什么是半導體異質結
半導體異質結構一般是由兩層以上不同材料所組成，它們各具不同的能帶隙。這些材料可以是GaAs之類的化合物，也可以是Si-Ge之類的半導體合金。按異質結中兩種材料導帶和價帶的對準情況可以把異質結分為Ⅰ型異質結和Ⅱ型異質結兩種，兩種異質結的能帶結構異質結圖冊，I型異質結的能帶結構是嵌套式對準的,窄帶材料的導帶底和價帶頂都位于寬帶材料的禁帶中，ΔEc和ΔEv的符號相反，GaAlAs/GaAs和InGaAsP/InP都屬于這一種。在Ⅱ型異質結中，ΔEc和ΔEv的符號相同。具體又可以分為兩種:一種所示的交錯式對準，窄帶材料的導帶底位于寬帶材料的禁帶中，窄帶材料的價帶頂位于寬帶材料的價帶中。另一種如圖1(c)所示窄帶材料的導帶底和價帶頂都位于寬帶材料的價帶中Ⅱ型異質結的基本特性是在交界面附近電子和空穴空間的分隔和在自洽量子阱中的局域化。由于在界面附近波函數的交疊，導致光學矩陣元的減少，從而使輻射壽命加長，激子束縛能減少。由于光強和外加電場會強......閱讀全文
什么是半導體異質結
半導體異質結構一般是由兩層以上不同材料所組成，它們各具不同的能帶隙。這些材料可以是GaAs之類的化合物，也可以是Si-Ge之類的半導體合金。按異質結中兩種材料導帶和價帶的對準情況可以把異質結分為Ⅰ型異質結和Ⅱ型異質結兩種，兩種異質結的能帶結構異質結圖冊，I型異質結的能帶結構是嵌套式對準的,窄帶材料的
什么是半導體異質結
半導體異質結構一般是由兩層以上不同材料所組成，它們各具不同的能帶隙。這些材料可以是GaAs之類的化合物，也可以是Si-Ge之類的半導體合金。按異質結中兩種材料導帶和價帶的對準情況可以把異質結分為Ⅰ型異質結和Ⅱ型異質結兩種，兩種異質結的能帶結構異質結圖冊，I型異質結的能帶結構是嵌套式對準的,窄帶材料的
什么是同質結與異質結
1、同質結就是同一種半導體形成的結，包括pn結、pp結、nn結。2、異質結是一種特殊的PN結，由兩層以上不同的半導體材料薄膜依次沉積在同一基座上形成，這些材料具有不同的能帶隙，它們可以是砷化鎵之類的化合物，也可以是硅-鍺之類的半導體合金。半導體異質結構的二極管特性非常接近理想二極管。另外，通過調節半
什么是雙異質結(DH)激光器
下圖為雙異質結(DH)平面條形結構，這種結構由三層不同類型半導體材料構成，不同材料發射不同的光波長。圖中標出所用材料和近似尺寸。結構中間有一層厚0.1~0.3 μm的窄帶隙P型半導體，稱為有源層；兩側分別為寬帶隙的P型和N型半導體，稱為限制層。三層半導體置于基片(襯底)上，前后兩個晶體解理面作為反射
HIT異質結電池是什么電池？
HIT異質結電池是指采用HIT結構的硅太陽能電池，所謂HIT結構就是在晶體硅片上沉積一層非摻雜（本征）氫化非晶硅薄膜和一層與晶體硅摻雜種類相反的摻雜氫化非晶硅薄膜，采取該工藝措施后，改善了PN結的性能。因而使轉換效率達到25%以上，開路電壓達到729mV，并且全部工藝可以在200℃以下實現。HIT異
半導體異質結隧穿電子調控機制研究取得進展
中科院上海技物所紅外科學與技術重點實驗室胡偉達、苗金水團隊與賓州大學德普·賈瑞拉教授合作，通過耦合局域場調控二維原子晶體能帶，實現硒族半導體/硅半導體異質結隧穿電子的有效操控，為混合維度異質結構在高性能電子與光電子器件研制方面提供了理論與實驗基礎。相關成果于2022年10月28日以“Heteroju
異型異質結單異質結激光器的結構特點
特點：P-N結區較大，且電子或空穴向結區外擴散嚴重，使形成粒子數反轉較難，要求泵浦電流較大，且只能以脈沖方式工作。是早期的半導體激光器，目前已不采用此類結構。
