美科學家開發出寬度5納米憶阻器
上世紀60年代，英特爾公司創始人之一戈登·摩爾提出了著名的摩爾定律：集成電路上可容納的晶體管數目，約每隔18個月便會增加一倍，性能也將提升一倍。然而，芯片的進一步小型化遇到越來越多的技術局限。在傳統硅芯片技術上所能取得的進步受到物理法則和資金的限制也越來越嚴重，有人以為看到了集成電路技術的天花板，于是便開始輕狂地對摩爾大叔說三道四。 然而，據美國《紐約時報》8月30日報道，美國萊斯大學和惠普公司的科學家報告稱，他們在憶阻器的研制上取得了新的進展，掃清了橫亙在計算機存儲器微型化道路上的一些障礙，讓計算機存儲器可以繼續朝著微型化的方向一路小跑，續寫摩爾定律的同時也有望給消費電子領域帶來重大革新。 憶阻器：更小更強大 憶阻器又名記憶電阻，是一種被動電子元件，憶阻器被認為是電路的第四種基本元件，僅次于電阻器、電容器及電感元件。憶阻器在關掉電源后，仍能“記憶”通過的電荷。兩組憶阻器能產生與晶體管相同的......閱讀全文
訪《科學》論文作者：橫空出世的半浮柵晶體管
8月9日出版的《科學》(Science)雜志刊發了復旦大學微電子學院張衛課題組最新科研論文，該課題組提出并實現了一種新型的微電子基礎器件：半浮柵晶體管(SFGT，Semi-Floating-Gate Transistor)。這是我國科學家在該頂級學術期刊上發表的第一篇微電子器件領域的原創性成
最小單原子晶體管室溫操作－金屬構成能耗極低
?? 8月14日，德國卡爾斯魯厄理工學院托馬斯·希梅爾教授領導的團隊開發出了單原子晶體管——一種利用電流控制單個原子位移實現開關的量子電子元件。單原子晶體管可在室溫下操作，并消耗很少電能，這為未來信息技術開辟了新的應用前景。這項成果已被刊登在《先進材料》雜志上。 數字化對能源有巨大需求，在工業化國
德國開發出世界最小單原子晶體管
德國卡爾斯魯厄理工學院托馬斯·希梅爾教授領導的團隊開發出了單原子晶體管——一種利用電流控制單個原子位移實現開關的量子電子元件。單原子晶體管可在室溫下操作，并消耗很少電能，這為未來信息技術開辟了新的應用前景。這項成果已被刊登在《先進材料》雜志上。 數字化對能源有巨大需求，在工業化國家中，信息技術
美科學家開發出寬度5納米憶阻器
上世紀60年代，英特爾公司創始人之一戈登·摩爾提出了著名的摩爾定律：集成電路上可容納的晶體管數目，約每隔18個月便會增加一倍，性能也將提升一倍。然而，芯片的進一步小型化遇到越來越多的技術局限。在傳統硅芯片技術上所能取得的進步受到物理法則和資金的限制也越來越嚴重，有人以為看到了集成電
《納米快報》：美科學家開發出寬度5納米憶阻器
上世紀60年代，英特爾公司創始人之一戈登·摩爾提出了著名的摩爾定律：集成電路上可容納的晶體管數目，約每隔18個月便會增加一倍，性能也將提升一倍。然而，芯片的進一步小型化遇到越來越多的技術局限。在傳統硅芯片技術上所能取得的進步受到物理法則和資金的限制也越來越嚴重，有人以為看到了集成電路技
Science發文！我國學者“存儲—計算一體化器件”研究新成果
在國家自然科學基金項目（61974050、61725505和61905266）等資助下，華中科技大學葉鐳副教授與中國科學院上海技術物理研究所胡偉達研究員等合作團隊，在存儲—計算一體化器件研究方面取得進展。研究成果以“基于二維材料的面向神經形態硬件的同質晶體管-存儲器結構（2D materials
認識晶體管
晶體管原理及應用晶體管全稱雙極型三極管（Bipolar junction transistor，BJT）又稱晶體三極管，簡稱三極管，是一種固體半導體器件，可用于檢波、整流、放大、開關、穩壓、信號調制等。晶體管作為一種可變開關．基于輸入的電壓，控制流出的電流，因此晶體管可用作電流的開關。和一般
“超級光盤”存儲器問世
原文地址：http://news.sciencenet.cn/htmlnews/2024/2/517834.shtm上海理工大學光子芯片研究院顧敏院士、中國科學院上海光學精密機械研究所阮昊研究員、上海理工大學光電信息與計算機工程學院文靜教授等合作，在國際上首次利用雙光束調控聚集誘導發光超分辨光存儲技
