上海光機所研制出多路并行激光直寫系統
11月，中科院上海光學精密機械研究所周常河研究員課題組成功研制出多路激光直寫裝置。該裝置采用405nm的藍光激光光源，尼康0.9數值孔徑的透鏡，以及自動聚焦系統，實現了25路高精度并行激光直寫，刻寫光斑的線寬小于600nm。相比于傳統激光直寫系統，該裝置在刻寫速度和效率方面有了很大的提高，幾十倍地縮短了激光直寫時間，可以快速制作大尺寸、高精度衍射光學元件。 激光束直寫技術是一種無需掩膜的光刻技術，基本工作原理是由計算機控制高精度激光束或樣品掃描，在光刻膠上或光敏材料上刻寫出掩膜圖形。傳統的激光直寫裝置由于受單路激光刻寫的限制，效率低，時間長，只能應用于中、小尺寸光學器件的生產和制備。該裝置的成功研制，有可能為中國的半導體制造及大尺寸微納光學加工領域提供一種高性能、低成本的技術手段，同時，也將推動我國在納米光刻，微納光學制造等領域的進步，對于研制我國大科學工程、裝置以及天文、航天、航空、印刷等行業所需要的大尺寸光學元件，......閱讀全文
上海光機所研制出多路并行激光直寫系統
11月，中科院上海光學精密機械研究所周常河研究員課題組成功研制出多路激光直寫裝置。該裝置采用405nm的藍光激光光源，尼康0.9數值孔徑的透鏡，以及自動聚焦系統，實現了25路高精度并行激光直寫，刻寫光斑的線寬小于600nm。相比于傳統激光直寫系統，該裝置在刻寫速度和效率方面有了很大的提高，幾十倍
激光直寫的工作原理是怎樣的？
激光直寫是制作衍射光學元件的主要技術之一，可在光刻膠的表面直接寫入多臺階、連續位相浮雕微結構，與二元光學方法相比，工藝簡單，避免了多套掩模之間的套刻對準環節，改善了DOE的加工精度，從而提高DOE的衍射效率。 激光直寫 激光直寫的原理： 激光直寫是利用強度可變的激光束對基片表面的抗蝕材料實
激光直寫的工作原理是怎樣的
激光直寫是制作衍射光學元件的主要技術之一，可在光刻膠的表面直接寫入多臺階、連續位相浮雕微結構，與二元光學方法相比，工藝簡單，避免了多套掩模之間的套刻對準環節，改善了DOE的加工精度，從而提高DOE的衍射效率。 激光直寫 激光直寫的原理： 激光直寫是利用強度可變的激光束對基片
高精度掩膜對準光刻機
高精度掩膜對準光刻機是一種用于農學、生物學、化學、物理學領域的分析儀器，于2017年11月7日啟用。 技術指標 支持4英寸晶圓；曝光波長：350-450nm；曝光燈功率：350W；分辨率：優于0.8mm（光刻膠厚度1微米時）；套刻精度：0.5mm；光強均勻度：優于±2％；更換汞燈后及汞燈全壽
光刻技術與納米光刻簡介
距離理查德·菲利普斯·費曼著名的演講“There’s plenty of room at the bottom”有將近60年歷史。在他的論文中，他曾問到：“我們怎么樣寫小？”在今天的科學技術研究中，仍有同樣的問題。雖然自上世紀60年代以來，科研技術已經大大進步，半導體行業中使用的線寬已經大幅度下
光刻技術與納米光刻簡介
距離理查德·菲利普斯·費曼著名的演講“There’s plenty of room at the bottom”有將近60年歷史。在他的論文中，他曾問到：“我們怎么樣寫小？”在今天的科學技術研究中，仍有同樣的問題。雖然自上世紀60年代以來，科研技術已經大大進步，半導體行業中使用的線寬已經大幅度下
光刻技術與納米光刻簡介
距離理查德·菲利普斯·費曼著名的演講“There’s plenty of room at the bottom”有將近60年歷史。在他的論文中，他曾問到：“我們怎么樣寫小？”在今天的科學技術研究中，仍有同樣的問題。雖然自上世紀60年代以來，科研技術已經大大進步，半導體行業中使用的線寬已經大幅度下
采用熱掃描探針光刻和激光直寫相結合的方法快速制備
? ? 制造高品質的固態硅基量子器件要求高分辨率的圖形書寫技術，同時要避免對基底材料的損害。來自IBM實驗室的Rawlings等人利用SwissLitho公司生產的3D納米結構高速直寫機NanoFrazor，結合其高分辨熱探針掃描技術和率的激光直寫功能，制備出一種室溫下基于點接觸隧道結的單電子晶體管
