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當地時間11月23日，三星電子舉行新聞發布會，宣布將在美國得克薩斯州的泰勒市新建一座晶圓代工廠。 據國外媒體報道，該生產基地預計投資規模高達170億美元（約合人民幣1085.62億元），是三星電子在美國的史上最大投資，擬于明年上半年動工建設，并于2024年下半年投入運營。 業界預計，該生產線將基于5納米及以下工藝制程，以生產5G、高性能計算（HPC）、人工智能（AI）和元宇宙等領域的先進系統半導體。 德克薩斯州州長格雷格·阿博特（Greg Abbott）在宣布該計劃的新聞發布會上表示，該項目將創造2000多個就業機會。而作為投資的回報，德州地方政府為三星提供了許多激勵措施，包括在10年內免除90%的財產稅等。2022年全球晶圓代工產能遍地開花 事實上，自2019年下半年開始，全球半導體市場供需出現結構性轉變，晶圓代工產能近兩年來也因此呈現嚴重供不應求的狀況。 為了滿足消費性電子產品、服務器、云端、物聯網、電動車/自......閱讀全文
一文讀懂半導體制程技術進步的“燃料”——光刻膠 光刻膠又稱光致抗蝕劑，是一種對光敏感的混合液體。其組成部分包括：光引發劑（包括光增感劑、光致產酸劑）、光刻膠樹脂、單體、溶劑和其他助劑。光刻膠可以通過光化學反應，經曝光、顯影等光刻工序將所需要的微細圖形從光罩（掩模版）轉移到待加工基片上。依據
與臺積電的7nm工藝晶體管密度大約1億／mm2相比，8nm工藝大概是6000萬晶體管／mm2，但這是單一的SRAM芯片的對比，實際上GPU芯片比較復雜，差距會縮小很多。根據是NVIDIA公布的信息，臺積電7nm工藝制造的安培A100核心是540億晶體管，核心面積826mm2，而三星8nm工藝制造的G
有朋友補充說，這種金屬是鎢，我查閱到資料也提到是鎢；鎢本身也用在后端的via中； 但是在這個問題上我有些保留，主要原因是4點：第一， 我自己上課的時候，有多位教授都明確提到過，關于這個metal gate的資料外界知之甚少，至少他們自己不知道，或因為某種原因而不愿意說；第二，從原理上說，對于
晶圓檢測顯微鏡OLYMPUS MX63L 進入21世紀以來，電子產品的發展速度日新月異，電子產品被設計的越來越小，功能越來越強大，這離不開高精尖的技術支持，芯片的大小決定了我們的電子產品的大小，薄厚等做工，芯片的都厲不拍晶圓片作為載體俗稱硅片。 硅片的發展從4寸到6寸，再到現在的8
分層施工，逐層架構知道 IC 的構造后，接下來要介紹該如何制作。試想一下，如果要以油漆噴罐做精細作圖時，我們需先割出圖形的遮蓋板，蓋在紙上。接著再將油漆均勻地噴在紙上，待油漆乾后，再將遮板拿開。不斷的重復這個步驟后，便可完成整齊且復雜的圖形。制造 IC 就是以類似的方式，藉由遮蓋
納米制程是什么？ 三星以及臺積電在先進半導體制程打得相當火熱，彼此都想要在晶圓代工中搶得先機以爭取訂單，幾乎成了 14 納米與 16 納米之爭，然而 14 納米與 16 納米這兩個數字的究竟意義為何，指的又是哪個部位？而在縮小制程后又將來帶來什么好處與難題？以下我們將就納米制程
在半導體這個領域，許多人只是知道中國一直處于弱勢，但是反過來想想，中國需要挑戰的是，西方上百年積累起來的工業體系！ 中國半導體一直都是在敵人的炮火中匍匐前進，現在這場無硝煙的戰爭已經進入白熱化階段，面對國際芯片巨頭的圍追堵截，令國人“芯”痛不已。 美國的統治地位 1957年，晶體管之父肖克
圖15展示了DRAM單位比特成本趨勢。圖15． DRAM單位比特成本趨勢。圖15是基于戰略成本和價格模型中的晶圓成本估算值與圖14中的單位比特密度相結合得出的。所有晶圓廠都是新建工廠，每月產能為75，000片晶圓，因為這是2020年DRAM晶圓廠的平均產能。這里假設的公司與國家對應關系是，美光－日本
關于先進封裝工藝的話題從未間斷，隨著移動電子產品趨向輕巧、多功能、低功耗發展，高階封裝技術也開始朝著兩大板塊演進，一個是以晶圓級芯片封裝WLCSP（Fan-In WLP、Fan-out WLP等）為首，功能指向在更小的封裝面積下容納更多的引腳數；另一板塊是系統級芯片封裝（SiP），功能指