什么是AFP異質體？
甲胎蛋白(Alpha-fetoprotein, AFP)是一種含有2條復合糖鏈的胚源性糖蛋白，60年代起，就將其作為肝臟惡性腫瘤的標志物。許多兒科疾病能引起AFP升高，但不同疾病導致的AFP升高，由于來源不同，其分子在糖鏈結構的亞結構上表現不同。這種結構上的差異，常稱AFP異質體(Alpha-fet
什么是輕度核異質？
多由慢性炎癥細胞刺激而引起，又稱炎癥核異質。細胞核輕度增大，較正常細胞大0.5倍左右，并有輕度至中度畸形，染色質輕度增多，染色稍加深，核胞質比尚在正常范圍內。多見于鱗狀上皮中、表層細胞。
形成異質結真空能級為什么會彎曲
1.上升下降是相對的,當電勢在p和n兩邊都有降低時（一般都是這樣,單邊突變結某一邊將的更多）,那接觸時就是p上升,n下降2.真空能級未變3.異質結看費米能級,保持接觸點能級位置升降到兩邊費米能級一致即可
在半導體異質結隧穿電子調控機制研究中取得進展
中國科學院上海技術物理研究所紅外科學與技術重點實驗室胡偉達、苗金水團隊，與美國賓夕法尼亞大學教授德普·賈瑞拉合作，通過耦合局域場調控二維原子晶體能帶，實現硒族半導體/硅半導體異質結隧穿電子的有效操控，為混合維度異質結構在高性能電子與光電子器件研制方面奠定了理論與實驗基礎。10月28日，相關研究成
什么是遺傳異質性？
異質性是遺傳學概念，一種遺傳性狀可以由多個不同的遺傳物質改變所引起。遺傳異質性(genetic heterogeneity)分為基因座異質性和等位基因異質性。基因座異質性病是由不同基因座的基因突變引起的，如先天性聾啞有常染色體隱性遺傳、常染色體顯性遺傳和X連鎖隱性遺傳3種遺傳方式。屬于常染色體隱性遺
同型異質結的結構特點
特點：（1）同質PN結兩邊具有相同的帶隙結構和相同的光學性能。（2）PN結區完全由載流子的擴散形成。
福建物構所半導體納米異質結光催化材料研究取得進展
不同反應階段SnO2/α-Fe2O3半導體異質結的SEM圖(a)反應30分鐘；(b)反應100分鐘；(c)反應120分鐘；(d)反應180分鐘 異質結通常由兩種不同的半導體單晶材料通過異質外延生長復合而成，具有不同于單一半導體的理化特性。由于納米效應，納米尺度的半
什么是半導體？
半導體（semiconductor）指常溫下導電性能介于導體與絕緣體之間的材料。
什么是細胞重組結？
中文名稱重組結英文名稱recombination nodule定 義減數分裂前期Ⅰ的粗線期階段，聯會復合體上形成的球形或橢圓形結構。直徑約90 nm，內含蛋白質等，與染色體交叉、交換有關。應用學科細胞生物學（一級學科），細胞周期與細胞分裂（二級學科）
光伏駛入“異質結”新賽道
提升電池轉化效率、降低發電成本一直是光伏企業的必修課題。不久前，愛康科技長興基地第一片異質結電池試樣生產正式下線，電池片轉換效率達到了24.59%，高于目前光伏主流技術產品PERC（發射極和背面鈍化電池）的近2%。 異質結電池全稱為晶體硅異質結太陽電池，由于其在晶體硅上沉積了非晶硅薄膜，因此具備
HIT異質結電池的技術優點
HIT異質結電池的優點1．應用范圍廣泛：大量利用在太陽能板、城市公共交通、通訊設備、電力安裝工程、國防科技或是在遠洋航行、國內航空不同經濟領域，HIT異質結電池都具有了不能缺失的重要作用。2．效率提升潛力高：HIT異質結電池采用的N型硅片具有較高的少子壽命，非晶硅鈍化處理的對應結構同樣也可以取得較低
什么是半導體材料？
