通過俄歇電子譜研究化學組態
（1）原子“化學環境”指原子的價態或在形成化合物時，與該(元素)原子相結合的其它(元素)原子的電負性等情況如：原子發生電荷轉移(如價態變化)引起內層能級變化，從而改變俄歇躍遷能量，導致俄歇峰位移；（2）原子“化學環境”變化，不僅可能引起俄歇峰的位移(稱化學位移)，也可能引起其強度的變化，這兩種變化的交疊，則將引起俄歇峰(圖)形狀的改變。（3）俄歇躍遷涉及三個能級，元素化學態變化時，能級狀態有小的變化，結果這些俄歇電子峰與零價狀態的峰相比有幾個電子伏特的位移。因此，由俄歇電子峰的位置和形狀可得知樣品表面區域原子的化學環境或化學狀態的信息。......閱讀全文
俄歇電子能譜
俄歇電子能譜簡稱AES，是一種表面科學和材料科學的分析技術。因此技術主要借由俄歇效應進行分析而命名之。這種效應系產生于受激發的原子的外層電子跳至低能階所放出的能量被其他外層電子吸收而使后者逃脫離開原子，這一連串事件稱為俄歇效應，而逃脫出來的電子稱為俄歇電子。1953年，俄歇電子能譜逐漸開始被實際應用
俄歇電子能譜
俄歇電子能譜（Auger electron spectroscopy，簡稱AES），是一種表面科學和材料科學的分析技術。因此技術主要借由俄歇效應進行分析而命名之。這種效應系產生于受激發的原子的外層電子跳至低能階所放出的能量被其他外層電子吸收而使后者逃脫離開原子，這一連串事件稱為俄歇效應，而逃脫出來的
俄歇電子能譜（2）
基本原理物理原理入射電子束和物質作用，可以激發出原子的內層電子形成空穴。外層電子填充空穴向內層躍遷過程中所釋放的能量，可能以X光的形式放出，即產生特征X射線，也可能又使核外另一電子激發成為自由電子，這種自由電子就是俄歇電子。俄歇電子和X射線產額入射電子束和物質作用，可以激發出原子的內層電子。外層電子
俄歇電子能譜（1）
俄歇電子能譜（Auger electron spectroscopy，簡稱AES），是一種表面科學和材料科學的分析技術。因此技術主要借由俄歇效應進行分析而命名之。這種效應系產生于受激發的原子的外層電子跳至低能階所放出的能量被其他外層電子吸收而使后者逃脫離開原子，這一連串事件稱為俄歇效應，而逃脫出
俄歇電子能譜（3）
俄歇躍遷對于自由原子來說,圍繞原子核運轉的電子處于一些不連續的"軌道 ”上,這些 “ 軌道 ” 又組成K、L、M、N 等電子殼層。 我們用“ 能級 ”的概念來代表某一軌道上電子能量的大小。由于入射電子的激發，內層 電子被 電離， 留下一個空穴。 此時原子處于激發態， 不穩定。 較高能級上的一
俄歇電子能譜儀
俄歇電子能譜儀（Auger Electron Spectroscopy，AES），作為一種最廣泛使用的分析方法而顯露頭角。這種方法的優點是：在靠近表面5-20埃范圍內化學分析的靈敏度高；數據分析速度快；能探測周期表上He以后的所有元素。雖然最初俄歇電子能譜單純作為一種研究手段，但現在它已成為常規分析
俄歇電子譜應用方向
1、通過俄歇電子譜研究化學組態：原子“化學環境”指原子的價態或在形成化合物時，與該(元素)原子相結合的其它(元素)原子的電負性等情況。2、定性分析：對于特定的元素及特定的俄歇躍遷過程，其俄歇電子的能量是特征的。由此，可根據俄歇電子的動能來定性分析樣品表面物質的元素種類。3、定量分析或半定量分析：俄歇
俄歇電子能譜的原理
向樣品照射電子束后，電子和物質之間產生劇烈的相互作用，如下圖（上)所示，各種電子和電磁波被釋放出來。由于其中俄歇電子具備各個元素特有的能量，所以如對能譜進行解析，可以鑒定物質表面所存在的元素(定性分析)通過峰強度對比則可以定量測定元素(定量分析)。另外，俄歇電子在物質中非彈性散射情況下前進的距離（平
俄歇電子能譜法（AES）
AES可以用于研究固體表面的能帶結構、表面物理化學性質的變化（如表面吸附、脫附以及表面化學反應）；用于材料組分的確定、純度的檢測、材料尤其是薄膜材料的生長等。俄歇電子能譜（Auger Electron Spectrometry，簡稱AES）是用具有一定能量的電子束(或X射線)激發樣品俄歇效應，通過檢
