全球首個單原子層溝道的鰭式場效應晶體管問世
中科院金屬研究所沈陽材料科學國家研究中心與國內外多家單位合作，首次演示了可陣列化、垂直單原子層溝道的鰭式場效應晶體管，相關成果于3月5日在《自然—通訊》在線發表。 過去幾十年來，微電子技術產業沿摩爾定律取得了突飛猛進的發展，按照摩爾定律的預測，集成電路可容納晶體管數目大約每兩年增加一倍。為了避免硅基平面場效應晶體管因為尺寸減小帶來的短溝道效應等缺陷，鰭式晶體管（FinFET，將溝道和柵極制備成類似于魚鰭Fin的豎直形態）技術于20世紀90年代初期誕生，成功延續摩爾定律至今。受制于微納加工精度，FinFET的溝道寬度目前最小約5納米。隨著集成電路特征尺寸逼近工藝和物理極限，進一步縮小晶體管器件特征尺寸極具挑戰。 研究人員提出利用二維原子晶體替代傳統硅基Fin，設計了高約300納米的硅晶體臺階模板，通過Bottom-up的濕法噴涂化學氣相沉積（CVD）方法，實現了與臺階側壁共形生長的過渡族金屬硫化物單原子層晶體；通過采用多重......閱讀全文
全球首個單原子層溝道的鰭式場效應晶體管問世
中科院金屬研究所沈陽材料科學國家研究中心與國內外多家單位合作，首次演示了可陣列化、垂直單原子層溝道的鰭式場效應晶體管，相關成果于3月5日在《自然—通訊》在線發表。 過去幾十年來，微電子技術產業沿摩爾定律取得了突飛猛進的發展，按照摩爾定律的預測，集成電路可容納晶體管數目大約每兩年增加一倍。為了避
美研制出迄今最小三維晶體管－效率更高－尺寸僅2.5納米
美國研究人員研制出一種新的三維晶體管，尺寸不到當今最小商業晶體管的一半。他們為此開發了一種新穎的微加工技術，可以逐個原子地修改半導體材料。 為了跟上“摩爾定律”的步伐，研究人員一直在尋找將盡可能多的晶體管塞入微芯片的方法。最新的趨勢是垂直豎立的鰭式三維晶體管，其尺寸約為7納米，比人類頭發還要薄
北京大學一天宣布兩大芯片成果
《Cell》（細胞）、《Nature》（自然）和《Science》（科學）三本雜志號稱三個世界頂級學術刊物，簡稱為CNS，是科研工作者的最愛，我國每年公布的世界十大科技新聞大多來源于CNS。 其中，《Nature》雜志創刊于1869年，由Springer Nature出版社出版。150多年以來
單原子層薄金片首次制成
科學家首次成功制造出只有單原子層厚度的金片。這種材料被稱為“Goldene”。瑞典林雪平大學的研究人員稱，這賦予了黃金新的特性，使其可應用于二氧化碳轉化、制氫和生產高附加值化學品等領域。研究結果發表在16日出版的《自然·合成》雜志上。長期以來，科學家一直試圖制造單原子厚度的薄金片，但由于金容易結塊而
單原子層薄金片首次制成
林雪平大學薄膜物理學教授拉爾斯·霍特曼和材料設計部研究員順柏屋。科學家首次成功制造出只有單原子層厚度的金片。這種材料被稱為“Goldene”。瑞典林雪平大學的研究人員稱，這賦予了黃金新的特性，使其可應用于二氧化碳轉化、制氫和生產高附加值化學品等領域。研究結果發表在16日出版的《自然·合成》雜志上。長
研究發現基于單原子層的新型單光子源
中國科學技術大學教授潘建偉、陸朝陽等與來自華盛頓大學的許曉棟、香港大學的姚望合作，首次在類石墨烯單原子層半導體材料中發現非經典單光子發射器，從而將量子光學和二維材料這兩個重要領域連接起來，打開了一條通往新型光量子器件的道路。相關成果日前在線發表于《自然—納米技術》雜志。同期“新聞視角”欄目撰文評
場效應晶體管的分類
場效應晶體管是依靠一塊薄層半導體受橫向電場影響而改變其電阻（簡稱場效應），使具有放大信號的功能。這薄層半導體的兩端接兩個電極稱為源和漏。控制橫向電場的電極稱為柵。 根據柵的結構，場效應晶體管可以分為三種： ①結型場效應管(用PN結構成柵極)； ②MOS場效應管（用金屬-氧化物－
澳研制出完美的單原子晶體管
據英國《新科學家》雜志2月20日(北京時間)報道，澳大利亞科學家表示，他們研制出一種單原子晶體管，其由蝕刻在硅晶體內的單個磷原子組成，擁有控制電流的門電路和原子層級的金屬接觸，有望成為下一代量子計算機的基礎元件。研究發表在2月19日出版的《自然·納米技術》雜志上。 在最新研究中，科學家們利
德國開發出世界最小單原子晶體管
