子發射光譜（ICP／AES）理論知識（9）——攝譜法
用攝譜法進行光譜分析時，必須有一些觀測設備。常用的設備有：將攝得的譜片進行放大投影在屏上以便觀察的光譜投影儀（或稱映譜儀），測量譜線黑度時用的測微光度計（黑度計），以及測量譜線間距的比長儀等。一、 光譜投影儀在進行光譜定性分析及觀察譜片時需用此設備。一般放大倍數為20倍左右。下圖是WTY型光譜投影儀的光路圖。光源1（12V50W鎢絲燈）的光線，經球面反射鏡2反射，通過聚光鏡3及隔熱玻璃11，再經反射鏡10將光線轉折550，由聚光鏡組3’射向被分析的光譜底板4，使光譜底板上直徑為 15 ｍｍ的面積得到均勻的照明。投影物鏡組6使被均勻照明的光譜線，經過棱鏡7，再由平面反射鏡9反射，最后投影于白色投影屏12上。投影物鏡組6中的透鏡5能上下移動，使此儀器的放大倍數可在19.75～20.25的范圍內進行調整。8為調節透鏡，可轉至光路中，以作調節照明強度之用。二、 測微光度計又稱黑度計。用來測量感光板上所記錄的譜線黑度，主要用于光譜定量分析......閱讀全文
子發射光譜（ICP/AES）理論知識（9）——攝譜法
用攝譜法進行光譜分析時，必須有一些觀測設備。常用的設備有：將攝得的譜片進行放大投影在屏上以便觀察的光譜投影儀（或稱映譜儀），測量譜線黑度時用的測微光度計（黑度計），以及測量譜線間距的比長儀等。一、 光譜投影儀在進行光譜定性分析及觀察譜片時需用此設備。一般放大倍數為20倍左右。下圖是WTY型光譜投影儀
原子發射光譜（ICP/AES）理論知識總結篇
原子發射光譜（ICP/AES）理論知識總結篇 之前和各位朋友一起學習了原子發射光譜的相關理論知識。由于發布比較斷斷續續的。今天做個總結目錄。方便大家閱讀。點擊對應的章節就可以閱讀相關的詳細內容。 原子發射光譜（ICP/AES）理論知識（1）——原子光譜的產生 原子發射光譜（ICP/AES）
原子發射光譜（ICP/AES）理論知識（14）——特點和應用
原子發射光譜（ICP/AES）理論知識（14）——特點和應用 原子發射光譜分析的特點和應用 優點： （1）選擇性好，是元素定性分析的主要手段。由于每種元素都有一些可供選用而不受其它元素譜線干擾的特征譜線，只要選擇適當的分析條件，一次攝譜可以同時測定多種元素，則無需復雜的預處理手續。可分析元
原子發射光譜（ICP/AES）理論知識（10）——定性分析
光譜定性分析光譜定性分析的原理由于各種元素原子結構的不同，在光源的激發作用下，可以產生一系列特征的光譜線，其波長λ是由產生躍遷的兩能級的能量差決定的。? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ΔE=hν=hC/λ因此，根據原子光譜中的元素特征譜線就可以確定試樣中是否存在被檢元素。只
原子發射光譜（ICP/AES）理論知識（8）——檢測器
原子發射光譜（ICP/AES）理論知識（8）——檢測器 在原子發射光譜中，被檢測的信號是元素的特征輻射，常用的檢測方法有目視法，攝譜法和光電法。 一、 目視法 目視法是用眼睛觀察試樣中元素的特征譜線或譜線組，以及比較譜線強度的大小來確定試樣的組成及含量。由于眼睛感色范圍有限，工作波段僅限
原子發射光譜（ICP/AES）理論知識（10）——定性分析
原子發射光譜（ICP/AES）理論知識（10）——定性分析 光譜定性分析 光譜定性分析的原理 由于各種元素原子結構的不同，在光源的激發作用下，可以產生一系列特征的光譜線，其波長λ是由產生躍遷的兩能級的能量差決定的。 ΔE=hν=hC/λ 因此，根據原子光譜中的元素特征譜線就可以確定試樣中
原子發射光譜（ICP/AES）理論知識——自吸自蝕
原子發射光譜（ICP/AES）理論知識（3）——自吸自蝕 譜線的自吸和自蝕 等離子體：以氣態形式存在的包含分子、離子、電子等粒子的整體電中性集合體。等離子體內溫度和原子濃度的分布不均勻，中間的溫度、激發態原子濃度高，邊緣反之。宏觀上是中性的電離的氣體，稱為等離子體。 自吸:由弧焰中心發射出
原子發射光譜（ICP/AES）理論知識（10）——定性分析
原子發射光譜（ICP/AES）理論知識（10）——定性分析 光譜定性分析 光譜定性分析的原理 由于各種元素原子結構的不同，在光源的激發作用下，可以產生一系列特征的光譜線，其波長λ是由產生躍遷的兩能級的能量差決定的。 ΔE=hν=hC/λ 因此，根據原子光譜中的元素特征譜線就可以確定試
原子發射光譜（ICP/AES）理論知識——自吸自蝕
