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一、方法要點硅鉬藍-丁基羅丹明B水相比色測定硅的方法。硅鉬藍-丁基羅丹明B絡合物的最大吸收峰在578nm處，試劑吸收峰在492nm處。二、試劑與儀器(1)鉬酸銨溶液(10％)。(2)抗壞血酸-硫酸混合液：硫酸(1+1)中加0．1％抗壞血酸。(3)丁基羅丹明B：0.2％溶液。(4)二氧化硅標準溶液(10μg／mL)。(5)硫酸：1mol／L溶液。(6)分光光度計。三、分析步驟準確稱取合金樣品100mg于50mL燒杯中。加2．5mL鹽酸、5mL過氧化氫，置于低溫電爐上加熱溶解后，再煮沸到過氧化氫小氣泡完全消失，冷卻，移入100mL容量瓶中，稀釋至刻度，分取試液5～10mL于塑料燒杯中，用水稀釋至30mL，加入4mL1mol／L硫酸、2．5mL10％鉬酸銨，置沸水浴中加熱30s，取出流水冷卻，加入20mL抗壞血酸-硫酸混合液，立即加水30mL，搖勻，放置30min后，分別移入l00mL容量瓶中，加入5mL0．2%丁基羅丹明B，稀釋至刻......閱讀全文
最近幾年，在硅基研究領域興起了一種類石墨烯的新型二維材料——硅烯（silicene）。硅烯也是狄拉克費米子體系，其低能準粒子具有線性能帶結構，而且它還是一種二維拓撲絕緣體。在硅烯中， 由于Si-Si原子之間較大的成鍵間距削弱了π電子交疊，它以sp2-sp3混合雜化的方式形成具有弱翹曲（low-b
2月初，研究者揭示了第一塊硅烯晶體管的相關細節，如果這種硅薄層結構能應用于電子設備的制造，可能會推動半導體工業實現終極的微型化。 七年前，硅烯還只是理論家的一個夢。在對石墨烯（單原子層厚度、蜂巢狀的碳材料）的狂熱興趣的驅動下，研究者推測硅原子也許也能形成類似的層狀結構。而如果這種硅薄層結構能應
雖然我國目前已經初步實現了硅納米晶體管、傳感器等納米器件的部分功能，但是離納米器件的大規模集成還有相當大的距離。 美國斯坦福大學研究人員已經研發出用硅納米線制成的“紙電池”。 當全世界的科學家一窩蜂地關注碳納米管時，殊不知，另一種一維納米材料硅納米線同樣能給人帶來意想不到的驚喜。
硅烯是硅原子排列成的蜂窩狀翹曲結構。因其具有和石墨烯相似的幾何構型，理論計算發現硅烯的能帶結構與石墨烯類似，在布里淵區的頂角(K點)也存在狄拉克錐，載流子為無質量的狄拉克費米子。由于硅原子比碳原子重，硅烯具有更強的自旋軌道耦合相互作用，理論預言有可能在硅烯中觀測到量子自旋霍爾效應和量子反常霍爾效
硅與碳同屬于元素周期表的IV族元素。理論工作表明，硅烯具備與石墨烯類似的狄拉克型電子結構，其布里淵區同樣有六個線性色散的狄拉克錐。由此，很多在石墨烯中發現的新奇量子效應，都可以在硅烯中找到相對應版本。而且，硅烯還具備石墨烯沒有的一些優勢，例如硅烯的非共面結構使得硅烯具有更強的自旋軌道耦
他發表了400余篇論文，引用7萬余次，4次入選麻省理工年度技術突破，新創多家成功企業，轉化50余項專利技術，每天卻只有4個小時秘密工作時間。他是John A Rogers，年僅49歲，美國科學院、工程院、藝術與科學院三院院士，柔性電子的先驅人物。今天，他為知社講述他創新創業的傳奇故事：研究的緣起
用于提純硅的裝置。硅沉積室的內部。 繼去年獲得純度高達5個9（99.9998%）的硅后，美國國家標準與技術研究院的團隊又一次刷新紀錄：他們使用一項相對簡單的技術，生產出了可能是目前純度最高的硅，該材料99.9999％以上的成分為硅28，僅有不到百萬分之一為不確定的同位素硅29。 許多量
目前比較通用的純水標準包括ISO 3696-1995、ASTM D1193-2011、GB6682-2008、GB/T33087-2016、GB/T11446-2013。這些標準除了對Na+、Cl- 離子的含量有明確規定外，還規定了硅含量的要求。不同純水級別對硅含量的要求見表1
