WIKI資訊
碳納米管器件和集成電路因速度、功耗等方面優勢，被認為是未來最有可能替代現有硅基集成電路，延續摩爾定理的信息器件技術之一。經過近20年的研究，碳納米管電子學在器件物理、器件制備和優化、簡單集成電路和系統演示方面取得長足進展。 然而，受限于材料和加工工藝問題，碳納米管晶體管的制備規模、成品率和均勻性始終難以達到較高水平，限制了碳納米管集成電路技術進一步向產業化發展。 近期，在北京市科委支持下，北京大學彭練矛教授團隊針對如何將碳納米管從晶體管推向集成電路的世界性難題開展系統研究，取得重大進展。課題組通過對碳納米管材料、器件尺寸與結構、制備工藝的優化，實現了成品率100%的碳納米管晶體管批量制備，使用該材料制備的晶體管已接近商用65 nm技術節點硅基CMOS晶體管的水平；制備出包含140個晶體管的碳納米管四位全加器電路和兩位乘法器電路，是世界上目前集成度最高、復雜性最強的碳納米管集成電路，該電路的研制成功說明碳納米管技術已具備制......閱讀全文
從概念上講，碳納米管是由石墨烯卷曲形成的一維管狀分子，它不僅具有石墨烯優異的力學、熱學性能以及極高的載流子遷移率等特點，而且具有結構可調的能隙結構，表現出優異的電子以及光電子特性，是制備高速、低功耗、高集成度電子和光電子集成回路的理想材料。相對于傳統的Si基半導體器件，碳納米管電子器件的能效能夠
由于碳納米管具有獨特的電學性能、機械性能、優越的物理和化學穩定性以及容易墨水化，使得碳納米管成為印刷薄膜晶體管，尤其是印刷柔性薄膜晶體管最理想的半導體材料之一。盡管半導體碳納米純化技術已日趨成熟，但高純度半導體碳納米管的可印刷墨水批量化制備、碳納米管的準確定位和高性能n型印刷碳納米管晶體管的構建
碳納米管自上世紀90年代初發現以來，已經引起了研究者極大興趣。碳納米管具有金屬性或者半導體性取決于它的手性指數，但是手性指數即電子能帶結構不可控一直是一個難題。由于半導體性與金屬性納米管混存且難以分離，造成了碳納米管納電子學應用的瓶頸。三元B-C-N納米管可被看作是碳納米管晶格中的
IBM的研究人員近期宣布，已經攻克了碳納米管生產中的一個主要挑戰，這將有助于生產出具有商業競爭力的碳納米管設備。 過去幾十年，半導體行業嘗試向單塊計算機芯片中集成更多硅晶體管，從而不斷加強芯片的性能。不過，這一發展很快就將遭遇物理極限。目前，IBM的研究人員表示，憑借“重要的工程突破”，碳納米
納米技術是通過對納米尺度物質的操控來實現材料、器件和系統的創造和利用，例如，在原子、分子和超分子水平上的操控納米技術的發展正越來越成為世界各國科技界所關注的焦點，誰能在這一領域取得領先，誰就能占據21世紀科學的制高點。納米碳材料是指尺度至少有一維小于100納米的碳材料。納米碳材料主要包括四種類型
美國威斯康星大學麥迪遜分校的科學家日前在碳納米管晶體管制造技術上獲得了一項突破。由其開發出的新型高性能碳納米管晶體管成功突破了純度和陣列控制兩大難題，在開關速度上獲得了比普通硅晶體管快1000倍，比此前最快的碳納米管晶體管快100倍的成績。碳納米管晶體管向正式商用邁出了關鍵一步。相關論文發表在《
美國杜克大學和中國北京大學科研人員日前成功制備出半導體型平行單壁碳納米管，從而首次實現了對碳納米管平行性和導電性的同時控制。美國最新一期《納米快報》(Nano Letters)雜志刊登了有關這一成果的論文。 碳納米管韌性高、導電性強、場發射性能優良，應用前景廣闊，有“超級纖維”之稱。根據導
據美國威斯康星大學麥迪遜分校官網近日報道，該校材料學家成功研制的1英寸大小碳納米晶體管，首次在性能上超越硅晶體管和砷化鎵晶體管。這一突破是碳納米管發展的重大里程碑，將引領碳納米管在邏輯電路、高速無線通訊和其他半導體電子器件等技術領域大展宏圖。 碳納米管管壁只有一個原子厚，是最好的導電材料之一，