碳納米晶體管性能首次超越硅晶體管
據美國威斯康星大學麥迪遜分校官網近日報道，該校材料學家成功研制的1英寸大小碳納米晶體管，首次在性能上超越硅晶體管和砷化鎵晶體管。這一突破是碳納米管發展的重大里程碑，將引領碳納米管在邏輯電路、高速無線通訊和其他半導體電子器件等技術領域大展宏圖。 碳納米管管壁只有一個原子厚，是最好的導電材料之一，
晶體管圖示儀
半導體管圖示儀是一種用示波管顯示半導體器件的各種特性曲線的儀器，并可測量低頻靜態參數。是從事半導體管研究制造及無線電領域工作者的一種必不可少的儀器。具有雙簇顯示功能特有場效應管配對和測試功能,5kV高壓測試臺。 技術參數： 集電極范圍 20uA/DIV～1A/DIV 分15檔，誤差不
美研制新型非易失性鐵電存儲設備
據美國物理學家組織網近日報道，美國科學家們正在研制一種新的計算機存儲設備——鐵電晶體管隨機存取存儲器（FeTRAM），其將比現在的商用存儲設備更快捷，且比占主流的閃存能耗更低。研究發表在美國化學學會的《納米快報》雜志上。 這種最新的存儲設備將由硅納米線和鐵電聚合物集合而成。鐵
阻變存儲器是什么？
伴隨著科學的發展和技術的進步，新的存儲器不斷被提出并被應用于現今社會，在今天，電阻存儲器的研究已經非常普遍，因為電阻存儲器[36-39]具有其本身非常大的優點，具體地說，首先它具有非常大的存儲密度，因為電阻存儲器采用的是納米技術工藝，也就是說在幾十納米的數量級范圍內對器件進行設計和構造，所以它具
阻變存儲器是什么？
伴隨著科學的發展和技術的進步，新的存儲器不斷被提出并被應用于現今社會，在今天，電阻存儲器的研究已經非常普遍，因為電阻存儲器[36-39]具有其本身非常大的優點，具體地說，首先它具有非常大的存儲密度，因為電阻存儲器采用的是納米技術工藝，也就是說在幾十納米的數量級范圍內對器件進行設計和構造，所以它具有非
美制造出超小型單電子晶體管
據美國物理學家組織網4月19日（北京時間）報道，由美國匹茲堡大學領導的一個研究小組日前宣布，他們制造出了一種核心組件直徑只有1.5納米的超小型單電子晶體管。該裝置是制造下一代低功耗、高密度超大規模集成電路理想的基本器件，具有極為廣泛的應用價值。相關論文發表在最新一期《自然·納米技術
晶體管類型要用對
晶體管當作開關使用，已是司空見慣的事情了，今天硬是要找點話題來講講，且聊聊在接GND和接VCC的開關電路中，用不同類型的晶體管究竟會產生什么樣不同的影響？一、圖例說明（圖片來自《電子電氣工程師必知必會》）二、原理分析圖3－4，人個覺得兩種控制電路都可用，只是左邊電路設計會存在一些問題，故曰不
微波晶體管相關簡介
在微波波段工作的晶體管。微波波段指頻率在300兆赫～300吉赫的電磁波譜。按功能分類，微波晶體管包括微波低噪聲晶體管和微波大功率晶體管。按結構分類，微波晶體管可分為雙極型晶體管和場效應晶體管。 由于工作頻率高，微波晶體管必須具有微米或亞微米的精細幾何尺寸。隨著薄層外延技術、淺結擴散或離子注入技
微波低噪聲晶體管
主要用于微波通信、衛星通信、雷達、電子對抗以及遙測、遙控系統中的接收機前置放大器。微波晶體管的噪聲越低,接收機的靈敏度越高,這些系統的作用距離越大。 雙極型晶體管的噪聲來源有：熱噪聲、散彈噪聲、分配噪聲和1/ 噪聲（也稱閃爍噪聲）。場效應晶體管是多數載流子器件，故不存在少數載流子引起的散彈噪聲
IBM研發出新石墨烯晶體管
據美國物理學家組織網4月11日報道，IBM公司的科學家林育明（音譯）等人在4月8日出版的《自然》雜志撰文指出，他們研發出了新的石墨烯晶體管，其截止頻率為155GHz（吉赫），比去年2月推出的100GHz石墨烯晶體管的速度增加了50%，而且塊頭更小。 石墨烯是只有一個碳原子厚
半導體器件有哪些分類
現在被稱作半導體器件的種類如下所示。按照其制造技術可分為分立器件半導體、光電半導體、邏輯IC、模擬IC、存儲器等大類，一般來說這些還會被再分成小類。此外，IC除了在制造技術上的分類以外，還有以應用領域、設計方法等進行分類，最近雖然不常用，但還有按照IC、LSI、VLSI（超大LSI）及其規模進行分類
細菌DNA序列可作信息“存儲器”