硅烯是指單層硅原子構成的二維單晶結構。由于它具有和石墨烯類似的蜂窩狀晶體構型，因此理論預言它將具有和石墨烯類似的電子結構，即在布里淵區的頂角(K點)存在狄拉克錐。在石墨烯中，狄拉克點附近的準粒子近似為無質量的狄拉克費米子，從而導致眾多有趣的物理現象及高的電子遷移率。硅烯除了具有石墨烯所具有的類似
尋找與硅基CMOS工藝兼容的新型電子學材料是凝聚態物理及其應用研究領域的主要任務之一。石墨烯作為由碳原子構成的二維原子晶體，因具有優異的電學性質(特別是高載流子遷移率)，有望與硅基CMOS工藝兼容成為制造新一代的高性能電子學器件的新型二維材料。 近年來, 中科院物理研究所/北京凝聚態物
尋找與硅基CMOS工藝兼容的新型電子學材料是凝聚態物理及其應用研究領域的主要任務之一。石墨烯作為由碳原子構成的二維原子晶體因具有優異的電學性質(特別是高載流子遷移率)，有望與硅基CMOS工藝兼容成為制造新一代的高性能電子學器件的新型二維材料。近年來, 中科院物理所/北京凝聚態物理國家實驗室(
1 引 言 硅（Si）是地球上豐度僅次于氧的第二大元素，約占地殼總質量的27.6%。自然界中硅循環過程（如硅酸鹽風化、硅藻的光合作用）與碳循環緊密相連，在不同時間尺度上影響控制著大氣CO2分壓和全球氣候變化[1，2]。Si具有三個穩定同位素：28Si（92.23%）、29Si（4.
在構建各種電子設備及通信系統設備等過程中，振蕩器作為信號源，其選擇十分重要，將直接影響系統本身的性能。本次對以下兩種振蕩器用于基準信號源時的必要特性進行實際測試，通過性能比較進行說明：1、石英晶體單元為波源的基波振蕩器；2、以硅諧振單元為波源且使用鎖相環（ PLL）的全硅 MEMS 振蕩器。振蕩器的
這篇應用筆記描述了硅鍺技術是如何提高 RF 應用中 IC 性能的。文中使用 Giacoleto 模型分析噪聲的影響。SiGe 技術顯示出更寬的增益帶寬從而可以給出更小的噪聲。SiGe 技術在線性度方面的影響還在研究中。 在蜂窩手機和其他數字的、便攜式、無線通信
延續了半個多世紀的摩爾定律預計將在2020年左右失效，硅基光電集成技術有望接替微電子成為未來信息技術的基石，但硅基光電子集成技術的實用化面臨缺少硅基片上光源這一最后障礙。因此，硅基片上光源是當前半導體技術皇冠上的明珠，其研制成功將引領整個硅基光電子集成技術的重大變革。硅光電集成技術處于前沿探索階
目前比較通用的純水標準包括ISO 3696-1995、ASTM D1193-2011、GB6682-2008、GB/T33087-2016、GB/T11446-2013。這些標準除了對Na+、Cl- 離子的含量有明確規定外，還規定了硅含量的要求。不同純水級別對硅含量的要求見表
延續了半個多世紀的摩爾定律預計將在2020年左右失效，硅基光電集成技術有望接替微電子成為未來信息技術的基石，但硅基光電子集成技術的實用化面臨缺少硅基片上光源這一最后障礙。因此，硅基片上光源是當前半導體技術皇冠上的明珠，其研制成功將引領整個硅基光電子集成技術的重大變革。硅光電集成技術處于前沿探索階
2月20日，國際學術期刊Frontiers in Plant Science 在線發表了中國科學院古脊椎動物與古人類研究所高星團隊葛勇等撰寫的學術論文“Phytoliths in Inflorescence Bracts: Preliminary Results of an Investigat
硅與碳同屬于元素周期表的IV族元素，理論工作表明，硅烯具備與石墨烯類似的狄拉克型電子結構，其布里淵區同樣有六個線性色散的狄拉克錐。由此，很多在石墨烯中發現的新奇量子效應，都可以在硅烯中找到相對應版本。而且，硅烯還具備石墨烯沒有的一些優勢，例如，硅烯的非共面結構使得硅烯具有更強的自旋軌道耦合，能在