德國卡爾斯魯厄理工學院托馬斯·希梅爾教授領導的團隊開發出了單原子晶體管——一種利用電流控制單個原子位移實現開關的量子電子元件。單原子晶體管可在室溫下操作，并消耗很少電能，這為未來信息技術開辟了新的應用前景。這項成果已被刊登在《先進材料》雜志上。 數字化對能源有巨大需求，在工業化國家中，信息技術
場效應管與晶體管的比較
（1）場效應管是電壓控制元件，而晶體管是電流控制元件。在只允許從信號源取較少電流的情況下，應選用場效應管；而在信號電壓較低，又允許從信號源取較多電流的條件下，應選用晶體管。 （2）場效應管是利用多數載流子導電，所以稱之為單極型器件，而晶體管是即有多數載流子，也利用少數載流子導電。被稱之為雙極型
功率場效應晶體管有哪些優點？
功率場效應晶體管（VF）又稱 VMOS場效應管。在實際應用中，它有著比 晶體管和 MOS場效應管更好的特性。即是在 大功率范圍應用的場效應晶體管，它也稱作功率 MOSFET，其優點表現在以下幾個方面： 1. 具有較高的 開關速度。 2. 具有較寬的安全工作區而 不會產生熱點，并且具有正的 電
最小單原子晶體管室溫操作－金屬構成能耗極低
?? 8月14日，德國卡爾斯魯厄理工學院托馬斯·希梅爾教授領導的團隊開發出了單原子晶體管——一種利用電流控制單個原子位移實現開關的量子電子元件。單原子晶體管可在室溫下操作，并消耗很少電能，這為未來信息技術開辟了新的應用前景。這項成果已被刊登在《先進材料》雜志上。 數字化對能源有巨大需求，在工業化國
中國科大等發現基于單原子層的新型單光子源
中國科學技術大學潘建偉、陸朝陽等與華盛頓大學許曉棟、香港大學姚望合作，在國際上首次在類石墨烯單原子層半導體材料中發現非經典單光子發射，連接了量子光學和二維材料這兩個重要領域，打開了一條通往新型光量子器件的道路。該工作于5月5日在線發表在《自然·納米技術》上。同期的“新聞視角”欄目撰文評論該工作“
簡介功率場效應晶體管的特性
功率場效應晶體管及其特性 一、 功率場效應晶體管是 電壓控制器件，在功率場效應晶體管中較多采用的是 V溝槽工藝，這種工藝生產地管稱為 VMOS場效應晶體管，它的柵極做成V型，有溝道短、耐壓能力強、跨導線性好、開關速度快等優點，故在 功率應用領域有著廣泛的應用，出現一種更好的叫 TMOS管，它是
迄今速度最快能耗最低二維晶體管問世
原文地址：http://news.sciencenet.cn/htmlnews/2023/3/497096.shtm 本報北京3月26日電（記者晉浩天）北京大學電子學院彭練矛教授-邱晨光研究員課題組日前制備出10納米超短溝道彈道二維硒化銦晶體管，首次使得二維晶體管實際性能超過Intel商用10納
北大在Nature上演“帽子戲法”！
原文地址：http://news.sciencenet.cn/htmlnews/2023/3/496781.shtm 3月22日晚間，Nature官網發布多篇論文 北京大學三項成果同時在線發表 上演“帽子戲法” 生命科學學院肖俊宇研究員研究組 發表成果 《FcμR受體對免疫球
北大在Nature上演“帽子戲法”！
3月22日晚間，Nature官網發布多篇論文 北京大學三項成果同時在線發表 上演“帽子戲法” 生命科學學院肖俊宇研究員研究組 發表成果 《FcμR受體對免疫球蛋白IgM的識別》 化學與分子工程學院彭海琳教授課題組 發表成果 《外延高κ柵氧化物集成型二維鰭式晶體管》 電子學院彭練
美首次研制出穩定的單原子層鍺
據物理學家組織網4月10日報道，60年前，鍺被用來做成了第一塊晶體管，但隨后被硅取代，現在，美國科學家首次成功制造出了單原子厚度的鍺——單鍺(germanane)，其電子遷移率是硅的10倍，因而有望取代硅用于制造更好的晶體管。研究發表在最新一期的美國化學會《納米》雜志上。 單鍺的結構同由單
場效應管與雙極性晶體管的比較
1、場效應管是電壓控制器件，柵極基本不取電流，而晶體管是電流控制器件，基極必須取一定的電流。因此，在信號源額定電流極小的情況，應選用場效應管。 2、場效應管是多子導電，而晶體管的兩種載流子均參與導電。由于少子的濃度對溫度、輻射等外界條件很敏感，因此，對于環境變化較大的場合，采用場效應管比較合適
迄今速度最快能耗最低二維晶體管問世
