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光刻機的主要性能指標有：支持基片的尺寸范圍，分辨率、對準精度、曝光方式、光源波長、光強均勻性、生產效率等。 分辨率是對光刻工藝加工可以達到的最細線條精度的一種描述方式。光刻的分辨率受受光源衍射的限制,所以與光源、光刻系統、光刻膠和工藝等各方面的限制。 對準精度是在多層曝光時層間圖案的定位精度。 曝光方式分為接觸接近式、投影式和直寫式。 曝光光源波長分為紫外、深紫外和極紫外區域，光源有汞燈，準分子激光器等。......閱讀全文
大家也許還不是非常的清楚，刻錄機的種類有非常的多，其中的技術原理也不盡相同，下面就由我來給大家簡單介紹一下有關接觸式光刻機的使用原理及性能指標。 接觸式光刻機的使用原理： 其實在我國對于接觸式光刻機，曝光時掩模壓在光刻膠的襯底晶片上，其主要優點是可以使用價格較低的設備制造出較小的特征尺寸。 我
一文讀懂半導體制程技術進步的“燃料”——光刻膠 光刻膠又稱光致抗蝕劑，是一種對光敏感的混合液體。其組成部分包括：光引發劑（包括光增感劑、光致產酸劑）、光刻膠樹脂、單體、溶劑和其他助劑。光刻膠可以通過光化學反應，經曝光、顯影等光刻工序將所需要的微細圖形從光罩（掩模版）轉移到待加工基片上。依據
能量色散X 熒光光譜儀至今還沒有形成統一的國家檢定規程。因此，根據儀器的實際檢定要求，參考相關儀器的檢定規程，對能量色散X 熒光光譜儀的檢定方法進行了深入的研究和探討，提出了能量色散X 射線熒光光譜儀的檢定方法。 X 射線熒光分析技術已被廣泛用于冶金、地質礦物、石油、化工、生物、醫療、刑偵
一、激光粒度儀的原理 激光粒度儀是根據顆粒能使激光產生散射這一物理現象測試粒度分布的。由于激光具有很好的單色性和極強的方向性，所以在沒有阻礙的無限空間中激光將會照射到無窮遠的地方，并且在傳播過程中很少有發散的現象。 &
“基礎研究決定一個國家科技創新的深度和廣度，‘卡脖子’問題根子在基礎研究薄弱。”李克強總理在9月2日主持召開的國家杰出青年科學基金工作座談會上指出。 “剛才幾位代表都在發言中都提到‘卡脖子’問題。‘卡脖子’問題根子在基礎研究薄弱，不是就事論事就能夠解決的。”李克強說，“基礎研究站得穩不穩，站得
01、光刻機 《這些“細節”讓中國難望頂級光刻機項背》 制造芯片的光刻機，其精度決定了芯片性能的上限。在“十二五”科技成就展覽上，中國生產的最好的光刻機，加工精度是90納米。這相當于2004年上市的奔騰四CPU的水準。而國外已經做到了十幾納米。 光刻機里有兩個同步運動的工件臺，一個載底片，
作者： 何國鋒 董青云 文章來源：國家水煤漿工程技術中心 丹東百特儀器有限公司 激光粒度儀作為一種新型的粒度測試儀器，已經在其它粉體加工與應用領域得到廣泛的應用。它的特點是測試速度快、重復性好、準確性好、操作簡便。
水煤漿作為一種具有流動性的潔凈代油燃料，具有濃度高、粒度細、流動性好，燃燒效率高、環保節能、存儲安全等優點。已經廣泛應用于工業鍋爐、電站鍋爐和工 業爐窯。除電站、鋼廠、煉化等企業的大型燃燒設備外，愈來愈多的中小型鍋爐(20噸以下)也開始燃用水煤漿。考慮到我國的
光刻機的主要性能指標有：支持基片的尺寸范圍，分辨率、對準精度、曝光方式、光源波長、光強均勻性、生產效率等。 分辨率是對光刻工藝加工可以達到的最細線條精度的一種描述方式。光刻的分辨率受受光源衍射的限制，所以與光源、光刻系統、光刻膠和工藝等各方面的限制。 對準精度是在多層曝光時層間圖案的定位精度