俄歇電子能譜的特點
①俄歇電子的能量是靶物質所特有的，與入射電子束的能量無關。右圖是一些主要的俄歇電子能量。可見對于Z=3-14的元素，最突出的俄歇效應是由KLL躍遷形成的，對Z=14-40的元素是LMM躍遷，對Z=40-79的元素是MNN躍遷。大多數元素和一些化合物的俄歇電子能量可以從手冊中查到。②俄歇電子只能從20
俄歇電子能譜儀器構造
俄歇能譜儀包括電子光學系統、電子能量分析器、樣品安放系統、離子槍、超高真空系統。以下分別進行介紹。電子光學系統電子光學系統主要由電子激發源（熱陰極電子槍）、電子束聚焦（電磁透鏡）和偏轉系統（偏轉線圈）組成。電子光學系統的主要指標是入射電子束能量，束流強度和束直徑三個指標。其中AES分析的最小區域基本
俄歇電子能譜儀簡介
俄歇電子能譜儀（AugerElectronSpectroscopy，AES），作為一種最廣泛使用的分析方法而顯露頭角。這種方法的優點是：在靠近表面5-20埃范圍內化學分析的靈敏度高；數據分析速度快；能探測周期表上He以后的所有元素。雖然最初俄歇電子能譜單純作為一種研究手段，但現在它已成為常規分析
俄歇電子能譜法的簡介
中文名稱俄歇電子能譜法英文名稱Auger electron spectroscopy定 義測量和分析試樣產生的俄歇電子的能譜的電子能譜法。應用學科機械工程（一級學科），分析儀器（二級學科），能譜和射線分析儀器-能譜和射線分析儀器分析原理（三級學科）
通過俄歇電子譜研究化學組態
（1）原子“化學環境”指原子的價態或在形成化合物時，與該(元素)原子相結合的其它(元素)原子的電負性等情況如：原子發生電荷轉移(如價態變化)引起內層能級變化，從而改變俄歇躍遷能量，導致俄歇峰位移；（2）原子“化學環境”變化，不僅可能引起俄歇峰的位移(稱化學位移)，也可能引起其強度的變化，這兩種變化的
俄歇電子能譜的物理原理
入射電子束和物質作用,可以激發出原子的內層電子形成空穴。外層電子填充空穴向內層躍遷過程中所釋放的能量,可能以X光的形式放出,即產生特征X射線,也可能又使核外另一電子激發成為自由電子,這種自由電子就是俄歇電子。入射電子束和物質作用,可以激發出原子的內層電子。外層電子向內層躍遷過程中所釋放的能量,可能以
XPS圖譜之俄歇電子譜線
電子電離后，芯能級出現空位，弛豫過程中若使另一電子激發成為自由電子，該電子即為俄歇電子。俄歇電子譜線總是伴隨著XPS，但具有比XPS更寬更復雜的結構，多以譜線群的方式出現。特征：其動能與入射光ｈν無關。
俄歇電子能譜的工作原理
當一個具有足夠能量的入射電子使原子內層電離時，該空穴立即就被另一電子通過L1→K躍遷所填充。這個躍遷多余的能量EK-EL1如使L2能級上的電子產生躍遷，這個電子就從該原子發射出去稱為俄歇電子。這個俄歇電子的能量約等于EK-EL1-EL2。這種發射過程稱為KL1L2躍遷。此外類似的還會有KL1L1、L
俄歇電子能譜儀的應用
近年來,俄歇電子能譜儀( AES) 在材料表面化學成分分析、表面元素定性和半定量分析、元素深度分布分析及微區分析方面嶄露頭角。AES 的優點是,在距表面 0.5 ～ 2nm 范圍內, 靈敏度高、分析速度快,能探測周期表上 He 以后的所有元素。最初,俄歇電子能譜儀主要用于研究工作 ,現已成為一種常規
俄歇電子譜的定性分析
依據：俄歇電子的能量僅與原子本身的軌道能級有關，與入射電子的能量無關。對于特定的元素及特定的俄歇躍遷過程，其俄歇電子的能量是特征的。由此，可根據俄歇電子的動能來定性分析樣品表面物質的元素種類。方法：實際分析的俄歇電子譜圖是樣品中各種元素俄歇電子譜的組合，定性分析的方法是將測得的俄歇電子譜與純元素的標
俄歇電子能譜法（AES）介紹
俄歇電子能譜法是用具有一定能量的電子束(或X射線)激發樣品俄歇效應，通過檢測俄歇電子的能量和強度，從而獲得有關材料表面化學成分和結構的信息的方法。利用受激原子俄歇躍遷退激過程發射的俄歇電子對試樣微區的表面成分進行的定性定量分析。
