元素半導體的結構
具有半導體特性的元素，如硅、鍺、硼、硒、碲、碳、碘等組成的材料。其導電能力介乎導體和絕緣體之間。主要采用直拉法、區熔法或外延法制備。工業上應用最多的是硅、鍺、硒。用于制作各種晶體管、整流器、集成電路、太陽能電池等方面。其他硼、碳（金剛石、石墨）、碲、碘及紅磷、灰砷、灰銻、灰鉛、硫也是半導體，但都尚未得到應用。......閱讀全文
元素半導體的結構
具有半導體特性的元素，如硅、鍺、硼、硒、碲、碳、碘等組成的材料。其導電能力介乎導體和絕緣體之間。主要采用直拉法、區熔法或外延法制備。工業上應用最多的是硅、鍺、硒。用于制作各種晶體管、整流器、集成電路、太陽能電池等方面。其他硼、碳（金剛石、石墨）、碲、碘及紅磷、灰砷、灰銻、灰鉛、硫也是半導體，但都尚未
元素半導體的結構特性
元素半導體（element semiconductor）是由同種元素組成的具有半導體特性的固體材料，即電阻率約為10-5～107Ω·cm，微量雜質和外界條件變化都會顯著改變其導電性能的固體材料。周期表中，金屬和非金屬元素之間有十二種具有半導體性質的元素，硼(B)、金剛石(C)、硅(Si)、鍺(Ge)
元素半導體的概念
元素半導體指以單一元素組成的半導體，屬于這一材料的有硼、鍺、硅、灰錫、銻、硒、碲等，其中以鍺、硅、錫研究較早，制備工藝相對成熟。
元素半導體的基本特性
典型的半導體材料居于Ⅳ-A族，它們都具有明顯的共價鍵；都以金剛石型結構結晶；它們的帶隙寬度隨原子序數的增加而遞減，其原因是其鍵合能隨電子層數的增加而減小。V-A族都是某一種同素異形體具有半導體性質，其帶隙寬度亦隨原子序數的增加而減小。
硅元素半導體的應用介紹
硅以其優越的物理性質、成熟而較為容易的制備方法以及地球上豐富的資源而成為當前應用最為廣泛的元素半導體。硅在地殼中的資源含量約為27%，因而自20世紀50年代末起，隨著提純和晶體生長技術以及硅平面工藝的發展，硅很快就在半導體工業中取代了鍺的位置。到目前為止，二極管、晶體管和集成電路的制造，仍然是半導體
硅和鍺元素半導體的應用介紹
硅和鍺是我們最熟悉的元素半導體。鍺是最早實現提純和完美晶體生長，并最早用來制造晶體管的半導體材料。但是，由于鍺的禁帶較窄，鍺器件的穩定工作溫度遠不如硅器件高，加之資源有限，其重要地位早在半導體工業發展初期就被硅所取代。目前，鍺僅以其較高的載流子遷移率和在某些重摻雜情況下的高度紅外敏感特性，在低頻小功
鹵族元素的元素性質原子結構特征
原子結構特征最外層電子數相同，均為7個電子，由于電子層數不同，原子半徑不同，從F～I原子半徑依次增大，因此原子核對最外層的電子的吸引能力依次減弱，從外界獲得電子的能力依次減弱，單質的氧化性減弱。相似性鹵素的化學性質都很相似，它們的最外電子層上都有7個電子，有取得一個電子形成穩定的八隅體結構的鹵離子的
關于局限半導體結構的研究
基于半導體材料的量子光學設計在量子密碼學以及量子通訊應用及研究中發揮著越來越重要的作用。在本應用文檔中，我們將介紹砷化鎵的激子化激元以及砷化銦量子點的光譜學測量。所有的實驗都是在4~60K的制冷溫度下進行的。 相對于光之間直接作用，電控制光學器件顯得非常的簡單。因此，在量子光學中，依然通過把光變
非晶半導體的結構特點
非晶半導體與其他非晶材料一樣，是短程有序、長程無序結構。我們以非晶硅為例，說明非晶半導體的結構。共價鍵晶體有確定的鍵長和鍵角，A原子近鄰有4個Si原子，B原子除了和A原子形成一個共價鍵外，還與另外3個原子形成共價鍵，以虛線來表示。在不改變相鄰兩鍵間的鍵角情況下，可以繞AB軸旋轉，以改變虛線聯結的3個
半導體測試系統結構說明