圖3在左軸上顯示了按年份和公司分類的串堆疊，在右軸上顯示了每個單元的最大比特數。圖3．堆疊層數，每單元比特數。圖4展示了我們對按曝光類型，公司和年份劃分的掩模數量的分析。虛線是每年的平均掩模數，從2017年的42張增加到2025年的73張，這與層數從2017年的平均60個增加到2025年的512個相
三星電子近日宣布，三星先進技術研究所(SAIT)與韓國成均館大學合作開發出一種新合成方法，可大面積制備應用于半導體的晶圓級單晶石墨烯。應用該方法制備的半導體單晶，具有優異的電性能和機械性能。該研究負責人說，“我們預計這一發現將加速石墨烯的商業化，并可能開創消費電子技術的新時代。” 石墨烯具
三星電子近日宣布，三星先進技術研究所(SAIT)與韓國成均館大學合作開發出一種新合成方法，可大面積制備應用于半導體的晶圓級單晶石墨烯。應用該方法制備的半導體單晶，具有優異的電性能和機械性能。該研究負責人說，“我們預計這一發現將加速石墨烯的商業化，并可能開創消費電子技術的新時代。” 石墨烯具
半導體代工廠格芯（GlobalFoundries，GF）8 月 26 日在美國和德國提出多起訴訟，指控臺積電（TSMC）使用的半導體技術侵犯了 16 項 GF 的專利，并希望美國貿易主管部門發布進口禁令，以停止臺積電“侵權”生產的產品進口，并尋求獲得“實質性”損害賠償。臺積電否認侵權，并稱將積極
藍色巨人終于開始發力。 5月7日消息，IBM公司周四宣布，其在芯片制程工藝上取得重大突破，聲稱已打造出全球首個2nm芯片制造技術，為半導體研發再創新的里程碑。 IBM在新聞稿中稱，在運行速度方面，與當前許多筆記本電腦和手機中使用的主流7nm芯片相比，IBM的這顆2nm芯片計算速度要快45%，
圖9顯示了基于前面提到的NAND ／D觸發器加權度量的每平方毫米晶體管的邏輯密度。圖9．邏輯密度趨勢。此圖表上繪制了六種類型的制程。直到2014年左右，平面晶體管還是主要的前沿邏輯工藝，其密度每年提高1．33倍，FinFET接管了前沿技術，密度每年提高1．29倍。與FinFET并行，我們已經看到了F
在半導體領域，不只是中國擔心被卡脖子，美國也一樣擔心，因為臺積電是全球最大也是最先進的晶圓代工廠，生產并不控制在美國人手中。特朗普政府一直希望臺積電去美國建廠，不過這事并不容易。 美國是全球半導體技術最強大的國家，沒有之一，Intel、GF格芯等公司在美國建有多座半導體工廠，掌握著目前最強大的
Dai Nippon Printing（DNP）的研究員Naoya Hayashi說：“TAT更長的原因是寫入時間、檢查時間和驗證時間。”寫入時間是罪魁禍首。如上所述，IC設計要轉換為文件格式。該格式被轉換成電子束掩膜寫入器的一組指令。這個過程稱為掩膜數據準備（MDP）。然后，電子束掩膜寫入
7月16日，在臺積電二季度業績說明會上，該公司透露，未計劃在9月14日之后為華為繼續供貨。而美國政府5月15日宣布的對華為限制新規將于9月15日生效。 截至發稿，華為方面尚未對此作出回應。 4天前（7月13日），臺媒鉅亨網曾報道，臺積電已向美國政府遞交意見書，希望能在華為禁令120天寬限期滿
8月18日消息，馬來西亞疫情嚴重，意法半導體在Muar封裝廠爆發疫情感染，目前已關閉部分生產線，博世等芯片受到直接影響。 據澎湃新聞報道，8月17日汽車電子公司博世中國區高層朋友圈發文稱，因為馬來西亞疫情嚴重，某半導體芯片供應商位于馬來西亞麻坡（Muar）工廠被當地政府要求關閉部分生產線至8月
硅鍺 SiGe 1980 年代 IBM 為改進 Si 材料而加入 Ge，以便增加電子流的速度，減少耗能及改進功能，卻意外成功的結合了 Si 與 Ge。而自 98 年 IBM 宣布 SiGe 邁入量產化階段后，近兩、三年來，SiGe 已成了最被重視的無線通信 IC 制程技術之一。 &
7月5日，歷時近兩個月的2010年度中國上市公司價值評選結果在深圳揭曉。主板上市公司價值百強、中小板上市公司價值五十強、創業板上市公司價值二十強等十一個獎項都各有所屬。 招商銀行等100家主板公司獲評為主板上市公司價值百強，蘇寧電器等50家中小板公司獲評為中小板上市公司價值五十強，樂
如果用一個詞來描述2016年的固態硬盤市場的話，那么閃存顆粒絕對是會被提及的一個關鍵熱詞。在過去的2016年里，圍繞著閃存顆粒發生了一系列大事，包括閃存顆粒的量產引發固態漲價，閃存顆粒的制程問題引發的廠商競爭，以及“日經貼”般的MLC/TLC顆粒的優劣問題。那么，到底什么是閃存顆？2D NA