可控硅的主要分類
可控硅有多種分類方法。 （一）按關斷、導通及控制方式分類：可控硅按其關斷、導通及控制方式可分為普通可控硅、雙向可控硅、逆導可控硅、門極關斷可控硅（GTO）、BTG可控硅、溫控可控硅和光控可控硅等多種。 （二）按引腳和極性分類：可控硅按其引腳和極性可分為二極可控硅、三極可控硅和四極可控硅。 （三）按封裝形式分類：可控硅按其封裝形式可分為金屬封裝可控硅、塑封可控硅和陶瓷封裝可控硅三種類型。其中，金屬封裝可控硅又分為螺栓形、平板形、圓殼形等多種；塑封可控硅又分為帶散熱片型和不帶散熱片型兩種。 （四）按電流容量分類：可控硅按電流容量可分為大功率可控硅、中功率可控硅和小功率可控硅三種。通常，大功率可控硅多采用金屬殼封裝，而中、小功率可控硅則多采用塑封或陶瓷封裝。 (五）按關斷速度分類：可控硅按其關斷速度可分為普通可控硅和高頻（快速）可控硅。......閱讀全文
可控硅的主要分類
可控硅有多種分類方法。 （一）按關斷、導通及控制方式分類：可控硅按其關斷、導通及控制方式可分為普通可控硅、雙向可控硅、逆導可控硅、門極關斷可控硅（GTO）、BTG可控硅、溫控可控硅和光控可控硅等多種。 （二）按引腳和極性分類：可控硅按其引腳和極性可分為二極可控硅、三極可控硅和四極可控硅。 （三
可控硅的分類方法和分類
可控硅有多種分類方法。 （一）按關斷、導通及控制方式分類：可控硅按其關斷、導通及控制方式可分為普通可控硅、雙向可控硅、逆導可控硅、門極關斷可控硅（GTO）、BTG可控硅、溫控可控硅和光控可控硅等多種。 （二）按引腳和極性分類：可控硅按其引腳和極性可分為二極可控硅、三極可控硅和四極可控硅。 （三
可控硅的分類方法簡介
（一）按關斷、導通及控制方式分類：可控硅按其關斷、導通及控制方式可分為普通可控硅、雙向可控硅、逆導可控硅、門極關斷可控硅（GTO）、BTG可控硅、溫控可控硅和光控可控硅等多種。 （二）按引腳和極性分類：可控硅按其引腳和極性可分為二極可控硅、三極可控硅和四極可控硅。 （三）按封裝形式分類：
可控硅的主要參數
平均值 額定通態平均電流IT在一定條件下，陽極---陰極間可以連續通過的50赫茲正弦半波電流的平均值。峰值電壓 1、 反向陰斷峰值電壓VPR當可控硅加反向電壓，處于反向關斷狀態時，可以重復加在可控硅兩端的反向峰值電壓。使用時，不能超過手冊給出的這個參數值。 2、 控制極觸發電流Ig1 、觸
可控硅的主要參數
電流 額定通態電流（IT)即最大穩定工作電流，俗稱電流。常用可控硅的IT一般為一安到幾十安。耐壓 反向重復峰值電壓（VRRM)或斷態重復峰值電壓（VDRM），俗稱耐壓。常用可控硅的VRRM/VDRM一般為幾百伏到一千伏。觸發電流 控制極觸發電流（IGT)，俗稱觸發電流。常用可控硅的IGT一般為
可控硅的主要參數
電流 額定通態電流（IT)即最大穩定工作電流，俗稱電流。常用可控硅的IT一般為一安到幾十安。耐壓 反向重復峰值電壓（VRRM)或斷態重復峰值電壓（VDRM），俗稱耐壓。常用可控硅的VRRM/VDRM一般為幾百伏到一千伏。觸發電流 控制極觸發電流（IGT)，俗稱觸發電流。常用可控硅的IGT一般為
可控硅的形式分類相關介紹
可控硅從外形上分主要有螺旋式、平板式和平底式三種，螺旋式的應用較多。可控硅有三個電極---陽極（A）陰極（C）和控制極（G）。它有管芯是P型導體和N型導體交迭組成的四層結構，共有三個PN結。可控硅和只有一個PN結的硅整流二極度管在結構上迥然不同。可控硅的四層結構和控制極的引用，為其發揮“以小控大
可控硅的主要參數介紹
平均值 額定通態平均電流IT在一定條件下，陽極---陰極間可以連續通過的50赫茲正弦半波電流的平均值。峰值電壓 1、 反向陰斷峰值電壓VPR當可控硅加反向電壓，處于反向關斷狀態時，可以重復加在可控硅兩端的反向峰值電壓。使用時，不能超過手冊給出的這個參數值。 2、 控制極觸發電流Ig1 、觸
