半導體特性測試儀
半導體特性測試儀是一種用于化學工程領域的物理性能測試儀器，于2016年05月01日啟用。 技術指標 支持多達9個精密直流源測量單元，能夠提供測量0.1fA到1A的電流或者1uV-210V的電壓。 主要功能 參數分析儀具有無可比擬的測量靈敏度和精度，同時繼承了嵌入式Windows操作系統和吉時利交互式測試環境，為半導體科研及產業用戶進行半導體器件特性分析提供了直觀而高級的功能。......閱讀全文
半導體特性測試儀
半導體特性測試儀是一種用于化學工程領域的物理性能測試儀器，于2016年05月01日啟用。 技術指標 支持多達9個精密直流源測量單元，能夠提供測量0.1fA到1A的電流或者1uV-210V的電壓。 主要功能 參數分析儀具有無可比擬的測量靈敏度和精度，同時繼承了嵌入式Windows操作系統和
半導體的特性
半導體的導電性能比導體差而比絕緣體強。實際上，半導體與導體、絕緣體的區別在不僅在于導電能力的不同，更重要的是半導體具有獨特的性能（特性）。?1． 在純凈的半導體中適當地摻入一定種類的極微量的雜質，半導體的導電性能就會成百萬倍的增加—-這是半導體zui顯著、zui突出的特性。例如，晶體管就是利用這種特
半導體材料的特性
半導體材料的特性：半導體材料是室溫下導電性介于導電材料和絕緣材料之間的一類功能材料。靠電子和空穴兩種載流子實現導電，室溫時電阻率一般在10-5～107歐·米之間。通常電阻率隨溫度升高而增大；若摻入活性雜質或用光、射線輻照，可使其電阻率有幾個數量級的變化。此外，半導體材料的導電性對外界條件（如熱、光、
半導體有什么特性
半導體具有特性有：可摻雜性、熱敏性、光敏性、負電阻率溫度、可整流性。半導體材料除了用于制造大規模集成電路之外，還可以用于功率器件、光電器件、壓力傳感器、熱電制冷等用途；利用微電子的超微細加工技術，還可以制成MEMS（微機械電子系統），應用在電子、醫療領域。半導體是指導電性能介于導體和絕緣體之間的材料
半導體材料的基本特性
自然界的物質、材料按導電能力大小可分為導體、半導體和絕緣體三大類。半導體的電阻率在1mΩ·cm～1GΩ·cm范圍（上限按謝嘉奎《電子線路》取值，還有取其1/10或10倍的；因角標不可用，暫用當前描述）。在一般情況下，半導體電導率隨溫度的升高而降低。
半導體材料的基本特性
自然界的物質、材料按導電能力大小可分為導體、半導體和絕緣體三大類。半導體的電阻率在1mΩ·cm～1GΩ·cm范圍（上限按謝嘉奎《電子線路》取值，還有取其1/10或10倍的；因角標不可用，暫用當前描述）。在一般情況下，半導體電導率隨溫度的升高而降低。
元素半導體的結構特性
元素半導體（element semiconductor）是由同種元素組成的具有半導體特性的固體材料，即電阻率約為10-5～107Ω·cm，微量雜質和外界條件變化都會顯著改變其導電性能的固體材料。周期表中，金屬和非金屬元素之間有十二種具有半導體性質的元素，硼(B)、金剛石(C)、硅(Si)、鍺(Ge)
元素半導體的基本特性
典型的半導體材料居于Ⅳ-A族，它們都具有明顯的共價鍵；都以金剛石型結構結晶；它們的帶隙寬度隨原子序數的增加而遞減，其原因是其鍵合能隨電子層數的增加而減小。V-A族都是某一種同素異形體具有半導體性質，其帶隙寬度亦隨原子序數的增加而減小。
半導體材料的特性參數
半導體材料雖然種類繁多但有一些固有的特性，稱為半導體材料的特性參數。這些特性參數不僅能反映半導體材料與其他非半導體材料之間的差別，而且更重要的是能反映各種半導體材料之間甚至同一種材料在不同情況下特性上的量的差別。常用的半導體材料的特性參數有：禁帶寬度、電阻率、載流子遷移率(載流子即半導體中參加導電的
半導體器件的開關特性
