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主要用于微波通信、衛星通信、雷達、電子對抗以及遙測、遙控系統中的接收機前置放大器。微波晶體管的噪聲越低,接收機的靈敏度越高,這些系統的作用距離越大。 雙極型晶體管的噪聲來源有：熱噪聲、散彈噪聲、分配噪聲和1/ 噪聲（也稱閃爍噪聲）。場效應晶體管是多數載流子器件，故不存在少數載流子引起的散彈噪聲和分配噪聲，但存在一個肖特基柵感應噪聲。 為了降低微波低噪聲晶體管的噪聲，對雙極型晶體管來說，最重要的是減小基極電阻及各項串聯電阻和接觸電阻，減小寄生電容，減薄基區，減小少子的渡越時間等。對場效應晶體管來說，應盡可能降低源的串聯電阻、接觸電阻以及柵金屬化電阻，盡量減小柵長（已達到亞微米量級），采用低溫致冷技術等。 雙極晶型體管和場效應晶體管的噪聲來源不盡相同，但它們隨頻率和工作電流的變化規律是相似的。盡量降低白噪聲和采用較小的工作電流，可以得到最佳效果。 硅雙極型晶體管最高工作頻率只達到8吉赫,而且在這一頻率下噪聲很大，無實用價......閱讀全文
在微波波段工作的晶體管。微波波段指頻率在300兆赫～300吉赫的電磁波譜。按功能分類，微波晶體管包括微波低噪聲晶體管和微波大功率晶體管。按結構分類，微波晶體管可分為雙極型晶體管和場效應晶體管。 由于工作頻率高，微波晶體管必須具有微米或亞微米的精細幾何尺寸。隨著薄層外延技術、淺結擴散或離子注入技
射頻功率放大器（RF PA）是各種無線發射機的重要組成部分。在發射機的前級電路中，調制振蕩電路所產生的射頻信號功率很小，需要經過一系列的放大一緩沖級、中間放大級、末級功率放大級，獲得足夠的射頻功率以后，才能饋送到天線上輻射出去。為了獲得足夠大的射頻輸出功率，必須采用射頻功率放大器
對性能、小型化和更高頻率的需求，正挑戰無線系統中兩個關鍵天線連接元器件的限制：功率放大器(PA) 和低噪聲放大器(LNA)。5G 的發展以及 PA 和 LNA 在微波無線電鏈路、VSAT（衛星通信系統）和相控陣雷達系統中的使用正促成這種轉變。這些應用的要求包括較低噪聲（對于 LNA）和
中國電子科技集團有限公司第十三研究所專用集成電路國家級重點實驗室與中國科學院蘇州納米技術與納米仿生研究所、中國科學院納米器件與應用重點實驗室再次合作，在高靈敏度石墨烯場效應晶體管(G-FET)太赫茲自混頻(Homod
記者6月29日從中國科學院獲悉，中國電子科技集團有限公司第十三研究所專用集成電路國家級重點實驗室與中國科學院蘇州納米技術與納米仿生研究所、中國科學院納米器件與應用重點實驗室再次合作，在高靈敏度石墨烯場效應晶體管太赫茲
半導體材料是一類具有半導體性能(導電能力介于導體與絕緣體之間，電阻率約在 1mΩ·cm～1GΩ·cm 范圍內)、可用來制作半導體器件和集成電路的電子材料。按種類可以分為元素半導體和化合物半導體兩大類，元素半導體指硅、鍺單一元素形成的半導體，化合物指砷化鎵、磷化銦等化合物形成的半導體。隨著無
3.3、天線陣列微系統與常規微系統之間關系 微系統的概念隨著相關學科發展、技術推動 , 以及應用需求的牽引 , 其內涵也在不斷豐富和發展 . 早期 , 微系統 (microsystem) 概念在歐洲同行中使用 , 在美國被稱為 MEMS, 在日本被稱為微機械 (micro