可控硅的結構特點及主要類型
以硅單晶為基本材料的P1N1P2N2四層三端器件，起始于1957年，因為它的特性類似于真空閘流管，所以國際上通稱為硅晶體閘流管，簡稱晶閘管T，又因為晶閘管最初的在靜止整流方面，所以又被稱之為硅可控整流元件，簡稱為可控硅SCR。 在性能上，可控硅不僅具有單向導電性，而且還具有比硅整流元件(俗稱"死硅
可控硅的概念
晶閘管又叫可控硅(Silicon Controlled?Rectifier, SCR)。自從20世紀50年代問世以來已經發展成了一個大的家族，它的主要成員有單向晶閘管、雙向晶閘管、光控晶閘管、逆導晶閘管、可關斷晶閘管、快速晶閘管，等等。可控硅器件是一種非常重要的功率器件，可用來做高電壓和高電流的控制
可控硅簡介
可控硅(Silicon Controlled Rectifier) 簡稱SCR,是一種大功率電器元件，也稱晶閘管。它具有體積小、效率高、壽命長等優點。在自動控制系統中，可作為大功率驅動器件，實現用小功率控件控制大功率設備。它在交直流電機調速系統、調功系統及隨動系統中得到了廣泛的應用。 可控硅分
固氮的主要分類
人工固氮人工固氮長期以來，人們期望著農田中糧食作物能像豆科植物一樣有固氮能力，以減少對?化肥的依賴。70年代首先實現了細菌之間的固氮 ... 主要在合成氨中實現人工固氮（工業上通常用H2和N2 在催化劑、高溫、高壓下合成氨，化學方程式：N2 + 3H2=（高溫高壓催化劑）2NH3）。 所有的含氮化學
酶的主要分類
1961年，國際生物化學聯合會把酶分為六大類：氧化還原酶類： AH2+B A+BH2(催化底物時進行了電子反應)轉移酶類：A-R+B A+B-R(一種分子上的基團轉移到另一種分子上)水解酶類：A-B+HOH AOH+BH(催化大分子加水分解成小分子)裂解酶類： A-B A+B(催化一個化合物為幾個化
天平的主要分類
有狹義和廣義之分。狹義的天平專指雙盤等臂機械天平，是利用等臂杠桿平衡原理，將被測物與相應砝碼比較衡量，從而確定被測物質量的一種衡器。廣義的天平則包括雙盤等臂機械天平、單盤不等臂機械天平和電子天平3類。 雙盤等臂機械天平 一般按結構分為普通標牌天平、微分標牌天平和架盤天平3種。也可按用途分為檢定
益生菌的主要分類
科學家已發現的益生菌大體上可分成三大類，其中包括： ①乳桿菌類（如嗜酸乳桿菌、干酪乳桿菌、詹氏乳桿菌、拉曼乳桿菌等）； ②雙歧桿菌類（如長雙歧桿菌、短雙歧桿菌、卵形雙歧桿菌、嗜熱雙歧桿菌等）； ③革蘭氏陽性球菌（如糞鏈球菌、乳球菌、中介鏈球菌等）。此外，還有一些酵母菌與酶亦可歸入益生菌的范疇。
細菌的主要分類
按細菌形狀分類細菌具有不同的形狀，并可根據形狀分為三類，即：球菌、桿菌和螺旋菌（包括弧菌、螺菌、螺桿菌）。按細菌的生活方式來分類，分為兩大類：自養菌和異養菌，其中異養菌包括腐生菌和寄生菌。按細菌對氧氣的需求來分類，可分為需氧（完全需氧和微需氧）和厭氧（不完全厭氧、有氧耐受和完全厭氧）細菌。按細菌生存
骨髓的主要分類
成年人的骨髓是人體最大組織之一，1600～3700克，平均為2800克，占體重的3.5～5.9%。骨髓有造血、免疫和防御機能。紅骨髓紅骨髓是人體的造血組織，分布于骨髓腔內，哈佛氏管內也含有少量，它主要是由血竇和造血組織構成。血竇是進入紅骨髓的動脈毛細血管分支后形成的竇狀腔隙，形狀不規則，管徑大小不一
受體的主要分類
根據受體在細胞中的位置，將其分為細胞表面受體和細胞內受體兩大類。受體本身至少含有兩個活性部位：一個是識別并結合配體的活性部位；另一個是負責產生應答反應的功能活性部位，這一部位只有在與配體結合形成二元復合物并變構后才能產生應答反應，由此啟動一系列的生化反應，最終導致靶細胞產生生物效應。1.細胞膜受體大
可控硅器件的概念
