲立體成像世

    石墨烯和太赫茲“撞”出“火花”

      石墨烯和太赫茲,一個是面向未來的新材料,一個是面向未來的新技術,兩者貌似不搭茬。不過,最近它們“碰撞”在一起,產生了絢麗的“火花”。  記者13日從中國電子科技集團公司獲悉,科研人員成功將石墨烯太赫茲探測器的工作頻率提高至650GHz,在國際上首次實現石墨烯外差混頻探測,開啟了太赫茲立體成像世界

    中國團隊打破國外壟斷 升級太赫茲技術

    太赫茲波因其獨特性能被稱為天生的反恐“專家”,由此研發而成的人體安檢儀也解決了生活中的一個難題:告別繁瑣的安檢程序,不僅更安全、高效,而且更可靠。此前,這種核心技術一直被少數國家壟斷,中國的科技團隊用3年時間打破技術壁壘,還升級、拓展了其應用,實現追趕與超越。這臺安檢儀背后的故事,也是這些年來,中國

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