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噴霧器頂端施加一個電場給微滴提供凈電荷；在高電場下，液滴表面產生高的電應力，使表面被破壞產生微滴；荷電微滴中溶劑的蒸發；微滴表面的離子“蒸發”到氣相中，進入質譜儀。為了降低微滴的表面能，加熱至200～250℃，可使噴霧效率提高。FAB-MS 可以顯示碎片離子，但只能產生單電荷離子，因此不適用于分析分子量超過分析器質量范圍的分子。ESI 可以產生多電荷離子，每一個都有準確的小m/z 值。此外還可以產生多電荷母離子的子離子，這樣就可以產生比單電荷離子的子離子更多的結構信息。而且，ESI-MS 可以補充或增強由FAB 獲得的信息，即使是小分子也是如此。......閱讀全文
噴霧器頂端施加一個電場給微滴提供凈電荷；在高電場下，液滴表面產生高的電應力，使表面被破壞產生微滴；荷電微滴中溶劑的蒸發；微滴表面的離子“蒸發”到氣相中，進入質譜儀。為了降低微滴的表面能，加熱至200～250℃，可使噴霧效率提高。FAB-MS 可以顯示碎片離子，但只能產生單電荷離子，因此不適用于分
電噴霧電離質譜是確定化合物分子量及分子式的一種質譜分析方法。質譜所帶離子源為電噴霧離子源，噴霧器頂端施加一個電場給微滴提供凈電荷；在高電場下，液滴表面產生高的電應力，使表面被破壞產生微滴；荷電微滴中溶劑的蒸發；微滴表面的離子“蒸發”到氣相中，進入質譜儀。為了降低微滴的表面能，加熱至200~250
電離源產生的不同離子之間能夠互相反應，使得電離的結果更加豐富而復雜。比如在EI的作用下能夠產生大量的離子，內能較大的離子在與中性分子（如He）碰撞時能夠自發裂解產生更多的碎片離子。這種離子-分子反應一般很難進行完全，往往在得到許多碎片離子的同時還保留著部分母體離子，不過，通過增加離子內能（如調節
2004 年，Cooks 等報道了基于電噴霧解吸電離（DESI）對固體表面進行非破壞性檢測的新型質譜分析方法。 電噴霧產生的帶電液滴及離子直接打到被分析物的表面，吸附在表面的待測物 受到帶電離子的撞擊從表面解吸出來并被電離，然后通過質譜儀的采樣錐進入質量分析器，獲得的質譜圖與常規電噴霧質譜圖
為所謂的‘軟'電離技術。大氣壓電離(API)是已被廣泛使用的技術。自從1980年代后期以來,該技術顯示出顯著的商業價值,這要歸功于,對引導流體在其內部流動的導電管(不銹鋼毛細管)施加過多的能量(電壓范圍在3-5千伏),當液體從導電管經過時,超過瑞利極限,形成氣溶膠而被射出,產生包含離子,半徑
實驗在商品化ESI離子源上進行，氣體樣品由鞘氣入口引入，與電噴霧產生的帶電液滴及離子碰撞，待測物分子被萃取并離子化后，由毛細管引入質譜儀。因其別具匠心的設計和優異的性能，使得 EESI-MS 不僅具有質譜特有的高靈敏度和高特異性，而且能夠承受各種形態的樣品，而且不需要進行樣品收集和分離，能夠對生
在2002年,Graham Cooks第一次描述了該電離技術,將其作為從惰性基質表面(通常條件下)產生軟次級離子的方式。該技術類似于MALDI,使用ESI探針,以相對于惰性基質表面大約50度的入射角瞄準,使離子化學噴射,進入質譜儀。已表明不需樣品制備,能得到直接來自很多極性和非極性表面材料的信息(皮
放電電離（discharge ionization）一種利用放電現象（如電弧、輝光、火花、電暈等）進行離子化的方法。
電離度（degree of ionization）泛指液體、氣體或氣溶膠在高溫或高頻電場作用下，生成的離子濃度M+與該體系中仍然存有的自由原子濃度M和生成離子濃度M+之和的比[M+（M＋M+)]。電離度遵從Saha方程，即原子的電離度與原子蒸氣的分壓強、元素原子的電離電位和體系的溫度密切相關。
電離效率（ionization efficiency）電離效率泛指在特定環境下，經電離生成的原子離子數與進入電離區預測量樣品原子總數之比，電離效率的高低取決于所采用的電離方法、電離機制和電離時的相關參數。