半導體材料的特性和參數
半導體材料的導電性對某些微量雜質極敏感。純度很高的半導體材料稱為本征半導體，常溫下其電阻率很高，是電的不良導體。在高純半導體材料中摻入適當雜質后，由于雜質原子提供導電載流子，使材料的電阻率大為降低。這種摻雜半導體常稱為雜質半導體。雜質半導體靠導帶電子導電的稱N型半導體，靠價帶空穴導電的稱P型半導體。不同類型半導體間接觸（構成PN結）或半導體與金屬接觸時，因電子（或空穴）濃度差而產生擴散，在接觸處形成位壘，因而這類接觸具有單向導電性。利用PN結的單向導電性，可以制成具有不同功能的半導體器件，如二極管、三極管、晶閘管等。此外，半導體材料的導電性對外界條件（如熱、光、電、磁等因素）的變化非常敏感，據此可以制造各種敏感元件，用于信息轉換。半導體材料的特性參數有禁帶寬度、電阻率、載流子遷移率、非平衡載流子壽命和位錯密度。禁帶寬度由半導體的電子態、原子組態決定，反映組成這種材料的原子中價電子從束縛狀態激發到自由狀態所需的能量。電阻率、載流子......閱讀全文
半導體材料的特性和參數
半導體材料的導電性對某些微量雜質極敏感。純度很高的半導體材料稱為本征半導體，常溫下其電阻率很高，是電的不良導體。在高純半導體材料中摻入適當雜質后，由于雜質原子提供導電載流子，使材料的電阻率大為降低。這種摻雜半導體常稱為雜質半導體。雜質半導體靠導帶電子導電的稱N型半導體，靠價帶空穴導電的稱P型半導體。
半導體材料的特性參數
半導體材料雖然種類繁多但有一些固有的特性，稱為半導體材料的特性參數。這些特性參數不僅能反映半導體材料與其他非半導體材料之間的差別，而且更重要的是能反映各種半導體材料之間甚至同一種材料在不同情況下特性上的量的差別。常用的半導體材料的特性參數有：禁帶寬度、電阻率、載流子遷移率(載流子即半導體中參加導電的
常用的半導體材料的特性參數
半導體材料雖然種類繁多但有一些固有的特性，稱為半導體材料的特性參數。這些特性參數不僅能反映半導體材料與其他非半導體材料之間的差別，而且更重要的是能反映各種半導體材料之間甚至同一種材料在不同情況下特性上的量的差別。常用的半導體材料的特性參數有：禁帶寬度、電阻率、載流子遷移率(載流子即半導體中參加導電的
半導體材料的特性
半導體材料的特性：半導體材料是室溫下導電性介于導電材料和絕緣材料之間的一類功能材料。靠電子和空穴兩種載流子實現導電，室溫時電阻率一般在10-5～107歐·米之間。通常電阻率隨溫度升高而增大；若摻入活性雜質或用光、射線輻照，可使其電阻率有幾個數量級的變化。此外，半導體材料的導電性對外界條件（如熱、光、
半導體材料的基本特性
自然界的物質、材料按導電能力大小可分為導體、半導體和絕緣體三大類。半導體的電阻率在1mΩ·cm～1GΩ·cm范圍（上限按謝嘉奎《電子線路》取值，還有取其1/10或10倍的；因角標不可用，暫用當前描述）。在一般情況下，半導體電導率隨溫度的升高而降低。
半導體材料的基本特性
自然界的物質、材料按導電能力大小可分為導體、半導體和絕緣體三大類。半導體的電阻率在1mΩ·cm～1GΩ·cm范圍（上限按謝嘉奎《電子線路》取值，還有取其1/10或10倍的；因角標不可用，暫用當前描述）。在一般情況下，半導體電導率隨溫度的升高而降低。
寬帶隙半導體材料的特性
氮化鎵、碳化硅和氧化鋅等都是寬帶隙半導體材料，因為它的禁帶寬度都在3個電子伏以上，在室溫下不可能將價帶電子激發到導帶。器件的工作溫度可以很高，比如說碳化硅可以工作到600攝氏度；金剛石如果做成半導體，溫度可以更高，器件可用在石油鉆探頭上收集相關需要的信息。它們還在航空、航天等惡劣環境中有重要應用。廣
半導體材料的特性要求
半導體材料的特性參數對于材料應用甚為重要。因為不同的特性決定不同的用途。晶體管對材料特性的要求 ：根據晶體管的工作原理，要求材料有較大的非平衡載流子壽命和載流子遷移率。用載流子遷移率大的材料制成的晶體管可以工作于更高的頻率（有較好的頻率響應）。晶體缺陷會影響晶體管的特性甚至使其失效。晶體管的工作溫度
半導體材料的特性要求