二極管由管芯、管殼和兩個電極構成。管芯就是一個PN結，在PN結的兩端各引出一個引線，并用塑料、玻璃或金屬材料作為封裝外殼，就構成了晶體二極管，如下圖所示。P區的引出的電極稱為正極或陽極，N區的引出的電極稱為負極或陰極。二極管的伏安特性半導體二極管的核心是PN結，它的特性就是PN結的特性——單
隨著 5G 毫米波預期即將進入商用，行業內關鍵公司的研發正在順利推進，已經完成定制組件指標劃定、設計和驗證。實現未來毫米波 5G 系統所需的基本組件是射頻前端模塊(FEM)。該模塊包括發射機的最終放大級以及接收機中最前端的放大級以及發射 / 接收開關(Tx/Rx)以支持時分雙工(T
硅鍺 SiGe 1980 年代 IBM 為改進 Si 材料而加入 Ge，以便增加電子流的速度，減少耗能及改進功能，卻意外成功的結合了 Si 與 Ge。而自 98 年 IBM 宣布 SiGe 邁入量產化階段后，近兩、三年來，SiGe 已成了最被重視的無線通信 IC 制程技術之一。 &
今日推薦文章作者為東南大學毫米波國家重點實驗室主任、IEEE Fellow 著名毫米波專家洪偉教授，本文選自《毫米波與太赫茲技術》，發表于《中國科學: 信息科學》2016 年第46卷第8 期——《信息科學與技術若干前沿問題評述專刊》，射頻百花潭配圖。引言隨著對電磁波譜的不斷探索, 人類對電子學和光學
摘要：太赫茲雷達具有帶寬大、分辨率高、多普勒敏感、抗干擾等獨特優勢，是目標探測領域的重要發展方向。該文首先回顧和介紹了電子學和光學太赫茲雷達系統歷史、現狀和最新進展，其次對太赫茲雷達目標特性從機理、計算、測量3個方面進行了梳理和概要介紹，同時闡述了太赫茲ISAR、SAR、陣列和孔徑編碼成像研究狀況，
毫米波通信、毫米波雷達等與毫米波相關的概念正快速出現在我們的日常生活中，但對于毫米波技術，并非所有人均有所了解。為極大化普及毫米波相關概念，本文中將對毫米波技術以及毫米波芯片加以講解，以增進大家對毫米波的認知深度，以下為正文部分。由于毫米波器件的成本較高，之前主要應用于軍事。然而隨著高速寬帶
1.3 硅基毫米波芯片硅基工藝傳統上以數字電路應用為主。隨著深亞微米和納米工藝的不斷發展，硅基工藝特征尺寸不斷減小，柵長的縮短彌補了電子遷移率的不足，從而使得晶體管的截止頻率和最大振蕩頻率不斷提高，這使得硅工藝在毫米波甚至太赫茲頻段的應用成為可能。國際半導體藍圖協會(International
自從20世紀50年代中期發明庫爾特原理后，庫爾特原理成為了行業的根基，響應了對自動化血細胞計數儀器的需求。華萊士?H. 庫爾特和他的兄弟小約瑟夫?R. 庫爾特提出了一種使細胞通過一個感測小孔的簡單想法以來，此行業的發展經歷了三個階段。在第一個階段，華萊士希望將常規的紅血球
1、江蘇省擬立項杰青50人 2、黑龍江省擬立項杰青20人，優青150人 2020年度黑龍江省自然科學基金杰出青年項目序號項目名稱申報單位1蛋白激酶PK1調控水稻孕穗期耐冷性的分子機制解析與育種利用中國科學院東北地理與農業生態研究所農業技術中心2高強鋁合金攪拌摩擦焊控形控性和接頭耐蝕抗疲勞基礎
半導體原料共經歷了三個發展階段：第一階段是以硅 （Si）、鍺 （Ge） 為代表的第一代半導體原料；第二階段是以砷化鎵 （GaAs）、磷化銦 （InP） 等化合物為代表；第三階段是以氮化鎵 （GaN）、碳化硅 （SiC）、硒化鋅 （ZnSe） 等寬帶半導體原料為主。第三代半導體原料具有