中科院強激光材料重點實驗室近期在13.5nm軟x射線反射鏡研制方面取得重要進展，技術性能指標達到國際先進水平。經合肥國家同步輻射實驗室測試，反射鏡S分量反射率最高值達到67.8%（34.4°入射）。 13.5nm軟x射線多層膜反射元件與現代科學技術研究的前沿課題密切相關，
一、激光粒度儀的原理 激光粒度儀是根據顆粒能使激光產生散射這一物理現象測試粒度分布的。由于激光具有很好的單色性和極強的方向性，所以在沒有阻礙的無限空間中激光將會照射到無窮遠的地方，并且在傳播過程中很少有發散的現象。如圖1所示。 圖1 激光束在無阻礙狀態下的傳播示意圖 米氏散射
在電子工業中，集成電路特征尺寸不斷縮小，使得生產過程中超純水的水質要求也愈來愈高。電子工廠潔凈廠房設計中純水供應是重要內容之一，各種電子產品生產工藝對純水水質、水量要求均不相同。 IC制造應關注超純水水質 電子產品生產中純水系統應根據原水水質和產品生產工藝對水質的要求，結合系統規模、
背景介紹 一片晶圓從開始加工到出廠，涉及到數百個不同的工藝流程。因不同工藝所在車間的位置和設備檔期等原因，這些制程在地點和時間上并不是連續發生的，因此，晶圓在不同工藝設備之間的運輸和不定時長的‘排隊’是很難避免的。半導體行業內通常采用前開式晶圓運輸盒（FOUPs）來運送和臨時儲存晶圓。換句
——長春光機所李曉天副研究員專訪 分析測試百科網訊 光譜技術已邁過百年歷史長河，中國的光譜分析技術亦可追溯到上個世紀50年代，今日中國的光譜技術已從國際上“跟跑”躍升到部分領域領跑的地位。在這背后，老中青科學家，克服了嚴峻的挑戰、付出了辛勤的汗水。伴隨著將在成都召開
1895 年，德國物理學家倫琴 ( Roentgen WC) 發現了 X射線。1896 年，法國物理學家喬治( Georgs S) 發現了 X射線熒光。1948 年，弗利德曼(&n
我們不斷向先進的CMOS的微縮和新存儲技術的轉型，導致半導體器件結構的日益復雜化。例如，在3D NAND內存中，容量的擴展通過垂直堆棧層數的增加來實現，在保持平面縮放比例恒定的情況下，這帶來了更高深寬比圖形刻蝕工藝上的挑戰，同時將更多的階梯連接出來也更加困難。人們通過獨特的整合和圖案
隨著社會經濟的不斷發展，現代高新技術與基礎科學實驗研究對科學儀器的先進性、穩定性、性價比等要求越來越高。我國在科學儀器設備的研發和制造方面與發達國家相比都存在明顯差距，為擺脫關鍵核心技術和設備受制于人的現狀，我國一直致力于儀器設備的自主研發和產業化能力的提升。近年來，江蘇立足
為深入貫徹落實《中國制造2025》（國發〔2015〕28號），推進供給側結構性改革，發揮產業技術研發應用對創新驅動的引領和支撐作用，增強關鍵環節和重點領域的創新能力，實現中國制造向中國創造轉變，工信部組織修訂了《產業關鍵共性技術發展指南（2017年）》，并于10月30日發布。 《產業關鍵共性技
微流控芯片起源于MEMS（微機電系統）技術，早期常用的材料是硅和玻璃。近年來高分子聚合物材料己經成為微流控芯片加工的主要材料，它的種類多、價格便宜、絕緣性好、性能指標優，可施加高電場實現快速分離，加工成型方便，易于實現批量化生產。 硅具有散熱好、強度大、價格適中、純度高和耐腐蝕等優點。隨著微電
15核心算法中國已經連續 5 年成為世界第一大機器人應用市場，但高端機器人仍然依賴于進口。由于沒有掌握核心算法，國產工業機器人穩定性、故障率、易用性等關鍵指標遠不如工業機器人“四大家族”發那科（日本）、ABB（瑞士）、安川（日本）、庫卡（德國）的產品。核心算法差距過大，導致國產機器人