半導體測試系統由三大部分組成，包括測量與控制、調理與路由、溫度環境。半導體測試系統測量與控制部分是整個系統的核心，主要組成硬件有LCR表，數字萬用表，耐壓儀，漏電流測試儀、示波器、信號發生器、功率發生器、精密編程電源等儀器。所有的硬件測量與控制資源通過信號調理和大規模的矩陣路由接入溫度控制環境中，
要成為半導體－元素－，必要條件要什么
半導體的元素必要條件多元也復雜，唯有三個基本要件必定要先通過：1.隨手可得2.提錬純度極高3.可以混入可容雜質。
氧族元素的原子結構
原子序數元素電子層結構8氧2, 616硫2, 8, 634硒2, 8, 18, 652碲2, 8, 18, 18, 684釙2, 8, 18, 32, 18, 6116鉝2, 8, 18, 32, 32, 18, 6相同點·原子最外層有6個電子·反應中易得到2個電子·表現氧化性不同點·除氧外其它氧族
鋰元素的結構和應用特點
鋰（Lithium）是一種金屬元素，位于元素周期表的第二周期IA族，元素符號為Li，它的原子序數為3，原子量為6.941，對應的單質為銀白色質軟金屬，也是密度最小的金屬。其熔點為180.5 ℃，沸點為1342 ℃，比熱容為3.58 kJ/kg·K，可溶于硝酸、液氨等溶液，可與水反應。鋰常用于原子反應
碳氫元素分析儀儀器結構
DYCH-2008A型碳輕元素分析儀包括凈化系統、燃燒裝置和吸收系統三個主要部分。1、凈化系統由氣體干燥塔和流量計構成，氣體干燥塔容量500mL，流量計測量范圍0～150mL/min。2、燃燒裝置由一個三節管式爐及其控溫系統構成。三個電爐都可在軌道上水平移動，并可徑向開啟45°，爐體內兩個平行的管式
半導體壓力傳感器的結構功能
常用的半導體壓力傳感器選用N 型硅片作為基片。先把硅片制成一定幾何形狀的彈性受力部件，在此硅片的受力部位，沿不同的晶向制作四個P型擴散電阻,然后用這四個電阻構成四臂惠斯登電橋，在外力作用下電阻值的變化就變成電信號輸出。這個具有壓力效應的惠斯登電橋是壓力傳感器的心臟，通常稱作壓阻電橋（如圖1）。壓
大分子碳結構有機半導體問世
據美國物理學家組織網8月29日報道，一個國際科研團隊首次研制出了一種含巨大分子的有機半導體材料，其結構穩定，擁有卓越的電學特性，而且成本低廉，可被用于制造現代電子設備中廣泛使用的場效應晶體管。科學家們表示，最新突破將會讓以塑料為基礎的柔性電子設備“遍地開花”。相關研究發表在材料科學
銻(Sb)元素的結構特點及污染源
銻(Sb)為銀白色金屬。在自然界中主要以Sb3+、Sb5+和Sb3-形式存在,負三價銻的氫化物毒性劇烈,在自然界中不穩定,易氧化分為金屬和水。而Sb3+和Sb5+在酸至中性介質中易水解沉淀,所以在天然水中的濃度極低,平均約為0.2 μg/L,日本的水環境質量標準規定銻必須在0.002 mg/L以下。
GaN基半導體異質結構中的應力相關效應
GaN基半導體作為光電子材料領域極為重要的材料,其異質結構在器件開發領域得到十分廣泛的應用,目前,影響其未來發展的有幾大關鍵性難題,本質上都與應力場有關,深受大家關注且亟待解決。本論文通過實驗研究和計算模擬,全面深入地考察了GaN基半導體異質結構中應力場的相關效應,分析其復雜性質、闡明其物理機制,進
《納米快報》：一維半導體納米結構光子學
在基金委青年基金、納米重點項目和國家納米測試基金及973課題的支持下，湖南大學納米技術研究中心潘安練、鄒炳鎖教授等團隊成員和北京大學、國家納米中心以及德國馬普研究所合作，在一維半導體納米結構光子學的研究上取得了重大突破：首次正式提出了半導體一維納米結構中光子輸運的概念，建立光傳播的理論模型，并在實驗