一文盤點當前微納加工技術
微納加工技術指尺度為亞毫米、微米和納米量級元件以及由這些元件構成的部件或系統的優化設計、加工、組裝、系統集成與應用技術，涉及領域廣、多學科交叉融合，其最主要的發展方向是微納器件與系統（MEMS和NEMS）。微納器件與系統是在集成電路制作上發展的系列專用技術，研制微型傳感器、微型執行器等器件和系統
聚焦離子束（FIB）直寫技術研究
現代半導體制造業迅速發展，對產品的質量要求越來越高，對相關的微分析技術的要求也越來越高。除了IC 制造以外，納米結構在新元件上應用越來越多，特別是納米光子和納米光學。聚焦離子束（Focused Ion Beam，FIB）系統是在常規離子束和聚焦電子束系統研究的基礎上發展起來的，除具有掃描電子顯微鏡具
光刻壟斷難解，技術難在哪？
經常聽說，高端光刻機不僅昂貴而且還都是國外的，那么什么是光刻機呢？上篇我們聊了從原材料到拋光晶片的制成過程，今天我們就來聊聊什么是光刻～第一步驟的晶體生長機晶片的制造，我們上篇已經聊過了。今天我們要聊的是光刻，我們先簡單聊一聊硅的氧化（熱氧化），刻蝕的話我們后面再講。硅的氧化其中包含了在分立器件和集
雙光子微納3D打印典型應用
全新推出的QuantumX是世界上基于雙光子灰度光刻（2GL?）用于折射和衍射微光學的工業級打印系統。該技術將灰度光刻的優良性能與雙光子聚合的準確性和靈活性完美結合在一起，使得同時具備高速打印，最大設計自由度和高精度的特點。 典型應用 1、超材料和先進材料 微納3D打印為超材料、復合材料、功
微納3D打印，更精準更宏觀
飛秒激光直寫無機納米結構的光場分布示意圖。（鄭美玲提供） ? 飛秒激光被用于眼科手術治療近視，已經為人熟知。 但它能做得遠不止于此。飛秒激光直寫作為一種有效的三維微納精細加工技術，可以在多種透明光學材料中實現微小型
微納3D打印，更精準更宏觀
飛秒激光直寫無機納米結構的光場分布示意圖。（鄭美玲提供） ? 飛秒激光被用于眼科手術治療近視，已經為人熟知。 但它能做得遠不止于此。飛秒激光直寫作為一種有效的三維微納精細加工技術，可以在多種透明光學材料中實現微小型
近場直寫技術打印高度有序的微納米線陣列
——精密元件制作的新思路 近年來，通過對傳統靜電紡絲工藝的改進，科研人員已經能夠針對大量微納米纖維進行同時操縱而制備出有序的納米纖維陣列，然而卻始終無法保證纖維陣列的高度有序性，從而極大的限制了其在精密微電子和光電子器件等領域的應用。為了彌補這種缺陷，需要開發新的制備工藝來實現對單根微納米線的
光刻技術首次繪出銀納米結構
德國柏林亥爾姆茨材料和能源研究中心與聯邦材料測試與研究機構合作，首次在銀材料底層上完成光刻納米結構，為未來光計算機數據處理、新型電子器件制造開辟了新的途徑。這項成果刊登在美國化學學會的《應用材料和界面》雜志上。 要想在材料表面獲得精細結構圖樣，最佳選擇是采用電子顯微鏡掃描技術，利用電子束在其
極紫外光刻新技術問世
據日本沖繩科學技術大學院大學（OIST）官網最新報告，該校設計了一種極紫外（EUV）光刻技術，超越了半導體制造業的標準界限。基于此設計的光刻設備可采用更小的EUV光源，其功耗還不到傳統EUV光刻機的十分之一，從而降低成本并大幅提高機器的可靠性和使用壽命。 在傳統光學系統中，例如照相機、望遠鏡和
科學家首次利用硫系薄膜實現灰度光刻
中科院上海光機所高密度光存儲實驗室魏勁松研究小組在一項最新研究中，首次利用硫系薄膜實現高分辨率的灰度圖形光刻。相關研究成果已作為專欄文章全文發表于《自然—光子學》雜志。 該項研究首次發現，利用激光直寫在硫系薄膜形成表面浮雕結構，通過精確控制激光脈沖能量可以得到不同高度和尺寸的浮雕結構，不同高度
物理所研究團隊發展出新的二維材料圖案化的方法
二維材料具有原子級厚度和較高的比表面積，所有原子處于表面，導致其表面對表面吸附和外界環境較為敏感。二維半導體材料在電子學與光電子學器件領域具有廣闊的應用前景，有望成為下一代小型化電子器件的核心材料。為實現此類應用，需要對材料進行剪裁。通過常規的微納加工技術，包括光刻和反應離子干法刻蝕或化學溶液濕
