半導體所在GaAs納米線結構相變研究方面取得新進展
最近，國際期刊《納米快報》（Nano Latters）報道了中科院半導體研究所半導體超晶格國家重點實驗室趙建華研究員和博士研究生俞學哲關于通過三相線位移（triple phase line shift）調控GaAs納米線結構相變的研究成果。 作為傳統的III-V族半導體，GaAs體材料的穩定相是閃鋅礦結構。但是當進入到納米尺度時，由于表面積相對增加，且纖鋅礦結構的表面能較低，使得GaAs納米線上容易出現纖鋅礦結構，互相競爭的結果往往是兩相共存，還夾著很多平面缺陷(planar defect)。因此，如何得到純閃鋅礦或者純纖鋅礦結構的GaAs納米線，近年來在半導體材料領域受到了特別的關注。另一方面，科學家們同時期待著利用這種納米效應對GaAs納米線結構進行人工調控，這對于開發納米尺度下的新功能器件又提供了一種可能性。 半導體所超晶格實驗室趙建華研究組系統地研究了Si（111）襯底上GaAs納米線的生長機制。他們發現......閱讀全文
半導體所在GaAs納米線結構相變研究方面取得新進展
最近，國際期刊《納米快報》（Nano Latters）報道了中科院半導體研究所半導體超晶格國家重點實驗室趙建華研究員和博士研究生俞學哲關于通過三相線位移（triple phase line shift）調控GaAs納米線結構相變的研究成果。 作為傳統的III-V族半導體，GaAs體材料的穩
半導體所在銻化物納米線研究中取得系列進展
III-V族半導體納米線憑借其獨特的準一維結構和物理特性在納米晶體管、納米傳感器和納米光電探測器等方面有著重要潛在應用，是當前國際研究的熱點。特別是，三元合金InAsSb納米線除了具有超高的載流子遷移率和極小的有效質量外，其可調的帶隙以及電、光學性能使其成為紅外探測器的理想材料。目前，國際上廣泛
復合半導體納米線成功整合在硅晶圓上
據美國物理學家組織網11月9日報道，美國科學家開發出一種新技術，首次成功地將復合半導體納米線整合在硅晶圓上，攻克了用這種半導體制造太陽能電池會遇到的晶格錯位這一關鍵挑戰。他們表示，這些細小的納米線有望帶來優質高效且廉價的太陽能電池和其他電子設備。相關研究發表在《納米快報》雜志上。 III—
挪威研制最新半導體新材料砷化鎵納米線
挪威科技大學的研究人員近日成功開發出一種新型半導體工業復合材料“砷化鎵納米線”，并申請了技術ZL，該復合材料基于石墨烯，具有優異的光電性能，在未來半導體產品市場上將極具競爭性，這種新材料被認作有望改變半導體工業新型設備系統的基礎。該項技術成果刊登在美國科學雜志納米快報上。 以Helge W
近物所等InSb半導體納米線電學輸運性質研究取得新進展
中科院近代物理研究所材料研究中心與德國Juelich研究中心及美國南加州大學合作開展InSb半導體納米線電學輸運性質研究并取得新進展。 近物所材料研究中心科研人員多年來致力于金屬和半導體納米線的制備與性質研究，在納米線光學性質研究、納米線晶體結構調控、特殊結構與功能的納米材料制
化學所利用半導體納米線同質結實現光學分波器
光學分波器是納米光子回路中的關鍵元件，可以用來連接納米激光器(J. Am. Chem. Soc., 2011, 133, 7276-7279)、光信號傳感器(Adv. Mater., 2012, 24, OP194-199)、檢測器 (Adv. Mater., 2012, 24, 474
碘化銫錫半導體熱電性能獨特
美國研究人員發現，一種名為碘化銫錫（CsSnI3）的晶體半導體材料具有獨特的熱電性能，能在保持高電導率的同時，隔絕大部分熱量傳遞。他們在日前出版的美國《國家科學院學報》上發表文章指出，這種材料的熱電性質獨特，應用前景十分廣闊。 碘化銫錫是一種半導體材料，幾十年前就被發現，但直到最近幾年才受到一
新型半導體工業復合材料“砷化鎵納米線”獲得技術ZL
近日挪威科技大學的研究人員成功開發出一種新型半導體工業復合材料“砷化鎵納米線”，并申請了技術ZL，該復合材料基于石墨烯，具有優異的光電性能，在未來半導體產品市場上將極具競爭性，這種新材料被認作有望改變半導體工業新型設備系統的基礎。該項技術成果刊登在美國科學雜志納米快報上。 以Helge