元素分析儀能否確定分子結構
不能，元素分析儀只能確定物質的元素種類，元素比例，得到的結果叫物質的實驗式。例如，用元素分析儀分析葡萄糖(C6H12O6),只能得到它的實驗式(CH2O)真正得到分子結構，需要結合核磁共振、質譜分析、紫外光譜等手段。
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鹵族元素的元素特性
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半導體激光器的5大基本組成結構
?? 半導體激光器俗稱為激光二極管，因為其用半導體材料作為工作物質的特性，所以被稱為半導體激光器。通常采用的工作物質有砷化鎵、硫化鎘、磷化銦等，可以作為光纖激光器和固體激光器的泵浦源，也可以直接輸出激光作為光源。隨著半導體技術的不斷深入發展，市場需求不斷轉向。應用領域也不斷發生變化。從小功率設備，發
半導體展會2024半導體展|半導體設備展|2024半導體材料展
深圳電子元器件展，電子儀器儀表展，深圳電子儀器儀表展，電子元器件展，深圳電子設備展，電子設備展，電子元器件展覽會，電子儀器展，深圳電子儀器展，電儀器展覽會，深圳繼電器展，深圳電容器展，深圳連接器展，深圳集成電路展2024中國（深圳）國際半導體與封裝設備展覽會2024 China (Shenzhen)
碳族元素的元素性質
周期律性質主條目：元素周期律碳族元素表現出一定的周期性，從上到下，元素的金屬性增強，非金屬性減弱，+4價化合物穩定性降低，+2價化合物穩定性提高，鉛（Ⅱ）化合物穩定性高于鉛（Ⅳ）。⒈相似性·最外層都有4個電子，化合價主要有+4和+2，易形成共價化合物。·氣態氫化物的通式：RH4·最高價氧化物對應的水
半導體展會2024上海半導體展|半導體設備展|2024半導體材料展
展會名稱：2024中國（上海）國際半導體展覽會英文名稱：China (shanghai) int'l Circuit board & Electronic assembly Show 2024展會時間：2024年11月18-20日?論壇時間：2024年11月18-19日?展會地點：上海新國際
蘇州納米所陣列無機半導體納米結構研究獲系列進展
無機半導體納米結構電極在太陽能電池、光解水及能量存儲等器件中有著非常廣泛的應用。電極的比表面積以及電荷輸運能力是決定這些器件性能的關鍵因素。最近，中國科學院蘇州納米技術與納米仿生研究所研究員封心建課題組在高性能無機半導體納米電極的研究中取得了系列新進展。 電極材料的微觀結構對其電學性能有著重要
1455萬！這家公司中標半導體材料化學結構分析系統
近日，深圳職業技術學院公布半導體材料化學結構分析系統中標結果。安捷倫7900（核心產品）以14550000元的價格中標。
原子吸收光譜儀結構簡單，可測定多種元素
原子吸收光譜法：被測元素基態原子在蒸汽狀態下，外層電子由基態躍遷至激發態，對光源發出的原子特征波長光輻射進行吸收，引起特征波長光輻射的透射光強度減弱。原子吸收光譜法是基于此建立起的元素定量分析的方法，它是測定痕量和超痕量元素的有效方法之一。 通常情況下，原子處于基態。當相當于原子中的電子由
2025深圳半導體展會|半導體材料展會|半導體設備展會|
「官網」2025深圳13屆國際半導體技術展「半導體展會」展會時間：2025年4月9日-11日論壇時間：2025年4月9日-11日舉辦地點：深圳福田會展中心 (深圳市福田中心區福華三路)展會規模：?面積10萬平米，展商1800余家，展位3600多個，觀眾近10萬人次展會報名：136 （李先生）中間四位