晶閘管又叫可控硅(Silicon Controlled?Rectifier, SCR)。自從20世紀50年代問世以來已經發展成了一個大的家族，它的主要成員有單向晶閘管、雙向晶閘管、光控晶閘管、逆導晶閘管、可關斷晶閘管、快速晶閘管，等等。 可控硅器件是一種非常重要的功率器件，可用來做高電壓和高電
可控硅的結構原件
可控硅是P1N1P2N2四層三端結構元件，共有三個PN結，分析原理時，可以把它看作由一個PNP管和一個NPN管所組成，雙向可控硅：雙向可控硅是一種硅可控整流器件，也稱作雙向晶閘管。這種器件在電路中能夠實現交流電的無觸點控制，以小電流控制大電流，具有無火花、動作快、壽命長、可靠性高以及簡化電路結構
可控硅的常用封裝形式
常用可控硅的封裝形式有TO-92、TO-126、TO-202AB、TO-220、TO-220AB、TO-3P、SOT-89、TO-251、TO-252等。
可控硅的常用封裝形式
常用可控硅的封裝形式有TO-92、TO-126、TO-202AB、TO-220、TO-220AB、TO-3P、SOT-89、TO-251、TO-252等。
可控硅的基本結構簡介
大家使用的是單向晶閘管，也就是人們常說的普通晶閘管，它是由四層半導體材料組成的，有三個PN結，對外有三個電極〔圖2(a）〕：第一層P型半導體引出的電極叫陽極A，第三層P型半導體引出的電極叫控制極G，第四層N型半導體引出的電極叫陰極K。從晶閘管的電路符號可以看到，它和二極管一樣是一種單方向導電的器
可控硅的相關用途介紹
普通晶閘管最基本的用途就是可控整流。大家熟悉的二極管整流電路屬于不可控整流電路。如果把二極管換成晶閘管，就可以構成可控整流電路。以最簡單的單相半波可控整流電路為例，在正弦交流電壓U2的正半周期間，如果VS的控制極沒有輸入觸發脈沖Ug，VS仍然不能導通，只有在U2處于正半周，在控制極外加觸發脈沖U
可控硅的電流相關參數
⒈ 額定通態電流（IT）即最大穩定工作電流，俗稱電流。常用可控硅的IT一般為一安到幾十安。 ⒉反向重復峰值電壓（VRRM）或斷態重復峰值電壓（VDRM），俗稱耐壓。常用可控硅的VRRM/VDRM一般為幾百伏到一千伏。 ⒊ 控制極觸發電流（IGT），俗稱觸發電流。常用可控硅的IGT一般為幾
可控硅元件的結構介紹
不管可控硅的外形如何,它們的管芯都是由P型硅和N型硅組成的四層P1N1P2N2結構.見圖1.它有三個PN結(J1、J2、J3),從J1結構的P1層引出陽極A,從N2層引出陰級K,從P2層引出控制極G,所以它是一種四層三端的半導體器件。
可控硅的定義和結構
可控硅，是可控硅整流元件的簡稱，是一種具有三個PN 結的四層結構的大功率半導體器件，亦稱為晶閘管。具有體積小、結構相對簡單、功能強等特點，是比較常用的半導體器件之一。該器件被廣泛應用于各種電子設備和電子產品中，多用來作可控整流、逆變、變頻、調壓、無觸點開關等。
可控硅的測量方法
鑒別可控硅三個極的方法很簡單，根據P-N結的原理，只要用萬用表測量一下三個極之間的電阻值就可以。 陽極與陰極之間的正向和反向電阻在幾百千歐以上，陽極和控制極之間的正向和反向電阻在幾百千歐以上（它們之間有兩個P-N結，而且方向相反，因此陽極和控制極正反向都不通）。 控制極與陰極之間是一個P-N
可控硅的觸發條件
過零觸發-一般是調功，即當正弦交流電交流電電壓相位過零點觸發，必須是過零點才觸發，導通可控硅。 非過零觸發-無論交流電電壓在什么相位的時候都可觸發導通可控硅，常見的是移相觸發，即通過改變正弦交流電的導通角（角相位），來改變輸出百分比。
融合基因的主要分類
根據構成融合基因的種類，可以將融合基因分為四大類：（1）由報告基因和功能基因構成的融合基因。常用的報告基因有：GFP（綠色熒光蛋白）基因、GUS基因、LacZ基因和Luciferasese（蟲熒光素酶）基因等，主要目的是對功能基因進行示蹤，研究其功能及特性。 （2）由信號肽或單體蛋白的序列與功能基因