上海技物所在半導體單納米線光電特性研究方面取得進展
近年來，半導體納米線因為其準一維的結構特征，在能源、生物、微電子、微機械等眾多領域受到廣泛的關注。特別是以納米線作為功能材料的光電器件，如光電探測器、太陽能電池等已經展現出一定的優勢。在光電轉換的核心要素中，納米線由于陷光效應可以在低占空比條件下實現高效光吸收，而其中的電子(空穴)遷移率等也逐漸
蘭州化物所半導體陣列光生載流子定向遷移研究獲系列進展
在中國科學院“百人計劃”項目和國家自然科學基金支持下，中國科學院蘭州化學物理研究所研究員畢迎普帶領的能源與環境納米催化材料組在半導體納米陣列晶面間光生載流子定向遷移及選擇性沉積納米金屬研究領域取得系列進展。 利用貴金屬修飾半導體納米陣列可有效提高其可見光吸收，增強光生電子-空穴分離效率，從而增
拓撲量子計算的各種平臺及最新進展
2021年9月22日，拓撲量子計算進展研討會在北京舉行。這次研討會由中國科學院大學卡弗里理論科學研究所組織，由卡弗里所與中國科學院物理研究所共同舉辦。拓撲量子計算是利用拓撲材料中具有非阿貝爾統計的準粒子構筑量子比特、執行量子計算的研究方案。由于材料的拓撲穩定性，拓撲量子計算有望解決量子比特退相干
新納米線可大幅提高紅外探測靈敏度
江漢大學曹元成教授團隊與英國蘭開斯特大學半導體中心首席研究員莊乾東博士團隊合作研發新材料，可大幅提高紅外探測靈敏度。4月10日，英國自然網站在線發表了他們撰寫《基于柔性石墨基板銦砷納米線紅外光探測器》，該文將全文刊登在本月晚些時候出版的《自然》子刊《科學報道》。 曹元成介紹，銦砷納米線作為高光
微系統所研制出微納光纖耦合超導納米線單光子探測器
超導納米線單光子探測器（SNSPD：Superconducting nanowire single-photon detector）作為一種高性能的單光子探測器，已廣泛應用于量子信息、激光雷達、深空通信等領域，有力推動了相關領域的科技發展。 SNSPD器件主要有兩種光耦合方式，一種是垂直光耦合
半導體所等在納米線量子點單光子發射研究中獲得新發現
半導體自組織InAs量子點因其具有“類原子”特性，是目前量子物理和量子信息器件研究最重要的固態量子結構之一。基于InAs量子點的高品質單光子的發射、讀取、操縱、存儲以及并行計算等是熱點研究方向。而InAs單量子點的可控制備(如精確定位、有序擴展、與光學諧振腔耦合等)是目前面臨的挑戰性問題。
有機無機雜化寬光譜探測器研究獲進展
有機-無機雜化寬光譜探測器研究獲進展? ? ? ? 近年來，有機-無機復合的光探測器以其低能耗，響應速度快，體積和重量顯著減小，且易大面積生產，高機械柔性等特點引起人們的極大關注，同時，該器件在光通信，觸感器，紅外探測等軍事和國民經濟的各個領域有著廣泛的應用。 由于該器件不僅結合的有機半導體易大
納米太陽能電池有望打破能量轉化率瓶頸
位于硅基片之上的納米線吸收太陽射線。納米線極有可能成為未來太陽能電池的發展主流。(自哥本哈根大學尼爾斯波爾研究所) 左圖為硅底質上GaAs納米線晶體的掃描電子顯微鏡圖;中間為透射式電子顯微鏡下的單個納米線;右圖是在掃描透射電子顯微鏡下放大的晶體結構。(自哥本哈根大學尼爾斯波爾研究所)
半導體所制備出近全組分可調的高質量GaAs1xSbx納米線
近日，中國科學院半導體研究所半導體超晶格國家重點實驗室研究員趙建華團隊及合作者在《納米快報》(Nano Letters)上發表了制備出近全組分可調的高質量GaAs1-xSbx納米線的成果。 作為重要的三元合金半導體，GaAs1-xSbx具有禁帶寬度從1.42 eV (GaAs)到0.72 eV
一杯水中的納米世界：低維半導體的綠色合成研究
以石墨烯、MXene、h-BN等為代表的二維納米材料在光電子領域廣為流行，一方面得益于尺度效應賦予它們的獨特性能，另一方面可以歸功于這些層狀結構材料易于合成，甚至可以通過機械剝離的方法快速獲得。在二維材料興起的背后，傳統光電功能材料，如金屬氧化物半導體，本應同享盛譽，但是由于它們通常以三維晶體結
晶體結構測定方法