從概念上講，碳納米管是由石墨烯卷曲形成的一維管狀分子，具有石墨烯優異的力學、熱學性能以及極高的載流子遷移率等特點，并表現出結構可調的電子、光電子特性，在構建下一代高速低功耗、高集成度電子和光電子集成回路方面具有重要的應用前景。然而，碳納米管性質是由其結構決定的。原子排列上的微小差異將導致其性質的
從概念上講，碳納米管是由石墨烯卷曲形成的一維管狀分子，具有石墨烯優異的力學、熱學性能以及極高的載流子遷移率等特點，并表現出結構可調的電子、光電子特性，在構建下一代高速低功耗、高集成度電子和光電子集成回路方面具有重要的應用前景。然而，碳納米管性質是由其結構決定的。原子排列上的微小差異將導致其性質的
據美國物理學家組織網2月2日(北京時間)報道，來自IBM、蘇黎世理工學院和美國普渡大學的工程師近日表示，他們構建出了首個10納米以下的碳納米管(CNT)晶體管，而這種尺寸正是未來十年計算技術所需的。這種微型晶體管能有效控制電流，在極低的工作電壓下，仍能保持出眾的電流密度，甚至可超過同尺
據英國皇家化學學會網站18日報道，美國科學家開發出一種簡單、可行的碳納米管混合物的凈化方式。其可借助紫外線和空氣中的氧生成凈化的半導性納米管，這對發展下一代計算機芯片具有非凡價值。相關文章發表于近期的《納米快報》網絡版。 由于碳納米管具有獨特的形狀和電子性能，極有希望成為未來電子元件制造的
至少過去的五十年時間我們全部的計算機、游戲機、智能手機、汽車、媒體播放器甚至是鬧鐘的處理器核心都是由硅組成的。但是科學家和研究人員現在認為硅晶體處理器即將達到它們的極限。IBM公司的科學家們似乎已經找到了一種真實的方式拋開硅晶體而轉向碳納米管。 碳納米管未來將取代硅成為處理
據物理學家組織網11月26日報道，美國伊利諾伊大學的研究人員開發出了一種能將比頭發絲還細十萬分之一的碳納米管焊接在一起的新技術，完成了世界上最迷你的焊接工程。研究人員稱，該技術有望大幅提高相關設備的性能，為碳納米管的大規模生產和應用提供了可能。相關論文發表在《納米快報》雜志上。 碳納米管又
據美國物理學家組織網6月21日報道，美國新澤西理工學院兩位科學家改進了制造納米電探針的方法，制造出一種碳納米管探針陣列，這項于21日被授予專利（美國專利號7,964,143）的技術改良了現有的診斷工具，使納米電探針能探測到細胞內部電活動的空間變化。 兩位專利人、新澤西理工學
印刷電子技術是最近5年來才在國際上蓬勃發展起來的新興技術與產業領域，印刷電子技術成為當今多學科交叉、綜合的前沿研究熱點。高性能新型印刷電子墨水的研制成為印刷電子技術最關鍵的技術之一。半導體碳納米管與其他半導體材料相比不僅尺寸小、電學性能優異、物理和化學性質穩定性好，而且碳納米管構建的晶體管等電子
美國IBM公司的研究人員近期宣布，已經攻克了碳納米管生產中的一個主要挑戰，這將有助于生產出具有商業競爭力的碳納米管設備。 過去幾十年，半導體行業嘗試向單塊計算機芯片中集成更多硅晶體管，從而不斷加強芯片的性能。不過，這一發展很快就將遭遇物理極限。目前，IBM的研究人員表示，憑借重要的工程突破，
據美國物理學家組織網2月17日（北京時間）報道，最近，科學家研制出了金屬性和半導體性之間平衡達到最優化的新式碳納米管，并使用這種納米管制造出了薄膜晶體管（TFT），未來有望研制出諸如電子書和電子標簽等高性能、透明的柔性設備。 日本名古屋大學的科學家孫東明（音譯）和同事以及芬
據美國物理學家組織網8月17日報道，一個由英國諾丁漢大學的科學家組成的研究小組日前宣稱，他們首次通過納米級化學反應改變了碳納米管的內部結構。這一研究推翻了之前人們認為的中空納米結構內表面化學性質穩定、不易發生反應的結論。研究表明，改變了形狀的碳納米管是一種令人興奮的新材料，它將會在