原子發射光譜（ICP/AES）理論知識（3）——自吸自蝕 譜線的自吸和自蝕 等離子體：以氣態形式存在的包含分子、離子、電子等粒子的整體電中性集合體。等離子體內溫度和原子濃度的分布不均勻，中間的溫度、激發態原子濃度高，邊緣反之。宏觀上是中性的電離的氣體，稱為等離子體。 自吸:由弧焰中心發射出
原子發射光譜（ICP/AES）理論知識（3）——自吸自蝕
譜線的自吸和自蝕等離子體：以氣態形式存在的包含分子、離子、電子等粒子的整體電中性集合體。等離子體內溫度和原子濃度的分布不均勻，中間的溫度、激發態原子濃度高，邊緣反之。宏觀上是中性的電離的氣體，稱為等離子體。自吸:由弧焰中心發射出來的輻射光，被外圍的基態原子所吸收，從而降低了譜線的強度。此現象叫自吸。
原子發射光譜（ICP/AES）理論知識（3）——自吸自蝕
原子發射光譜（ICP/AES）理論知識（3）——自吸自蝕 譜線的自吸和自蝕 等離子體：以氣態形式存在的包含分子、離子、電子等粒子的整體電中性集合體。等離子體內溫度和原子濃度的分布不均勻，中間的溫度、激發態原子濃度高，邊緣反之。宏觀上是中性的電離的氣體，稱為等離子體。 自吸:由弧焰中心發射出
原子發射光譜（ICP/AES）理論知識（3）——自吸自蝕
原子發射光譜（ICP/AES）理論知識（3）——自吸自蝕 譜線的自吸和自蝕 等離子體：以氣態形式存在的包含分子、離子、電子等粒子的整體電中性集合體。等離子體內溫度和原子濃度的分布不均勻，中間的溫度、激發態原子濃度高，邊緣反之。宏觀上是中性的電離的氣體，稱為等離子體。 自吸:由弧焰中心發射出
原子發射光譜（ICP/AES）理論知識（5）——激發光源
激發光源作用:提供使試樣中被測元素蒸發解離、原子化和激發所需要的能量。對激發光源的要求:必須具有足夠的蒸發、原子化和激發能力；靈敏度高、穩定性好、光譜背景小；結構簡單、操作方便、使用安全。常用的激發光源的類型：（一）直流電弧（二）交流電弧（三）電火花（四）電感耦合等離子體(ICP)（Inductiv
原子發射光譜（ICP/AES）理論知識（5）——激發光源（A）
原子發射光譜（ICP/AES）理論知識（5）——激發光源 激發光源 作用:提供使試樣中被測元素蒸發解離、原子化和激發所需要的能量。 對激發光源的要求:必須具有足夠的蒸發、原子化和激發能力；靈敏度高、穩定性好、光譜背景小；結構簡單、操作方便、使用安全。 常用的激發光源的類型： （一）直流
原子發射光譜（ICP/AES）理論知識（5）——激發光源（A）
原子發射光譜（ICP/AES）理論知識（5）——激發光源 激發光源 作用:提供使試樣中被測元素蒸發解離、原子化和激發所需要的能量。 對激發光源的要求:必須具有足夠的蒸發、原子化和激發能力；靈敏度高、穩定性好、光譜背景小；結構簡單、操作方便、使用安全。 常用的激發光源的類型： （一）直流
原子發射光譜（ICP/AES）理論知識（11）——定量分析
原子發射光譜（ICP/AES）理論知識（11）——定量分析 光譜定量分析 光譜定量分析的基本關系式 進行光譜定量分析時，是根據被測試樣光譜中欲測元素的譜線強度來確定元素濃度的。 元素的譜線強度I與該元素在試樣中濃度C的關系為 I=acb 或 lgI=blgc＋ lga 光譜定量分
原子發射光譜（ICP/AES）理論知識（6）——激發光源
原子發射光譜（ICP/AES）理論知識（6）——激發光源（B等離子體） （四）電感耦合高頻等離子體 ICP（Inductively coupled plasma） 等離子體噴焰作為發射光譜的光源主要有以下三種形式： (1)電感耦合等離子體(inductively coupled plasm
原子發射光譜（ICP/AES）理論知識（13）——半定量分析
光譜半定量分析光譜半定量分析的依據是，譜線的強度和譜線的出現情況與元素含量密切相關。常用的半定量方法有譜線黑度比較法和譜線呈現法等。1 譜線黑度比較法將試樣與已知不同含量的標準樣品在相同的實驗條件下，在同一快感光板上并列攝譜，然后在映譜儀上用目視法直接比較被測試樣與標準樣品光譜中分析線的黑度，若黑度
原子發射光譜（ICP/AES）理論知識（1）——原子光譜的產生
原子發射光譜（ICP/AES）理論知識（1）——原子光譜的產生 1.原子光譜的產生 原子的核外電子一般處在基態運動，當獲取足夠的能量后，就會從基態躍遷到激發態，處于激發態不穩定（壽命小于10-8 s），迅速回到基態時，就要釋放出多余的能量，若此能量以光的形式出顯，既得到發射光譜。 其譜線的
