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高分辨核磁共振譜儀主要是研究通知磁性核在外磁場作用下產生的微小變化,這些變化來源于核的磁屏蔽,它起因于分子中電子環形運動所產生的次級磁場。而在高分辨NMR實驗中所得到的共振信號大多又是裂分譜線。造成裂分譜線分的原因是磁性核之間的自旋——自選相互作用。化學位移和偶合常數是核磁共振波譜中反映化合物結構的兩個重要參數。一、化學位移1)定義因質子在分子中所處的化學環境不同而需要在不同的磁場強度下發生共振的現象叫做化學位移。(質子周圍基團性質不同,使它的共振頻率不同。)2)化學位移的產生理想化的、裸露的氫核滿足共振條件:,產生單一的吸收峰。實際上,氫核受到周圍不斷運動著的電子影響。在外磁場作用下,運動著的電子產生相對于外磁場的感應磁場,起到屏蔽作用,使氫核實際收到的外磁場作用減小,則有效磁場強度式為:,:屏蔽常數,屏蔽常數越大,屏蔽效應越大,由于屏蔽作用的存在,氫核產生共振需要更大的外磁場強度(相對于裸露的氫核),來抵消屏蔽影響。核外電子......閱讀全文
高分辨核磁共振譜儀主要是研究通知磁性核在外磁場作用下產生的微小變化,這些變化來源于核的磁屏蔽,它起因于分子中電子環形運動所產生的次級磁場。而在高分辨NMR實驗中所得到的共振信號大多又是裂分譜線。造成裂分譜線分的原因是磁性核之間的自旋——自選相互作用。化學位移和偶合常數是核磁共振波譜中反映化合物結構的
四大波譜是:核磁共振（NMR）,物質粒子的質量譜-質譜（MS）,振動光譜-紅外/拉曼(IR/Raman）,電子躍遷-紫外（UV）。紫外：四個吸收帶，產生、波長范圍、吸光系數紅外：特征峰，吸收峰影響因素、不同化合物圖譜聯系與區別核磁：N+1率，化學位移影響因素，各類化合物化學位移質譜：特征離子、重排、
1、原子質量2、鍵能(同素異形體)3、晶格(多晶型)4、空間結構
在核磁共振氫譜中,影響化學位移的因素主要包括局部屏蔽效應、遠程屏蔽效應、氫鍵效應和溶劑效應等。此外,分子結構中存在的對稱性(對稱元素與核的化學位移等價性密切相關。1.局部屏蔽效應通過影響所研究的質子的核外成鍵電子的電子云密度而產生的屏蔽效應稱為局部屏蔽效應。局部屏蔽效應可分為兩個組成部分,其一是核外
化學位移是核磁共振中的一種術語，是化學環境所引起的核磁共振信號位置的變化，具體是用數字來進行表達(相對的，通常使用四甲基硅烷作為基準)。如果你是大學生，有空去幫師兄師姐做做實驗你就會很了解，核磁共振是化合物結構解析的常用手段。影響因素可以表示為內因:有吸電子基團的向低場移動(因為屏蔽作用減少，弛豫所
1、缺陷的磁導率：缺陷的磁導率越小、則漏磁越強。 2、磁化磁場強度(磁化力)大小：磁化力越大、漏磁越強。 3、被檢工件的形狀和尺寸、缺陷的形狀大小、埋藏深度等：當其他條件相同時，埋藏在表面下深度相同的氣孔產生的漏磁要比橫向裂紋所產生的漏磁要小。
北京心理危機研究與干預中心發布的《我國自殺狀況及其對策》報告顯示，中國是世界上自殺人數最多的國家，全世界每年大約有100萬人死于自殺，其中超過1/4為中國人。中國每年有28.7萬人死于自殺，200萬人自殺未遂。自殺是中國總人口的第5位死因，是15-34歲人群的首位死因。在自殺者中，80%的人患有
當頻率為ν0的單色輻射照射到物質上時,大部分入射輻射透過物質或被物質吸收,只有一小部分輻射被樣品分子散射。入射的光子和物質分子相碰撞時,可發生彈性碰撞和非彈性碰撞,在彈性碰撞過程中,光子與分子之間不發生能量交換,光子只改變運動方向而不改變頻率(ν0),這種散射過程叫彈性散射,亦稱為瑞利散射(Rayl
1.原子核在磁場中的能級分裂質子有自旋,是微觀磁矩,磁矩的方向與旋轉軸重合。在磁場中,這種微觀磁矩的兩種自旋態的取向不同,能量不再相等,磁矩與磁場同向平行的自旋態能級低于磁矩與磁場反向平行的自旋態,兩種自旋態間的能量差△E與磁場強度H0成正比:?式中,h為普朗克常數;H0為磁場的磁場強度,單位為T(
與獨立的質子不同,分子中的各個質子都分別處于特定的化學環境。化學環境主要是指質子的核外電子以及與該質子距離相近的其他原子核或官能團的有關電子的分布、運動及其對周圍空間的影響情況;這些電子在磁場的影響下產生了感應磁場,對質子所處環境中的磁場起了一個正的或負的屏蔽(shielding)影響導致不同的質子