晶體結構測定方法，crystal structure determination，即利用晶體 X射線衍射可測定晶體結構。但衍射實驗只能測得衍射強度（即結構振幅）而測不到相角，這樣就不可能直接從強度得到晶體結構數據，而要利用其他方法。
什么是晶體結構？
晶體結構是指晶體以其內部原子、離子、分子在空間作三維周期性的規則排列為其最基本的結構特征。任一晶體總可找到一套與三維周期性對應的基向量及與之相應的晶胞，因此可以將晶體結構看作是由內含相同的具平行六面體形狀的晶胞按前、后、左、右、上、下方向彼此相鄰“并置”而組成的一個集合。晶體學中對晶體結構的表達可采
硅的晶體結構
兩個面心立方結構相互套構而成，其中一個面心立方結構沿另一個的體對角線平移1/4。
晶體結構測定方法
晶體結構測定方法，crystal structure determination，即利用晶體 X射線衍射可測定晶體結構。但衍射實驗只能測得衍射強度（即結構振幅）而測不到相角，這樣就不可能直接從強度得到晶體結構數據，而要利用其他方法。
基于銅納米線/氧化亞銅的新型半導體液結太陽能電池制備
我們研制了一種基于銅納米線/氧化亞銅的新型半導體-液結太陽能電池。由于采用了銅納米線透明電極取代FTO，可以使電池成本大大降低，而且該電池的性能較文獻報道的氧化亞銅半導體-液結電池有了很大提升。銅納米線在該電池中不僅起透明電極的作用，而且作為銅納米線/氧化亞銅同軸結構一部分，可以大大促進氧化亞銅
云南將出臺鮮米線地方標準－3年內鮮米線穿衣上市
米線是云南人飯桌上的常客。米線吃法眾多，可煮吃，可涼拌，還可炒著吃。最近，省衛生廳公開征求云南省食品安全地方標準《鮮米線》修改意見，提出要逐步解決鮮米線出廠包裝問題，杜絕裸體米線及簡易盛裝容器的米線出廠，防止二次污染，從根本上降低微生物污染導致的超標率。在原料上，要求不得使用回收米線作為加工原料
中國科大撥開硅材料“光解水制氫”機制的迷霧
眾所周知，氫氣是一種非常清潔且可儲存運輸的可再生能源，因此利用太陽能分解水制備氫氣已成為一種備受關注的清潔新能源技術。半導體催化劑在光解水制氫過程中扮演著非常重要的角色，包括俘獲光能、降低反應勢壘、減少能耗、加快反應速度等。硅材料作為地球上豐度最高且應用最為廣泛的半導體材料，早已有報道預言可用于
王中林小組發明高效紫外發光二極管
圖中光學照片顯示的是在壓電光電子效應的作用下，紫外發光二極管的發光強度隨施加的應變的增加而增加。下圖顯示的利用能帶理論解釋壓電光電子效應對p-n結處能帶結構和載流子輸運過程的調制和改變。 紫外半導體發光二極管在化學、生物、醫學和軍事領域具有廣泛的應用，目前這種材料的內量子效率雖
又薄又軟的半導體新材料可制微納光電器件
性質柔軟、厚度只有幾納米、光學性能良好……記者3日從南京工業大學獲悉，該校王琳教授課題組制備出一種超薄的高質量二維碘化鉛晶體，并且通過它實現了對二維過渡金屬硫化物材料光學性質的調控，為制造太陽能電池、光電探測器提供了新思路。該成果發表在最新一期國際期刊《先進材料》上。 “我們首次制備的這一超薄
EDS檢測納米線黑森林
納米線黑森林 來看看GaAs/GaInP納米線形成的黑森林SEM照片。納米線分兩步長成：樹干GaAs通過金屬有機物氣相外延法（MOVPE）使用金顆粒作為種子。取出反應容器中的樣品，并在樣品表面噴一層HSQ抗蝕劑。第二步MOVPE 制備GaInP時，抗蝕劑可以阻止GaInP在GaAs上生長。圖
用作氣體傳感的納米線
用作氣體傳感的納米線?一篇具有啟發性的文章（X. Chen et al., Sensors and Actuators B: Chemical,?177 (2013): 178-195.?）詳細描述了基于納米線的氣體傳感器的制造流程，配置，工作原理。它們通常具有高靈敏度和響應時間迅速、高選擇性和高穩
日本成功開發磁性納米線
據《日刊工業新聞》7月3日報道，日本大阪大學大學院理學研究科附屬強磁場科學研究中心的萩原政幸教授和日本首都大學東京大學院理工學研究科的真庭豊教授共同研究，在單層碳納米管內充填氧分子，成功開發了可成為納米結構新型磁性體的納米線。磁性體納米線作為自旋電子材料可用于信息傳輸和控制等領域。 共同研