原子發射光譜（ICP/AES）理論知識（12）——定量分析方法
原子發射光譜（ICP/AES）理論知識（12）——定量分析方法及標準樣要求 原子發射光譜定量分析方法： 1.乳劑特性曲線內標法基本關系式 譜片上譜線的黑度，與譜線的強度、元素的濃度、感光板的曝光時間、乳劑的性質及顯影條件等因素有關。當其他條件不變時，譜片上譜線的黑度S僅與感光板上的曝光量H有關
原子發射光譜（ICP/AES）理論知識（1）——原子光譜的產生
1.原子光譜的產生原子的核外電子一般處在基態運動，當獲取足夠的能量后，就會從基態躍遷到激發態，處于激發態不穩定（壽命小于10-8 s），迅速回到基態時，就要釋放出多余的能量，若此能量以光的形式出顯，既得到發射光譜。其譜線的波長決定于躍遷時的兩個能級的能量差，即：△E=E2-－E1=hc/λ=hr或λ
ICPAES發射光譜理論
電感耦合高頻等離子體發射光譜儀（ICP-AES）發射光譜理論 原子發射光譜分析測定的是原子外層電子從高能級向低能級躍遷時發射出的電磁輻射。在原子外層電子“跳回”和“躍遷”的過程中原子所放出的能量和所接受的能量與輻射或吸收的電磁波的波長有嚴格的一一對應的關系： ΔΕ=hν= hc/λ ΔΕ—量子
發射光譜分析法—ICPAES法的相關介紹
ICP-AES法首先是一種發射光譜分析方法，可以多元素同時測定。 發射光譜分析方法只要將待測原子處于激發狀態，便可同時發射出各自特征譜線同時進行測定。ICP-AES儀器，不論是多道直讀還是單道掃描儀器，均可以在同一試樣溶液中同時測定大量元素（30～50個，甚至更多）。已有文獻報導的分析元素可達
電感耦合等離子發射光譜法（ICPAES）方法原理
等離子體發射光譜法可以同時測定樣品中多元素的含量。當氬氣通過等離子體火炬時,經射頻發生器所產生的交變電磁場使其電離、加速并與其他氬原子碰撞。這種鏈鎖反應使更多的氬原子電離,形成原子、離子、電子的粒子混合氣體,即等離子體。等離子體火炬可達6000～8000 K的高溫。過濾或消解處理過的樣品經進樣器中的
電感耦合等離子體原子發射光譜儀歷史和進展
一、歷史和進展電感耦合等離子體原子發射光譜儀是基于電感耦合等離子體原子發射光譜法(ICP-AES)而進行分析的一種常用的分析儀器。ICP-AES法是以電感耦合等離子炬為激發光源的一類原子發射光譜分析方法，它是一種由原子發射光譜法衍生出來的新型分析技術。早在1884年Hittorf就注意到，當高頻電流
ICPAES法等9項分析測試標準征求意見
分析測試百科網訊 近日，工信部發布了一批行業標準征求意見，涉及到《電子器件用純銀釬料中雜質含量 鉛、鉍、鋅、鎘、鐵、鎂、鋁、錫、銻、磷的ICP-AES測試方法》等分析測試方法。其中《用電感耦合等離子體發射光譜法測定氫氟酸中金屬元素的含量》等4項涉及ICP-MS、原子吸收的標準為新制
等離子發射光譜儀ICPAES分析法的特點
1、 ICP-AES法具有溶液進樣分析方法的穩定性和測量精度，其分析精度可與濕式化學法相比。且檢出限非常好，很多元素的檢出限低于1mg/L，如表1所列。現代的ICP-AES儀器，其測定精度RSD可在1%以下，有的儀器短期精度在0.4%RSD。同時ICP溶液分析方法可以采用標準物質進行校正，具有可
aes檢測器理論知識
原子發射光譜（ICP/AES）理論知識（8）——檢測器 在原子發射光譜中，被檢測的信號是元素的特征輻射，常用的檢測方法有目視法，攝譜法和光電法。 一、 目視法 目視法是用眼睛觀察試樣中元素的特征譜線或譜線組，以及比較譜線強度的大小來確定試樣的組成及含量。由于眼睛感色范圍有限，工作波段僅限
icpoes和icpaes有什么區別
icp-oes和icp-aes是電感耦合等離子體發射光譜法不同時期的叫法，icp-oes即inductivelycoupledplasmaopticalemissionspectrometry--電感耦合等離子體發射光譜法，舊稱inductivelycoupledplasma-atomicemiss
Q－ICPOES和ICPAES有何區別？
ICP-OES和ICP-AES是電感耦合等離子體發射光譜法不同時期的叫法，ICP-OES即Inductively Coupled Plasma Optical Emission Spectrometry--電感耦合等離子體發射光譜法，舊稱Inductively Coupled Plasma-