上海微系統所等晶圓級高精度瞬態生物光刻研究獲進展
近日，中國科學院上海微系統所傳感技術國家重點實驗室陶虎課題組，聯合復旦大學附屬華山醫院神經外科、江蘇科技大學蠶業研究所等研究機構的科研人員，開發出對紫外光敏感且分子量均一的蠶絲蛋白輕鏈溶液，并基于該溶液，結合傳統紫外光刻工藝，實現了晶圓級高精度綠色瞬態生物光刻。相關成果以Precise Prot
美開發出熱蘸筆納米光刻技術
據美國物理學家組織網11月7日報道，美國科學家首次厘清了溫度在蘸筆納米光刻技術中的作用，據此研制出的熱蘸筆納米光刻技術能在物質表面構造大小為20納米的結構。借助這一技術，科學家們能廉價地在多種材料表面構造和種植出納米結構，用以制造電路和化學傳感器，或者研究藥物如何依附于蛋白質和病
我國納米光刻技術研究取得突破
日前，中科院光電技術研究所微光刻技術與微光學實驗室首次提出基于微結構邊際的LSP超分辨光刻技術。該技術利用微納結構邊際作為掩模圖形，對表面等離子體進行有效激發，其采用普通I-line、G-line光源獲得了特征尺寸小于30納米的超分辨光刻圖形。 據相關負責人介紹，傳統的微光刻工藝采用盡可能
飛秒激光直寫金屬微納結構－優化光學和電學性質
近日，吉林大學孫洪波、張永來教授團隊對飛秒激光直寫金屬微納結構的多樣化制造方法和集成技術做了系統性的總結與評述，并對其豐富的功能應用進行了系統性的梳理和展望。 微納結構化金屬材料由于獨特的光學和電學性質，在超材料、電子器件、納光子器件、近場光學以及催化、儲能等諸多研究領域展示出了重要應用前景。
電工所科技前沿論壇“微光刻與電子束光刻技術”開講
從1958年世界第一塊平面集成電路到2012年04月24日英特爾在北京天文館正式發布核心代號為Ivy Bridge的第三代酷睿處理器—英特爾首款22納米工藝處理器，短短五十多年，微電子技術一直遵循著摩爾定律，發展勢頭迅猛。 針對微光刻與電子束光刻技術發展圖譜，7月6日，中科院微電子所陳
激發熒光的激光束
用于激發熒光的激光束(Laser)透過入射小孔(light source pinhole)被二向色鏡(Dichroic mirror)反射，通過顯微物鏡(Objective lens)匯聚后入射于待觀察的標本(specimen)內部焦點(focal point)處。激光照射所產生的熒光(fluore
激光束聚焦的定義
中文名稱激光束聚焦英文名稱laser beam focusing定 義利用光學透鏡獲得所需要的能量密度高的激光光斑所采用的方法。應用學科機械工程（一級學科），光學儀器（二級學科），激光器件和激光設備-激光應用（三級學科）
巧用沾筆納米光刻技術獲得超材料
沾筆納米光刻工藝示意圖 你或許沒有想過將堅硬的金屬或半導體與柔軟的有機物或生物產品結合起來會是何種情景，不過美國科學家可以告訴你的是，他們獲得了自然界從沒有見過的混合材料，而這些混合材料在醫學和制造業中將具有驚人的應用前景。 美國佛羅里達州立大學綜合納米研究所（INSI）的科學家
激光束聚焦的功能介紹
中文名稱激光束聚焦英文名稱laser beam focusing定 義利用光學透鏡獲得所需要的能量密度高的激光光斑所采用的方法。應用學科機械工程（一級學科），光學儀器（二級學科），激光器件和激光設備-激光應用（三級學科）
光刻機的性能指標
光刻機的主要性能指標有：支持基片的尺寸范圍，分辨率、對準精度、曝光方式、光源波長、光強均勻性、生產效率等。 分辨率是對光刻工藝加工可以達到的最細線條精度的一種描述方式。光刻的分辨率受受光源衍射的限制,所以與光源、光刻系統、光刻膠和工藝等各方面的限制。 對準精度是在多層曝光時層間圖案的定位精度
光刻機的性能指標
光刻機的主要性能指標有：支持基片的尺寸范圍，分辨率、對準精度、曝光方式、光源波長、光強均勻性、生產效率等。 分辨率是對光刻工藝加工可以達到的最細線條精度的一種描述方式。光刻的分辨率受受光源衍射的限制，所以與光源、光刻系統、光刻膠和工藝等各方面的限制。 對準精度是在多層曝光時層間圖案的定位精度