MOS的基本元件是MOS管。MOS管是一種電壓控制器件，它的3個電極分別稱為柵極(G)、漏極（D）和源極（S），由柵極電壓控制漏源電流。MOS管根據結構的不同可分為P型溝道MOS管和N型溝道MOS管兩種，每種又可按其工作特性進一步分為增強型和耗盡型兩類。 1、靜態特性 MOS管作為開
半導體參數測試儀
半導體參數測試儀是一種用于工程與技術科學基礎學科領域的儀器，于2016年12月08日啟用。 技術指標 1.小電流i-v ： 超低漏電流（fA），最 大電壓200V，最大電流1A； 2.高電壓I-V ： 最大電壓1000V 3.通用I-V ： 適合于大多數參數測試 4.c-v單元： 能夠在1M
半導體材料的特性要求
半導體材料的特性參數對于材料應用甚為重要。因為不同的特性決定不同的用途。晶體管對材料特性的要求 ：根據晶體管的工作原理，要求材料有較大的非平衡載流子壽命和載流子遷移率。用載流子遷移率大的材料制成的晶體管可以工作于更高的頻率（有較好的頻率響應）。晶體缺陷會影響晶體管的特性甚至使其失效。晶體管的工作溫度
半導體材料的特性要求
半導體材料的特性參數對于材料應用甚為重要。因為不同的特性決定不同的用途。晶體管對材料特性的要求 ：根據晶體管的工作原理，要求材料有較大的非平衡載流子壽命和載流子遷移率。用載流子遷移率大的材料制成的晶體管可以工作于更高的頻率（有較好的頻率響應）。晶體缺陷會影響晶體管的特性甚至使其失效。晶體管的工作溫度
電子/半導體的特性有哪些？
半導體[2]五大特性∶摻雜性，熱敏性，光敏性，負電阻率溫度特性，整流特性。 ★在形成晶體結構的半導體中，人為地摻入特定的雜質元素，導電性能具有可控性。 ★在光照和熱輻射條件下，其導電性有明顯的變化。
稀磁半導體的基本特性
稀磁半導體（Diluted magnetic semiconductors，DMS）是指非磁性半導體中的部分原子被過渡金屬元素（transition metals，TM）取代后形成的磁性半導體。因為一般摻入的雜質濃度不高，磁性比較弱，因而叫做稀磁半導體，或者半磁半導體。因兼具有半導體和磁性的性質，即
半導體材料的特性和參數
半導體材料的導電性對某些微量雜質極敏感。純度很高的半導體材料稱為本征半導體，常溫下其電阻率很高，是電的不良導體。在高純半導體材料中摻入適當雜質后，由于雜質原子提供導電載流子，使材料的電阻率大為降低。這種摻雜半導體常稱為雜質半導體。雜質半導體靠導帶電子導電的稱N型半導體，靠價帶空穴導電的稱P型半導體。
低維半導體材料的特性
實際上這里說的低維半導體材料就是納米材料，之所以不愿意使用這個詞，發展納米科學技術的重要目的之一，就是人們能在原子、分子或者納米的尺度水平上來控制和制造功能強大、性能優越的納米電子、光電子器件和電路，納米生物傳感器件等，以造福人類。可以預料，納米科學技術的發展和應用不僅將徹底改變人們的生產和生活方式
寬帶隙半導體材料的特性
氮化鎵、碳化硅和氧化鋅等都是寬帶隙半導體材料，因為它的禁帶寬度都在3個電子伏以上，在室溫下不可能將價帶電子激發到導帶。器件的工作溫度可以很高，比如說碳化硅可以工作到600攝氏度；金剛石如果做成半導體，溫度可以更高，器件可用在石油鉆探頭上收集相關需要的信息。它們還在航空、航天等惡劣環境中有重要應用。廣
絕緣特性測試儀的特性
1、有多種電壓輸出選擇BC2000(2500V/5000V)、BC2010(500V、1000V、2500V、5000V)，測量電阻量程范圍可達0～200GΩ，電阻量程范圍可自動轉換，并有相應的指示 2、兩種方式同步顯示絕緣阻值。機械指針采用超薄型張絲結構抗震能力強。機械指針的采用可容易觀察絕
伏安特性測試儀的特性
1．采用集成式專用電源，無需外附大功率調壓、升流設備；操作安全方便：全微機化裝置，內置進口高性能CPU，可靠性高，按界面提示設定測試值后，無需人工接觸被測試設備，省去手動調壓、人工記錄、整理、描繪曲線等煩瑣勞動。快捷、簡單、方便。無需計算機知識，極易掌握，使試驗人員遠離高壓電路，確保其人身安全。