北京大學電子學院彭練矛教授-邱晨光研究員課題組日前制備出10納米超短溝道彈道二維硒化銦晶體管，首次使得二維晶體管實際性能超過Intel商用10納米節點的硅基鰭型晶體管，并將二維晶體管的工作電壓降到0.5V，這也是世界上迄今速度最快能耗最低的二維半導體晶體管。該研究成果以《二維硒化銦彈道晶體管》為
MOS器件的發展與面臨的挑戰（二）
1.8HKMG技術當MOS器件的特征尺寸不斷縮小45nm及以下時，為了改善短溝道效應，溝道的摻雜濃度不斷提高，為了調節閾值電壓Vt，柵氧化層的厚度也不斷減小到1nm。1nm厚度的SiON柵介質層已不再是理想的絕緣體，柵極與襯底之間將會出現明顯的量子隧穿效應，襯底的電子以量子的形式穿過柵介質層進入柵，
有機場效應晶體管研究的新成果
有機場效應晶體管作為分子電子學/有機電子學的核心基本單元而受到全世界的廣泛關注。并五苯是有機場效應晶體管（OFET）的重要化合物，具有高的遷移率和開關比。但并五苯化合物由于具有活潑的二烯單元和豐富的π電子，其穩定性差，從而限制了其應用。中科院化學所有機固體院重點實驗室研究人員采用一種新的方法合成了硫
美研制出新式超導場效應晶體管
據美國物理學家組織網4月28日（北京時間）報道，美國科學家使用自主設計的、精確的原子逐層排列技術，構造出了一個超薄的超導場效應晶體管，以洞悉絕緣材料變成高溫超導體的環境細節。發表于當日出版的《自然》雜志上的該突破將使科學家能更好地理解高溫超導性，加速無電阻電子設備的研發進程。 普通絕緣材
原子層沉積
原子層沉積(ALD)是一種真正的"納米"技術，以精確控制的方式沉積幾個納米的超薄薄膜。 原子層沉積的兩個限定性特征--自約束的原子逐層生長和高度保形鍍膜--給半導體工程，微機電系統和其他納米技術應用提供了許多好處。 原子層沉積的優點 因為原子層沉積工藝在每個周期內精確地沉積一個原子層，所以能
石墨烯納米帶制備及其晶體管應用研究進展
在國家自然科學基金項目（批準號：61622404、62074098）等資助下，上海交通大學陳長鑫教授研究組與合作者們在具有光滑邊緣的亞十納米寬度的石墨烯納米帶（GNR）制備及其高性能晶體管應用研究方面取得重要進展。研究成果以“來自被壓扁碳納米管的邊緣原子級光滑的亞十納米石墨烯納米帶（Sub-10
北京大學國際上首次以單支路單個器件實現了CAM操作
內容尋址存儲器（Content addressable memory, CAM）是以內容進行尋址的存儲器，其將輸入數據與陣列中存儲的所有數據同時進行比較并輸出相應的匹配信息，能在存儲器內部以高并行度和高能效實現搜索與相似度檢測運算，減少了數據傳輸，近年來在完成邊緣智能計算等任務中展現出極大的潛力。傳
下一代納米結構或讓制造超低功率電子元件成為可能
來自東京都立大學的科學家們成功地設計了過渡金屬二硫化物的多層納米結構，它們在平面內相遇形成結點。他們從摻雜鈮的二硫化鉬碎片的邊緣長出了二硫化鉬的多層結構，形成了一個厚實的、粘合的、平面的異質結構。他們證明了這些可用于制造新的隧道場效應晶體管（TFET），即具有超低功率消耗的集成電路中的元件。化學氣相
精準制造：從微納米邁向原子尺度
“空天海地的網絡建設，信息世界感知力、通信力以及智算力的建設，迫切需要高端、新型的硅基芯片。然而‘自上而下’的光刻技術制造方式已經接近物理極限。”在日前舉行的香山科學會議上，中國科學院院士許寧生說，全球精準制造的競爭已從微納米尺度邁向原子尺度，未來硅基芯片的發展水平將取決于大規模原子制造技術水平
我國利用壓電材料實現對MoS2場效應晶體管動、靜態調控
自2004年Geim等人第一次在實驗室得到單層石墨烯以來，二維材料的出現為傳感器領域的進一步發展提供了可能，相對于傳統的三維材料，二維材料的層狀結構決定了其器件厚度可以達到單原子層，為實現更輕、更薄、體積更小的電子器件提供了可能。相較于其他二維材料，以單層二硫化鉬 (MoS2) 為代表的二維半導
化學所在高性能有機場效應晶體管研究中獲系列進展
場效應晶體管是電子學的基本元件。有機場效應晶體管由于其在柔性、大面積、低成本的電子紙、射頻商標和存儲器件等方面的潛在應用而受到人們的廣泛關注，是有機半導體材料和器件研究領域中的重要前沿方向之一。在中國科學院（先導B）、國家自然科學基金委和科技部的大力支持下，中國科學院化學研究所有機固體重點實驗室