半導體材料（semiconductormaterial）是導電能力介于導體與絕緣體之間的物質。半導體材料是一類具有半導體性能、可用來制作半導體器件和集成電的電子材料，其電導率在10（U-3）～10（U-9）歐姆/厘米范圍內。
中科大設計合成出新型多形體硫化物半導體納米異質結
近日，中國科學技術大學教授俞書宏課題組與李震宇課題組合作，在多形體硫化物半導體的設計合成及光電轉換應用方面取得了新進展。研究成果以封面論文發表在9月26日出版的《美國化學會志》(J. Am. Chem. Soc. 2016,138(39), 12913-12919)上，并被JACS Spotli
半導體所在納米點棒異質結超低頻拉曼光譜研究中獲進展
膠體半導體納米微晶，如CdSe納米點、CdS納米棒因其光致發光和光致發光效率很高且發射波長的粒徑可調等優良光學和電學性質而在光電器件等方面有重要應用。目前這些應用已經拓展到了激光二極管、激光器、顯示屏以及生物標記等領域。將納米點和納米棒進行組裝可以得到納米點棒異質結，不同類型的材料組合可以得到不
異質結激光器的結構功能
中文名稱異質結激光器英文名稱heterostructure laser定 義有源區為窄直接帶隙半導體材料，限制層為寬帶隙半導體材料所形成的三層結構二極管激光器。應用學科材料科學技術（一級學科），半導體材料（二級學科），半導體微結構材料及器件（三級學科）
異質結激光器的功能介紹
中文名稱異質結激光器英文名稱heterostructure laser定 義有源區為窄直接帶隙半導體材料，限制層為寬帶隙半導體材料所形成的三層結構二極管激光器。應用學科材料科學技術（一級學科），半導體材料（二級學科），半導體微結構材料及器件（三級學科）
科學家制備范德華異質結
北京高壓科學研究中心研究員李闊、鄭海燕課題組通過偶氮苯分子晶體的高壓拓撲聚合反應，首次合成了有序的范德華碳氮納米帶異質結。相關結果3月16日發表于《美國化學會志》。圖片來源：《美國化學會志》范德華異質結是由兩種或兩種以上具有不同化學成分、結構或性質的材料通過范德華力結合而成的人工納米結構，因其獨特的
搭建異質結會調低帶隙嗎
異質結特點: 1)界面處出現能帶的突起和凹陷,可以促進或阻擋載流子。 2)界面處存在局域態,起到復合和俘獲中心的作用。 3)兩側材料帶隙寬度不...
搭建異質結會調低帶隙嗎
異質結特點: 1)界面處出現能帶的突起和凹陷,可以促進或阻擋載流子。 2)界面處存在局域態,起到復合和俘獲中心的作用。 3)兩側材料帶隙寬度不...
異質結材料拉曼峰分裂原因
振動或轉動。異質結材料拉曼峰分裂原因是由于分子之間振動，轉動造成的。利用拉曼光譜研究了四碘化鍺分子晶體在高壓下的變化，發現壓力導致了拉曼峰的分裂。
怎樣判斷構成z型還是異質結
Z型異質結的結構為n型半導體和p型半導體交替排列。Z型異質結的主要輸運方式是漂移運動。通常形成異質結的條件是:兩種半導體有相似的晶體結構、相近的原子間距和熱膨脹系數。
怎樣判斷構成z型還是異質結
Z型異質結的結構為n型半導體和p型半導體交替排列。Z型異質結的主要輸運方式是漂移運動。通常形成異質結的條件是:兩種半導體有相似的晶體結構、相近的原子間距和熱膨脹系數。
什么是半導體封裝測試
1、半導體生產流程由晶圓制造、晶圓測試、芯片封裝和封裝后測試組成。半導體封裝測試是指將通過測試的晶圓按照產品型號及功能需求加工得到獨立芯片的過程。2、封裝過程為：來自晶圓前道工藝的晶圓通過劃片工藝后，被切割為小的晶片（Die），然后將切割好的晶片用膠水貼裝到相應的基板（引線框架）架的小島上，再利用超