半導體材料的特性參數對于材料應用甚為重要。因為不同的特性決定不同的用途。晶體管對材料特性的要求 ：根據晶體管的工作原理，要求材料有較大的非平衡載流子壽命和載流子遷移率。用載流子遷移率大的材料制成的晶體管可以工作于更高的頻率（有較好的頻率響應）。晶體缺陷會影響晶體管的特性甚至使其失效。晶體管的工作溫度
低維半導體材料的特性
實際上這里說的低維半導體材料就是納米材料，之所以不愿意使用這個詞，發展納米科學技術的重要目的之一，就是人們能在原子、分子或者納米的尺度水平上來控制和制造功能強大、性能優越的納米電子、光電子器件和電路，納米生物傳感器件等，以造福人類。可以預料，納米科學技術的發展和應用不僅將徹底改變人們的生產和生活方式
硫化銀半導體材料的物質特性
在1833年，電子學之父法拉第發現了硫化銀的電阻與金屬不同，隨著溫度的上升，它的電阻反而降低，即導電性增強。有雙晶結構：（1）灰黑色斜方結晶硫化銀。密度7.326g/cm3。175℃為轉變點。溶于氰化鉀、濃硫酸、硝酸，不溶于水。（2）黑色立方結晶硫化銀。密度7.317g/cm3。熔點825℃。溶于氰
新型有機半導體材料的特性及應用介紹
其結構穩定，擁有卓越的電學特性，而且成本低廉，可被用于制造現代電子設備中廣泛使用的場效應晶體管。科學家們表示，最新研究有望讓人造皮膚、智能繃帶、柔性顯示屏、智能擋風玻璃、可穿戴的電子設備和電子墻紙等變成現實。昂貴的原因主要因為電視機、電腦和手機等電子產品都由硅制成，制造成本很高;而碳基(塑料)有機電
半導體的特性
半導體的導電性能比導體差而比絕緣體強。實際上，半導體與導體、絕緣體的區別在不僅在于導電能力的不同，更重要的是半導體具有獨特的性能（特性）。?1． 在純凈的半導體中適當地摻入一定種類的極微量的雜質，半導體的導電性能就會成百萬倍的增加—-這是半導體zui顯著、zui突出的特性。例如，晶體管就是利用這種特
隔膜材料的特性和應用
主要的電池隔膜材料產品有單層PP、單層PE、PP+陶瓷涂覆、PE+陶瓷涂覆、雙層PP/PE、雙層PP/PP 和三層PP/PE/PP 等，其中前兩類產品主要用于3C 小電池領域，后幾類產品主要用于動力鋰電池領域。在動力鋰電池用隔膜材料產品中，雙層PP/PP 隔膜材料主要由中國企業生產，在中國大陸使用，
電池的特性和性能參數
電池（Battery）指盛有電解質溶液和金屬電極以產生電流的杯、槽或其他容器或復合容器的部分空間，能將化學能轉化成電能的裝置。具有正極、負極之分。隨著科技的進步，電池泛指能產生電能的小型裝置。如太陽能電池。電池的性能參數主要有電動勢、容量、比能量和電阻。利用電池作為能量來源，可以得到具有穩定電壓，穩
半導體材料硫化鉑光電特性的相關研究獲進展
記者6月20日從云南大學材料與能源學院獲悉，該學院楊鵬、萬艷芬團隊經過持續研發，解決了類石墨烯材料大面積均勻少層硫化鉑的合成及其結構和物理性能的一系列問題，為更豐富的應用場景器件開發提供支持，同時給行將終結的摩爾定律注入新的希望，提供極具潛力的半導體材料。 “微電子技術歷經半個多世紀發展，給人
半導體材料－硫化鉑光電特性研究獲新突破
記者6月20日從云南大學材料與能源學院獲悉，該學院楊鵬、萬艷芬團隊經過持續研發，解決了類石墨烯材料大面積均勻少層硫化鉑的合成及其結構和物理性能的一系列問題，為更豐富的應用場景器件開發提供支持，同時給行將終結的摩爾定律注入新的希望，提供極具潛力的半導體材料。 “微電子技術歷經半個多世紀發展，給人
解析半導體材料的種類和應用
? ? 半導體是指一種導電性可受控制，范圍可從絕緣體至導體之間的材料。無論從科技或是經濟發展的角度來看，半導體的重要性都是非常巨大的。很多人一直有疑問，半導體材料有哪些??半導體材料有哪些實際運用?今天小編精心搜集整理了相關資料，來專門解答大家關于半導體材料的疑問，下面一起來看一下吧! 一、半導體
光介質材料的定義和特性
光介質材料是傳輸光線的材料。入射的光線經過折射、反射會改變光線的方向、位相和偏振態；還可經過吸收或散射改變光線的強度和光譜成分。傳統上常把光學材料限定為晶態（光學晶體）、非晶態（光學玻璃）、有機化合物（光學塑料）。