俄歇電子能譜儀的簡介
歐杰電子能譜術也稱俄歇電子能譜儀（Auger electron spectroscopy，簡稱AES），是一種表面科學和材料科學的分析技術。因此技術主要借由俄歇效應進行分析而命名之。這種效應系產生于受激發的原子的外層電子跳至低能階所放出的能量被其他外層電子吸收而使后者逃脫離開原子，這一連串事件稱為俄
俄歇電子的產生和俄歇電子躍遷過程
一定能量的電子束轟擊固體樣品表面，將樣品內原子的內層電子擊出，使原子處于高能的激發態。外層電子躍遷到內層的電子空位，同時以兩種方式釋放能量：發射特征X射線；或引起另一外層電子電離，使其以特征能量射出固體樣品表面，此即俄歇電子。俄歇躍遷的方式不同，產生的俄歇電子能量不同。上圖所示俄歇躍遷所產生的俄歇電
俄歇電子能譜儀的工作原理
當一個具有足夠能量的入射電子使原子內層電離時，該空穴立即就被另一電子通過L1→K躍遷所填充。這個躍遷多余的能量EK-EL1如使L2能級上的電子產生躍遷，這個電子就從該原子發射出去稱為俄歇電子。這個俄歇電子的能量約等于EK-EL1-EL2。這種發射過程稱為KL1L2躍遷。此外類似的還會有KL1L1
俄歇電子能譜儀的特點簡介
①俄歇電子的能量是靶物質所特有的，與入射電子束的能量無關。右圖是一些主要的俄歇電子能量。可見對于Z=3-14的元素，最突出的 俄歇效應是由KLL躍遷形成的，對Z=14-40的元素是LMM躍遷，對Z=40-79的元素是MNN躍遷。大多數元素和一些化合物的俄歇電子能量可以從手冊中查到。 ②俄歇電子
俄歇電子能譜基本物理原理
入射電子束和物質作用，可以激發出原子的內層電子形成空穴。外層電子填充空穴向內層躍遷過程中所釋放的能量，可能以X光的形式放出，即產生特征X射線，也可能又使核外另一電子激發成為自由電子，這種自由電子就是俄歇電子。入射電子束和物質作用，可以激發出原子的內層電子。外層電子向內層躍遷過程中所釋放的能量，可能以
俄歇電子能譜儀的測試結果
俄歇電子能譜俄歇電子數目N(E)隨其能量E的分布曲線稱為俄歇電子能譜。一般情況下，俄歇電子能譜是迭加在緩慢變化的，非彈性散射電子形成的背底上。俄歇電子峰有很高的背底，有的峰還不明顯，不易探測和分辯。為此通常采用電子能量分布的一次微分譜，即N’(E)=dN(E)/dE來顯示俄歇電子峰。這時俄歇電子峰形
俄歇電子能譜基本原理
俄歇電子能譜儀的基本原理是,在高能電子束與固體樣品相互作用時,原子內殼層電子因電離激發而留下一個空位,較外層電子會向這一能級躍遷,原子在釋放能量過程中,可以發射一個具有特征能量的 X 射線光子,也可以將這部分能量傳遞給另一個外層電子,引起進一步電離 ,從而發射一個具有特征能量的俄歇電子。檢測俄歇電子
俄歇電子能譜定量分析
大多數元素在50~1000eV能量范圍內都有產額較高的俄歇電子，它們的有效激發體積（空間分辨率）取決于入射電子束的束斑直徑和俄歇電子的發射深度。 能夠保持特征能量（沒有能量損失）而逸出表面的俄歇電子，發射深度僅限于表面以下大約2nm以內，約相當于表面幾個原子層，且發射（逸出）深度與俄歇電子的能量以
俄歇電子能譜的起源和介紹
俄歇電子能譜(Auger electron spectroscopy,簡稱AES),是一種表面科學和材料科學的分析技術。因此技術主要借由俄歇效應進行分析而命名之。這種效應系產生于受激發的原子的外層電子跳至低能階所放出的能量被其他外層電子吸收而使后者逃脫離開原子,這一連串事件稱為俄歇效應,而逃脫出來的
俄歇電子能譜的微區分析
微區分析也是俄歇電子能譜分析的一個重要功能，可以分為選點分析，線掃描分析和面掃描分析三個方面。這種功能是俄歇電子能譜在微電子器件研究中最常用的方法，也是納米材料研究的主要手段。（1）選點分析俄歇電子能譜選點分析的空間分別率可以達到束斑面積大小。因此，利用俄歇電子能譜可以在很微小的區域內進行選點分析。