近物所離子聯合注入單晶硅制備SOI材料研究獲進展
中科院近代物理研究所科研人員將320 kV高壓平臺提供的氦離子和氧離子聯合注入單晶硅，研究氦離子注入所導致的氦泡和納米空腔與氧原子的相互作用機理，獲得進展。 實驗中，科研人員首先向單晶硅中注入30 keV、3×1016/cm2的氦離子，然后將樣品切成兩塊：一塊做退火處理，退火溫度為1073K，退火時間為30分鐘；另外一塊不做退火處理。實驗清楚地表明：退火前樣品內部存在高密度的氦泡。其截面透射電鏡結果如圖1所示。 科研人員將注氦后的樣品再注入100 keV的氧離子，劑量為3×1016/cm2。再選擇一塊單晶硅，注入同樣條件的氧離子。氧離子注入完成后，經高溫退火處理 (1423K,3h和1473K,2h)，退火氣氛為Ar/O2 (100/10)。利用截面透射電鏡研究了樣品內部的微結構氧原子分布，發現氦、氧離子聯合注入能夠提高樣品內部氧的含量，降低樣品內部缺陷的密度，如圖2和3所示。 這些研究表明：氦離子注入......閱讀全文
近物所離子聯合注入單晶硅制備SOI材料研究獲進展
中科院近代物理研究所科研人員將320 kV高壓平臺提供的氦離子和氧離子聯合注入單晶硅，研究氦離子注入所導致的氦泡和納米空腔與氧原子的相互作用機理，獲得進展。 實驗中，科研人員首先向單晶硅中注入30 keV、3×1016/cm2的氦離子，然后將樣品切成兩塊：一塊做退火處理，退火溫
離子注入機概述
? 離子注入機是高壓小型加速器中的一種，應用數量最多。它是由離子源得到所需要的離子，經過加速得到幾百千電子伏能量的離子束流，用做半導體材料、大規模集成電路和器件的離子注入，還用于金屬材料表面改性和制膜等。? ?中文名：離子注入機 ??? ?外文名:Ion implanter ? ??? ?屬? ?性
稀磁性半導體的制備方法
分子束外延法分子束外延（MBE）技術由于其在原子尺度上精 確控制外延膜厚、摻雜和界面平整度的特點，明顯優 于液相外延法和氣相外延生長法，更有利于生長高質 量DMS薄膜。采用低溫分子束外延（LT-MBE）技術， 能夠有效的抑制新相的析出，同時輔助以高能電子衍 射儀（RHEED），監控生長過程中的表面再
離子注入機的應用
離子注入機是集成電路制造前工序中的關鍵設備，離子注入是對半導體表面附近區域進行摻雜的技術，其目的是改變半導體的載流子濃度和導電類型。離子注入與常規熱摻雜工藝相比可對注入劑量、注入角度、注入深度、橫向擴散等方面進行精確的控制，克服了常規工藝的限制，提高了電路的集成度、開啟速度、成品率和壽命，降低了
離子注入機的原理
離子注入機由離子源、離子引入和質量分析器、加速管、掃描系統和工藝腔組成，可以根據實際需要省去次要部位。離子源是離子注入機的主要部位，作用是把需要注入的元素氣態粒子電離成離子，決定要注入離子的種類和束流強度。離子源直流放電或高頻放電產生的電子作為轟擊粒子，當外來電子的能量高于原子的電離電位時，通過
大連化物所等金屬-載體界面結構研究取得新進展
近日，中國科學院大連化學物理研究所催化基礎國家重點實驗室催化反應化學研究組副研究員周燕、研究員申文杰等與德國卡爾斯魯厄理工學院教授汪躍民、丹麥托普索公司博士Jens Sehested等合作，在銅催化劑活性位原子結構及反應機理研究方面取得新進展。研究成果在線發表在《自然-催化》（Nature Ca
大連化物所等金屬-載體界面結構研究取得新進展
近日，中國科學院大連化學物理研究所催化基礎國家重點實驗室催化反應化學研究組副研究員周燕、研究員申文杰等與德國卡爾斯魯厄理工學院教授汪躍民、丹麥托普索公司博士Jens Sehested等合作，在銅催化劑活性位原子結構及反應機理研究方面取得新進展。研究成果在線發表在《自然-催化》（Nature Ca
聚焦離子束（FIB）技術介紹
1.引言?????隨著納米科技的發展，納米尺度制造業發展迅速，而納米加工就是納米制造業的核心部分，納米加工的代表性方法就是聚焦離子束。近年來發展起來的聚焦離子束（FIB）技術利用高強度聚焦離子束對材料進行納米加工，配合掃描電鏡（SEM）等高倍數電子顯微鏡實時觀察，成為了納米級分析、制造的主要方法。目
大連化物所等金屬-載體界面結構研究取得新進展
近日，中國科學院大連化學物理研究所催化基礎國家重點實驗室催化反應化學研究組副研究員周燕、研究員申文杰等與德國卡爾斯魯厄理工學院教授汪躍民、丹麥托普索公司博士Jens Sehested等合作，在銅催化劑活性位原子結構及反應機理研究方面取得新進展。研究成果在線發表在《自然-催化》（Nature Ca
氧族元素的原子結構
原子序數元素電子層結構8氧2, 616硫2, 8, 634硒2, 8, 18, 652碲2, 8, 18, 18, 684釙2, 8, 18, 32, 18, 6116鉝2, 8, 18, 32, 32, 18, 6相同點·原子最外層有6個電子·反應中易得到2個電子·表現氧化性不同點·除氧外其它氧族