鉑電阻材料的特性和應用
鉑電阻，簡稱為：鉑熱電阻，它的阻值會隨著溫度的變化而改變。它有PT100和?PT1000等等系列產品，它適用于醫療、電機、工業、溫度計算、衛星、氣象、阻值計算等高精溫度設備，應用范圍非常之廣泛。
稀磁半導體的磁學機理和物理特性
磁性離子摻入到半導體中替代部分陽離子的位 置形成稀磁半導體，通過局域自旋磁矩和載流子之間 存在強烈的自旋-自旋交換作用，在外加電場或者磁 場的影響下，會使載流子的行為發生改變，從而產生 異于半導體基質的特性。自旋-自旋交換相互作用是 DMS 材料區別于非磁半導體材料的關鍵，也是形成 各種磁極化子的主
半導體參數儀
半導體參數儀是一種用于物理學領域的科學儀器，于2015年9月17日啟用。 4200-SCS/F半導體特性分析系統主機，2個高分辨率中功率SMU 最大電流100mA，最大電壓200V，最大功率2W 4200-SMU高分辨率中功率SMU（源測量單元） 最大電流100mA；最大電壓200V；最大功能
常用的補償導線材料和特性
常用的補償導線有以下幾種：補償導線型號配用熱電偶的分度號補償導線合金絲絕緣層著色100℃時允差（℃）200℃時允差（℃）正極負極正極負極普通級精密級普通級精密級SCSSPC（銅）SNC（銅鎳）紅綠±5±3±5-KCKKPC（鉛）KNC（銅鎳）紅藍±2.5±1.5--KXKKPX（鎳鉻）KNX（鎳硅）
元素半導體的基本特性
典型的半導體材料居于Ⅳ-A族，它們都具有明顯的共價鍵；都以金剛石型結構結晶；它們的帶隙寬度隨原子序數的增加而遞減，其原因是其鍵合能隨電子層數的增加而減小。V-A族都是某一種同素異形體具有半導體性質，其帶隙寬度亦隨原子序數的增加而減小。
元素半導體的結構特性
元素半導體（element semiconductor）是由同種元素組成的具有半導體特性的固體材料，即電阻率約為10-5～107Ω·cm，微量雜質和外界條件變化都會顯著改變其導電性能的固體材料。周期表中，金屬和非金屬元素之間有十二種具有半導體性質的元素，硼(B)、金剛石(C)、硅(Si)、鍺(Ge)
半導體器件的開關特性
MOS的基本元件是MOS管。MOS管是一種電壓控制器件，它的3個電極分別稱為柵極(G)、漏極（D）和源極（S），由柵極電壓控制漏源電流。MOS管根據結構的不同可分為P型溝道MOS管和N型溝道MOS管兩種，每種又可按其工作特性進一步分為增強型和耗盡型兩類。 1、靜態特性 MOS管作為開
半導體有什么特性
半導體具有特性有：可摻雜性、熱敏性、光敏性、負電阻率溫度、可整流性。半導體材料除了用于制造大規模集成電路之外，還可以用于功率器件、光電器件、壓力傳感器、熱電制冷等用途；利用微電子的超微細加工技術，還可以制成MEMS（微機械電子系統），應用在電子、醫療領域。半導體是指導電性能介于導體和絕緣體之間的材料
什么是半導體材料？常見半導體材料有哪些？
半導體材料是什么？半導體材料（semiconductor material）是一類具有半導體性能（導電能力介于導體與絕緣體之間，電阻率約在1mΩ·cm～1GΩ·cm范圍內）、可用來制作半導體器件和集成電路的電子材料。自然界的物質、材料按導電能力大小可分為導體、半導體和絕緣體三大類。半導體的電阻率在1
半導體硅材料分選儀的使用和原理
1、測試電源，電源電壓值應該在220V左右，電壓偏差不得超過2%，否則影響測試定標，偏差過大甚至會損壞電路。（AC110V使用需要配備AC110V轉AC220V電壓轉換器）2、接好測試線，測試線連接到儀器上時，務必確保儀器上插座的凸起與測試線插頭的凹槽對應好，并將螺圈旋緊。3、接好電源線；上電，開關
半導體材料的定義
半導體材料（semiconductor material）是一類具有半導體性能（導電能力介于導體與絕緣體之間，電阻率約在1mΩ·cm～1GΩ·cm范圍內）、可用來制作半導體器件和集成電路的電子材料。