一、概述 高效液相色譜方法的開發過程中，一個總的原則是：先找到目標化合物的峰，然后調整峰形，再是進一步完善。本文主要介紹調整峰形中峰形后拖的解決方案。 二、峰形后拖常見形式及原因
摘要：自發氣調包裝是果蔬保鮮的重要手段，其中微孔氣調包裝和硅窗氣調包裝在調節包裝氣氛效果顯著。通過試驗證明微孔孔徑、微孔數量、硅窗面積對兩種氣調包裝的氣氛調節有所影響，在合理控制上述參數的前提下，微孔氣調包裝和硅窗氣調包裝在果蔬保鮮領域具有較大的推廣價值。 關鍵詞：微孔氣調包裝、硅窗氣調包
【摘要】硅酸鹽在酸性介質中與鉬酸銨反應生成硅鉬黃，硅鉬黃還原為硅鉬藍后，可被HLB小柱定量萃取。在此基礎上，建立了流動注射固相萃取分光光度(FISPEVis)測定水中痕量硅酸鹽的新方法。反應生成的硅鉬藍經HLB小柱萃取后，用水清洗去除雜質，NaOH溶液洗脫，分光光度法檢測。實驗對各參數進行了
目前比較通用的純水標準包括ISO 3696-1995、ASTM D1193-2011、GB6682-2008、GB/T33087-2016、GB/T11446-2013。這些標準都明確規定了超純水的硅含量要低于一定的值，不同純水級別對硅含量的要求見表1。 表1 不同純水級別對硅含量的要求 為什么要檢
近日，由三明市沙縣質監局負責籌建的福建省無機硅化物產品質檢中心項目正在如火如荼地進入內部整備的關鍵環節，預計今年年底將竣工全面投入使用。該中心的建成，將填補國內尚未設立具有政府公信力和權威的無機硅化物產品質量監督檢驗專門機構的空白。 近年來，沙縣以發展新興產業來推動傳統產業轉型升級，抓好大
目前比較通用的純水標準包括ISO 3696-1995、ASTM D1193-2011、GB6682-2008、GB/T33087-2016、GB/T11446-2013。這些標準都明確規定了超純水的硅含量要低于一定的值，不同純水級別對硅含量的要求見表1。 表1 不同純水級別對硅含量的要求&
峰形對稱性的優劣對峰面積和分離度有很大的影響，從而影響分析結果的準確性。引起峰形異常的因素很多，色譜實踐中，大部分的峰形問題都不是色譜柱的問題，儀器參數設定、色譜條件和方法正確與否對峰形有很大影響。和小析姐看看都有哪些問題吧。 峰拖尾 常見的3種拖尾情況： 次級保留引起峰拖尾的機理解析：
為推進我省光伏產業“十二五“期間超常規發展，特制定本規劃。規劃以2010年為基準年，規劃期為2011―2015年。 一、產業發展現狀 (一)產業背景及發展趨勢 1、產業背景 ――光伏產業進入高速發展時代。光伏產業代表當今世界新能源、清潔能源發展方向，是國家和我省
目前，TOKO壓力傳感器芯體材質品種繁多，下面簡單介紹下幾種芯體材質的性能 一、單晶硅 硅在集成電路和微電子器件生產中有著廣泛的應用，主要是利用硅的電學特性；在MEMS微機械結構中，則是利用其機械特性，繼而產生新一代的硅機電器件和裝置。硅材料儲量豐富，成本低。硅晶體生長容易，并存在
7年前，硅烯還只是理論學家的一個夢想。受石墨烯——由僅是單原子厚度的按蜂窩狀晶格排列的碳原子構成的著名材料——熱情的驅動，研究人員推測，硅原子也可能形成類似的表面。而且如果它們可以被用于制作電子產品，硅烯膠片將會使半導體工業實現微型化的終極夢想。 美國得克薩斯州立大學納米材料研究人員、參與制作
二極管由管芯、管殼和兩個電極構成。管芯就是一個PN結，在PN結的兩端各引出一個引線，并用塑料、玻璃或金屬材料作為封裝外殼，就構成了晶體二極管，如下圖所示。P區的引出的電極稱為正極或陽極，N區的引出的電極稱為負極或陰極。二極管的伏安特性半導體二極管的核心是PN結，它的特性就是PN結的特性——單