最近，中國科學院物理研究所/北京凝聚態物理國家實驗室SF1組研制出新的原位透射電鏡測量裝置，實現了納米管/納米線場效應晶體管器件單元在透射電鏡中的原位表征。在確定器件材料結構的同時，原位測量電輸運性質。他們將這種方法運用到雙壁碳納米管研究上，在實驗上直接獲得了雙壁碳納米管電輸運性質與手性指數
斯坦福大學工程師開發出的四層“多層芯片”原型。底層和頂層是邏輯晶體管，中間是兩層存儲芯片層。垂直的管子是納米級的電子“電梯”，連接邏輯層和存儲層，讓它們能一起工作解決問題。 左邊是目前的單層電路卡，邏輯與存儲芯片分隔在不同區，通過電線連接。就像城市街道，由于數據在邏輯區和存儲區來來回回地傳輸，
多年來，找到一種可靠方法制備相同結構碳納米管的水平陣列，是困擾科學家們的一大難題。最近，北京大學化學與分子工程學院和納米化學研究中心的張錦教授，帶領課題組開發出一種全新方法，合成出純度高達90％的相同結構碳納米管水平陣列。2月15日出版的《自然》雜志在線刊登了這一重要成果。 碳納米管（CNTs
自從特朗普把“美國優先”樹立為美國政府制定政策的標準以來，美國的各個產業部門都應景地涌現出“使美國再次偉大”的方案和計劃來，其中自然少不了電子行業。美國國防高級研究計劃局(DARPA)作為美國軍用技術研究主要管理部門適時地啟動了電子復興計劃。 該計劃旨在團結美國的產業界和學術界，以重振美國略顯
斯坦福大學的工程師正在演示碳納米管計算機。 納米管計算機里的晶體管采用“免疫缺陷設計”。 科技日報訊 (記者華凌)據物理學家組織網、英國廣播公司9月26日(北京時間)報道，美國斯坦福大學的工程師在新一代電子設備領域取得突破性進展，首次采用碳納米管建造出計算機原型，比現在基于硅芯片模式的計
巨頭英特爾（Intel）創始人之一Gordon Moore在1965年提出了業界著名的“摩爾定律（Moore's Law）”，大意為：集成電路上的元器件（例如晶體管）數目，每隔18個月至兩年便會增加一倍，性能也將提升一倍。摩爾定律在一定程度上反映了現代電子工業的飛速發展，但時至今日，隨著
據物理學家組織網6月15日(北京時間)報道，最近，美國斯坦福和南加州大學工程師開發出一種設計碳納米管線路的新方法，首次能生產出一種以碳納米管為基礎的全晶片數字電路，即使在許多納米管發生扭曲偏向的情況下，整個線路仍能工作。 碳納米管(CNTs)超越了傳統的硅技術，在能效方面有望比硅基線路提高
“碳納米管是我所能見到的最好的導電材料。” 美國賴斯大學化學和材料科學教授安德魯·巴倫希望用這種材料制成一些非常大東西，例如幾千英里長的高導電電力傳輸線，用于建設更有效的能源網格。 而這也是賴斯大學已故教授理查德·斯莫利一個未完成的構想，他因為發現了碳納米而榮膺諾貝爾化學獎。
碳納米管很早就被認為是制造下一代晶體管的理想材料。美國威斯康星大學麥迪遜分校的科學家開發出的新型高性能碳納米管晶體管成功突破了純度和陣列控制兩大難題，在開關速度上獲得了比普通硅晶體管快1000倍、比此前最快的碳納米管晶體管快100倍的成績。 這不是一次簡單的改進，而是碳納米管晶體管向正式商用邁
英國著名雜志《Nature》周刊是世界上最早的國際性科技期刊，自從1869年創刊以來，始終如一地報道和評論全球科技領域里最重要的突破。其辦刊宗旨是“將科學發現的重要結果介紹給公眾，讓公眾盡早知道全世界自然知識的每一分支中取得的所有進展”。近期《Nature》下載論文最多的十篇文章(20
韓國蔚山國立科學技術研究所和韓國電工研究所的研究人員采取一種新方法合成出完整的全碳電子設備，包括晶體管、電極、連接線及傳感器，大大簡化了它們的形成過程。這些價廉的電子設備可被附著在各種物體表面上，包括植物、昆蟲、紙、布及人的皮膚。該研究成果刊登在《納米快報》上。 新方法利用碳獨特的原子幾何形狀