雖然近幾年中國傳感器市場發展很快，但國內傳感器技術與世界水平相比仍存在很大差距。這種差距，一方面表現為傳感器在感知信息方面的落后，另一方面，則表現為傳感器自身在智能化和網絡化方面的技術落后。由于沒有形成足夠的規模化應用，導致國內的傳感器不僅技術低，而且價格高，在市場上依舊難有競爭力。 下面小編
微流控技術被Forbes雜志評為影響人類未來15件最重要的發明之一。直至今日，各國科學家在這一領域做出更加顯著地成績。微流控技術作為當前分析科學的重要發展前沿，在研究與應用方面都取得了飛速的發展。 從Manz和Widmer等人1990年首次提出微型全分析系統(Miniaturized Tot
微流控技術被Forbes雜志評為影響人類未來15件最重要的發明之一。直至今日，各國科學家在這一領域做出更加顯著地成績。微流控技術作為當前分析科學的重要發展前沿，在研究與應用方面都取得了飛速的發展。 從Manz和Widmer等人1990年
微流控芯片起源于MEMS(微機電系統)技術，早期常用的材料是硅和玻璃。近年來高分子聚合物材料己經成為微流控芯片加工的主要材料，它的種類多、價格便宜、絕緣性好、性能指標優，可施加高電場實現快速分離，加工成型方便，易于實現批量化生產。 微流控芯片的材料——硅 硅具有散熱好、強度大、價格
2011年10月出版的《自然—光子學》以新聞方式報道了北京大學生物動態光學成像中心黃巖誼研究組的最新成果——基于光流控技術的高精度可調焦復合微透鏡。 在器件越來越微型化的今天，為了降低成本，減少人力投入，削減廢料產生，提高通量和自動化程度，提高實驗精準度和可重復性，現代科學研究常常需
經常聽說，高端光刻機不僅昂貴而且還都是國外的，那么什么是光刻機呢？上篇我們聊了從原材料到拋光晶片的制成過程，今天我們就來聊聊什么是光刻～第一步驟的晶體生長機晶片的制造，我們上篇已經聊過了。今天我們要聊的是光刻，我們先簡單聊一聊硅的氧化（熱氧化），刻蝕的話我們后面再講。硅的氧化其中包含了在分立器件和集
目前，TOKO壓力傳感器芯體材質品種繁多，下面簡單介紹下幾種芯體材質的性能 一、單晶硅 硅在集成電路和微電子器件生產中有著廣泛的應用，主要是利用硅的電學特性；在MEMS微機械結構中，則是利用其機械特性，繼而產生新一代的硅機電器件和裝置。硅材料儲量豐富，成本低。硅晶體生長容易，并存在
LED外延生長及芯片制造環節在LED產業鏈中技術含量高，設備投資強度大，同時利潤率也相對較高，是典型的資本、技術密集型行業，其技術及發展水平對各國LED產業結構及各公司的市場地位起著決定性影響。近年來，受到下游需求的拉動，LED在背光、照明等領域的滲透率將不斷提高。由于產業利潤下降，GE、歐司朗、三
純水作為實驗室最廣泛使用的一種溶劑，水質的重要性已經越來越為實驗室工作人員所關注。 關于水中污染物的種類，大家已經基本熟知，關于水質的指標，大家對于電阻率，TOC可能也不陌生，但要提到水中含氧量這個參數，大家卻不一定都了解。隨著技術發展以及對一些專業領域
第二個問題，為什么現在的技術節點不再直接反應晶體管的尺寸呢？原因也很簡單，因為無法做到這個程度的縮小了。有三個主要原因：首先，原子尺度的計量單位是埃，為0.1nm。10nm的溝道長度，也就只有不到100個硅原子而已。未來晶體管物理模型是這樣的：用量子力學的能帶論計算電子的分布，但是用經典的電