開關動特性測試儀的特性
l 具有錄波功能 可對應時間坐標顯示斷口狀態—時間曲線、行程—時間（S－t）曲線、線圈電流—時間（I-t）曲線，有利于對開關機構故障的準確判斷。 l 大容量存儲器，支持U盤內置或外置 帶4G容量的U盤，可海量存儲現場數據，U盤可選內置方式或外置方式；儀器具有1個標準USB接口，易導出試驗數
開關動特性測試儀的特性
高壓開關動特性測試儀是為適應現場測試高壓開關動作特性的需要，開發研制的專用儀器。它以單片機為核心進行采樣，處理和輸出，儀器主要特點是采用漢字提示以人機對話的方式操作，漢字顯示結果并打印輸出，具有智能化、功能多、數據準確、抗干擾性強、操作簡單、體積小、重量輕、外觀美等優點，HTGK-III高壓開關
半導體激光器的特性
半導體激光器能夠給科研或者集成用戶提供性能出色的激光器產品，用于制造zui為的激光器系統。半導體激光器具有高效的光電轉換效率，且通過光束整形可直接應用于激光加工等領域，而光纖激光器由于其的光束質量早已已成為國內外研究的熱門。但半導體激光器將來有沒有可能直接獲得高光束質量的激光，從而“打敗”光纖激
半導體激光器的特性
半導體激光器具有高速調制、功率穩定、線寬窄、體積小、結構緊湊、驅動電路集成化的特點。半導體激光器具有的光束質量和調制性能，廣泛應用于：科學研究，工業儀器開發、OEM系統集成。此外，尾纖半導體激光器、外部光纖耦合模塊、小型半導體泵浦固體激光器可供選擇。 半導體激光器能夠給科研或者集成用戶提供性能
常用的半導體材料的特性參數
半導體材料雖然種類繁多但有一些固有的特性，稱為半導體材料的特性參數。這些特性參數不僅能反映半導體材料與其他非半導體材料之間的差別，而且更重要的是能反映各種半導體材料之間甚至同一種材料在不同情況下特性上的量的差別。常用的半導體材料的特性參數有：禁帶寬度、電阻率、載流子遷移率(載流子即半導體中參加導電的
伏安特性綜合測試儀的特性
1.儀器操作安全方便，全微機化裝置，內置進口高性能CPU，可靠性高，按界面提示設定測試值后，不需人工接觸被測試設備，儀器自動完成測試，使試驗人員遠離高壓電路，確保其人身安全。 2.輸出容量大，伏安特性試驗最大輸出電壓高達1000V，變比測試最大電流高達600A，儀器輸出容量為5KVA。 3.
互感器特性測試儀的特性
1、單電源220AC，使用更加安全可靠（徹底放棄使用危險的380V火線）； 2、單機輸出2500V/1000A； 3、可做5A/5A—25000A／5A、5A/1A—5000A／1A的互感器； 4、僅需設定測試電壓和電流，設備便可自動快速完成測試，無需培訓，容易掌握； 5、單機輸出容量大
使用半導體管特性圖示儀的方法
半導體管特性圖示儀可測量二管、三管的低頻直流參數，zui大集電電流過50A，能滿足500VA以下器件的測試。本機附有高壓測裝置，可對5KV以下的二管、三管進行擊穿電壓及反向漏電腦測試。其測試電流zui高靈敏度可達0.5μA/div。?集電掃描信號?三管輸出電壓范圍電流容量?0～10V50A（脈沖階梯
硫化銀半導體材料的物質特性
在1833年，電子學之父法拉第發現了硫化銀的電阻與金屬不同，隨著溫度的上升，它的電阻反而降低，即導電性增強。有雙晶結構：（1）灰黑色斜方結晶硫化銀。密度7.326g/cm3。175℃為轉變點。溶于氰化鉀、濃硫酸、硝酸，不溶于水。（2）黑色立方結晶硫化銀。密度7.317g/cm3。熔點825℃。溶于氰
半導體激光器的特性測量
概述半導體激光器特性的測量可以被分成5大類，如表1所示：表1半導體激光器特性測量的五大類電性能測量光輸出，壓降以及PD的監測電流，還有對這些測量數據的衍生分析。空間性近場和遠場的光強分布。光譜特性通過光譜數據計算光譜寬度和中心波長。光學性能測量光的發散以及波前畸變。動態性能測量噪聲，互調失真，上升時