阿根廷科學家近日成功將該國國歌旋律以人工基因編碼形式植入某種細菌染色體中。這一方法不僅可以用來存儲音樂旋律，還可能發展為一種擁有巨大應用潛力的信息存儲方式。 據阿根廷媒體報道，主持研究的阿根廷信息生物學家費德里克·普拉達介紹說，生物的DNA(脫氧核糖核酸)由四種脫氧核苷酸組成，即腺嘌呤、胸
自旋分子存儲器研究獲進展
經典的馮·諾依曼計算機架構中，數據存儲與處理分離。由于指令、數據在存儲器和處理器之間的高頻轉移，導致計算機發展的“存儲墻瓶頸”與“功耗墻瓶頸”。能否模仿人類的大腦，構建新型器件實現計算和存儲一體化，完成低功耗的復雜并行計算？ 理論提出的自旋場效應晶體管（自旋FET）同時具有實現數據存儲和處理的
存儲器大突破，迄今密度最高！
機構預計今年上半年存儲周期觸底復蘇，行業存儲龍頭有望迎業績反轉。 迄今最高存儲密度器件面世 據科技日報，美國南加州大學電氣和計算機工程教授楊建華及合作者在最新一期《自然》雜志上刊發論文稱，他們已經為邊緣人工智能（便攜式設備內的人工智能）開發出了迄今存儲密度最高的新型器件和芯片，有望在便攜式設
激光讓玻璃變身新式存儲器
據英國《每日電訊報》8月15日（北京時間）報道，英國科學家首次研發出了玻璃存儲器。這種存儲器塊頭小，存儲能力強，而且，壽命長達幾千年，大型機構和公司的海量信息今后可以長時間安全存儲其中。相關研究發表在最新一期《應用物理學快報》雜志上。 英國南安普敦大學的科學家使用激光讓玻璃塊
耐600℃高溫存儲器問世
科技日報北京5月5日電?（記者劉霞）美國賓夕法尼亞大學科學家研制出一款可在600℃高溫下持續工作60小時的存儲器。這一耐受溫度是目前商用存儲設備的兩倍多，表明該存儲器具有極強的可靠性和穩定性，有望在可導致電子或存儲設備故障的極端環境下大顯身手，也為在惡劣條件下進行密集計算的人工智能系統奠定了基礎。相
SOT型磁性存儲器研究領域
近日，中國科學院微電子研究所微電子器件與集成技術重點實驗室在SOT型磁性存儲器（MRAM）研究領域取得進展。 實現低功耗、高穩定的數據寫入操作是MRAM亟需解決的關鍵問題之一，其中，消除寫入電流的非對稱性對于實現寫入過程的穩定可控以及簡化供電電路設計十分重要。STT-MRAM（Spin-Tra
美國：全新“負電容”晶體管－為高效晶體管研發帶來希望
2008年，美國普渡大學的一個研究團隊曾提出利用負電容原理制造新型低功耗晶體管的概念。近日，加州大學伯克利分校的研究人員通過實驗對這一概念進行了驗證演示。研究人員利用一層極薄的二硫化鉬二維材料半導體層作為臨近晶體管柵極的溝道。然后，利用鐵電材料氧化鋯鉿制作新型負電容柵極的關鍵組件。該研究內已于2
美國科學家將邏輯與存儲芯片結合構建“多層”芯片
斯坦福大學工程師開發出的四層“多層芯片”原型。底層和頂層是邏輯晶體管，中間是兩層存儲芯片層。垂直的管子是納米級的電子“電梯”，連接邏輯層和存儲層，讓它們能一起工作解決問題。 左邊是目前的單層電路卡，邏輯與存儲芯片分隔在不同區，通過電線連接。就像城市街道，由于數據在邏輯區和存儲區來來回回地傳輸，
3D碳納米管計算機芯片問世
美國研究人員表示，他們使用碳納米管替代硅為原料，讓存儲器和處理器采用三維方式堆疊在一起，降低了數據在兩者之間的時間，從而大幅提高了計算機芯片的處理速度，運用此方法研制出的3D芯片的運行速度有可能達到目前芯片的1000倍。 研究人員之一、斯坦福大學電子工程學博士候選人馬克斯·夏拉克爾解釋道，阻
儲存和存儲器的不同特性比較
目前最廣泛使用的數字儲存裝置是硬盤（HDD），但它受歡迎的程度正迅速下滑…數字數據儲存正歷經強大的成長態勢，2016年即已增加到超過10，000艾位元組（Exabyte；EB）或10皆位元組（Zettabyte；ZB）的電子數據。值得一提的是，在位元的次方單位表中，目前只剩下“佑位元組”（Y
納米紙有機晶體管問世
近日，同濟大學材料科學與工程學院教授黃佳、美國馬里蘭大學材料科學與工程系教授Hu Liangbing等共同完成的研究論文《全透明可彎曲納米紙晶體管》，在線發表于納米科學技術領域權威期刊ACS Nano。 “透明化、可彎曲是電子產品未來發展的兩個重要方向。這一成果最大的創新點，是將全透明